Geri Dön

Si temelli yarı iletken gaz sensörlerinde azot dioksit (NO2) gazı için elektriksel karakterizasyon

Determination of electrical parameters of Si based semiconductors depending nitrogen dioxide (NO2)

  1. Tez No: 417068
  2. Yazar: MEHMET MÜRŞİT SİNCAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SELİM ACAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 67

Özet

Bu çalışmada, atomik tabaka biriktirme (ALD) metodu ile Al/Al2O3/p-Si, Al/TiO2/p-Si ve Al/TiO2/Al2O3/p-Si metaloksit-yarıiletken yapılar üretildi. 30-250 ˚C arasında 100 ppm NO2 gazına karşı sıcaklığa bağlı ölçümler yapılarak numunelerin gaz algılama özellikleri araştırıldı.Numunelerin optimum çalışma sıcaklığı 200 ˚C olarak belirlendi. 200 ˚C'de farklı gaz konsantrasyonlarındagaz algılama ölçümleri yapıldı. Bu sıcaklıkta en iyi duyarlılığı %65 ile Al/TiO2/Al2O3/p-Si numunesi gösterirken, Al/Al2O3/p-Si numunesinde %10 duyarlılık gözlendi. Üretilen numunelerde oda sıcaklığında NO2 gazına karşı duyarlılık elde edebilmek için 254 nm dolga boylu UV ışık altında farklı gaz konsantrasyonlarında gaz algılama ölçümleri yapıldı. 100ppm NO2 gazına karşı Al/TiO2/Al2O3/p-Si numunesinde %19 duyarlılık elde edilirken, Al/TiO2/p-Si numunesi için %11 ve Al/Al2O3/p-Si numunesi için %0,8 duyarlılık elde edildi. TiO2/Al2O3 heteroyapının sensör cevabının en iyi olduğu görüldü.

Özet (Çeviri)

In this study, Al/Al2O3/p-Si, Al/TiO2/p-Si and Al/TiO2/Al2O3/p-Si metal oxide semiconductor structures are produced by Atomic Layer Deposition Method (ALD). The NO2 gas sensing properties of samples are investigated with different temperatures from 30 ˚C to 250 ˚C for obtaining the operating temperature with constant 100 ppm. The operation temperature is obtained 200 ˚C for all samples. To investigate the effect of NO2 sensing properties at 200 ˚C,the response of samples are exposure to different concentrations ofNO2 in dry airas afunction of the gas concentration. The maximum sensitivity is obtained 65 % for Al/TiO2/Al2O3/p-Si, it is obtained 10 % for Al/Al2O3/p-Si. The electrical characterizations of samples, for investigating NO2 gas sensing properties at room temperature, for different gas concentrations are carried out under 254 nm UV light. The response of Al/TiO2/Al2O3/p-Si is calculated 19%, it is obtained 11% for Al/TiO2/p-Si and 0,8% for Al/Al2O3/p-Si. It can be noted that 20 ppm NO2 gas concentration is obtained for Al/TiO2/Al2O3/p-Si and Al/TiO2/p-Si at room temperature. TiO2/Al2O3 is showed the maximum sensitivity to NO2 gas compared to other samples.

Benzer Tezler

  1. Nano ölçekli vanadyum oksit ince filmlerin tavlama süreçlerinin geliştirilmesi ve karakterizasyonu

    Development and characterization of annealing processes of nanoscale vanadium oxide thin films

    ERCAN ŞENER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Metalurji MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAMİS MUSTAFA ÖKSÜZOĞLU

  2. Implementation of KNN, MLP, PCA algorithms on cortex-M4 based embedded system for enose application

    Elektronik burun uygulaması için MLP, PCA ve KNN algoritmalarının cortex M4 tabanlı bir gömülü sistem üzerinde gerçeklemeleri

    LEILA GHORBANI CHONGHORALOUY YEKAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Mekatronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MÜŞTAK ERHAN YALÇIN

  3. Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi

    Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures

    ARDEN ERKOL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ

  4. Chemical deintercalation and stability investigation of nanosized C/Li2MnSiO4 cathode material with different electrolytes

    C/Li2MnSiO4 katot malzemesinin kimyasal deinterkalasyonu ve farklı elektrolitler ile kararlılığının incelenmesi

    EKİN EŞEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİGEN KADIRGAN

  5. Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes

    GİZEM ÇELİKOK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU