Geri Dön

Grafen tabanlı alan etkili transistörlerin hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Preparation of graphene based field effect transistors and investigation of their electrical properties

PDF İndir

  1. Tez No: 413586
  2. Yazar: İBRAHİM KARTERİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 147

Özet

Bu çalışmada, grafen oksit (GO) malzemesi kimyasal yöntem ile grafit kullanılarak üretildi. Döndürerek kaplama yöntemi kullanılarak cam üzerine kaplanan GO filmlerin optik ve yapısal özellikleri incelendi. GO filmlerin yasak enerji band değerleri 2.26 eV ve 2.34 eV olarak belirlendi. GO yapısının tane boyutu Debye-Scherrer denklemiyle yaklaşık 20.12 nm olarak hesaplandı. Elde edilen GO malzemesi ve pentasen, Poli(metil metakrilat) (PMMA) ve Poli-4-vinilfenol (PVP) gibi polimerler kullanılarak grafen tabanlı alan etkili transistör (GFET)'ler üretildi. GFET'ler, döndürerek kaplama ve termal buharlaştırma tekniği kullanarak hazırlandı. Hazırlanan GFET'lerin yapısal özellikleri ve çıkış ve transfer karakteristikleri gibi elektriksel performansları analiz edildi. GFET aygıtların p tipi yarıiletken davranışı gösterdiği gözlendi. Hazırlanan GFET'lerin mobilite, eşik voltajı, açma/kapama Ion/Ioff oranı, alt-eşik salınım değeri, fotoduyarlılık, arayüzey tuzak yoğunluğu ve yüzey birim başına yük taşıyıcıların sayısı gibi aygıtların elektriksel parametreleri karanlık ve beyaz ışık aydınlatma altında hesaplandı. Sonuçlar karanlık altında p-Si/SiO2/GO/Pentasen GFET yapısının mobilite değeri (0.375 cm2/Vs), 100 mW/cm2 aydınlatma şiddeti altında ki değerinden (0.455 cm2/Vs) daha düşük olduğunu ve GFET'lerin arayüzey tuzak yoğunluğu ve yüzey birim başına yük taşıyıcıların sayısı aydınlatma şiddetlerinin artmasıyla azaldığını gösterdi.

Özet (Çeviri)

In this study, the graphene oxide (GO) meterials were produced using the graphite by chemical method. The structural and optical properties of GO films coated on the glass using the spin coating method were investigated. The band gap values of the GO films were determined as 2.26 eV and 2.34 eV. It was obtained grain size approximately 20.12 nm of GO structures with Debye-Scherrer equation. Graphene based field effect transistors (GFETs) were produced by using GO materials and polimers such as pentacene, poly(methyl methacrylate) (PMMA) and Poly-4-vinylphenol (PVP). The GFETs were prepared from the spin coating and thermal evaporation technique. The structural properties and electrical performances such as output and transfer characteristics of prepared GFETs were analyzed. It was observed that the GFET devices showed p-type semiconducting behavior. The electrical parameters of the devices such as mobilitiy, threshold voltage, Ion/Ioff ratio, sub-threshold swing value, photosensitivity, interface trap density and number of charge carriers per surface unit of the GFETs were calculated under dark and white light illuminations. The results indicated that the mobility (µ) value (0.375 cm2/Vs) of the p-Si/SiO2/GO/Pentacene GFET structure under dark was lower than that of the value (0.455 cm2/Vs) under 100 mW/cm2 illumination intensity and the interface trap density of GFETs was decreased with increasing of illuminations intensities.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    703212

    Grafen tabanlı alan etkili transistörler

    Graphene based field-effect transistors

    MERVE AKIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiNecmettin Erbakan Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET AKİF ERİŞMİŞ

  2. Tez No

    759205

    Kompozit tabanlı alan etkili transistör tasarımı ve dokunsal algılama uygulaması

    Composite based field effect transistor design and tactile sensing application

    İBRAHİM BOZYEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. DİNÇER GÖKCEN

  3. Tez No

    693595

    İki boyutlu GaSe katkılı PVP ince film tabanlı fotodedektörlerin üretilmesi ve incelenmesi

    Fabrication and investigation of photodetectors based on two-dimensional GaSe doped PVP thin film

    TUGAY DEMİRTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Uludağ Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UMUT AYDEMİR

  4. Tez No

    406571

    Grafen tabanlı analog devre tasarımı

    Graphene based analog circuit design

    NİHAT AKKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BURCU ERKMEN

  5. Tez No

    796745

    İmmünoglobulin tespiti için alan etkili transistör biyosensör platformu tasarımı

    A field effect transistor biosensor platform desing for detection of i̇mmunoglobulin

    ELİF GÖKOĞLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    BiyomühendislikPamukkale Üniversitesi

    Biyomedikal Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CUMHUR GÖKHAN ÜNLÜ

Geri Dön