Si temelli yarı iletken gaz sensörlerinde azot dioksit (NO2) gazı için elektriksel karakterizasyon
Determination of electrical parameters of Si based semiconductors depending nitrogen dioxide (NO2)
- Tez No: 417068
- Danışmanlar: PROF. DR. SELİM ACAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 67
Özet
Bu çalışmada, atomik tabaka biriktirme (ALD) metodu ile Al/Al2O3/p-Si, Al/TiO2/p-Si ve Al/TiO2/Al2O3/p-Si metaloksit-yarıiletken yapılar üretildi. 30-250 ˚C arasında 100 ppm NO2 gazına karşı sıcaklığa bağlı ölçümler yapılarak numunelerin gaz algılama özellikleri araştırıldı.Numunelerin optimum çalışma sıcaklığı 200 ˚C olarak belirlendi. 200 ˚C'de farklı gaz konsantrasyonlarındagaz algılama ölçümleri yapıldı. Bu sıcaklıkta en iyi duyarlılığı %65 ile Al/TiO2/Al2O3/p-Si numunesi gösterirken, Al/Al2O3/p-Si numunesinde %10 duyarlılık gözlendi. Üretilen numunelerde oda sıcaklığında NO2 gazına karşı duyarlılık elde edebilmek için 254 nm dolga boylu UV ışık altında farklı gaz konsantrasyonlarında gaz algılama ölçümleri yapıldı. 100ppm NO2 gazına karşı Al/TiO2/Al2O3/p-Si numunesinde %19 duyarlılık elde edilirken, Al/TiO2/p-Si numunesi için %11 ve Al/Al2O3/p-Si numunesi için %0,8 duyarlılık elde edildi. TiO2/Al2O3 heteroyapının sensör cevabının en iyi olduğu görüldü.
Özet (Çeviri)
In this study, Al/Al2O3/p-Si, Al/TiO2/p-Si and Al/TiO2/Al2O3/p-Si metal oxide semiconductor structures are produced by Atomic Layer Deposition Method (ALD). The NO2 gas sensing properties of samples are investigated with different temperatures from 30 ˚C to 250 ˚C for obtaining the operating temperature with constant 100 ppm. The operation temperature is obtained 200 ˚C for all samples. To investigate the effect of NO2 sensing properties at 200 ˚C,the response of samples are exposure to different concentrations ofNO2 in dry airas afunction of the gas concentration. The maximum sensitivity is obtained 65 % for Al/TiO2/Al2O3/p-Si, it is obtained 10 % for Al/Al2O3/p-Si. The electrical characterizations of samples, for investigating NO2 gas sensing properties at room temperature, for different gas concentrations are carried out under 254 nm UV light. The response of Al/TiO2/Al2O3/p-Si is calculated 19%, it is obtained 11% for Al/TiO2/p-Si and 0,8% for Al/Al2O3/p-Si. It can be noted that 20 ppm NO2 gas concentration is obtained for Al/TiO2/Al2O3/p-Si and Al/TiO2/p-Si at room temperature. TiO2/Al2O3 is showed the maximum sensitivity to NO2 gas compared to other samples.
Benzer Tezler
- Nano ölçekli vanadyum oksit ince filmlerin tavlama süreçlerinin geliştirilmesi ve karakterizasyonu
Development and characterization of annealing processes of nanoscale vanadium oxide thin films
ERCAN ŞENER
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Metalurji MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAMİS MUSTAFA ÖKSÜZOĞLU
- Implementation of KNN, MLP, PCA algorithms on cortex-M4 based embedded system for enose application
Elektronik burun uygulaması için MLP, PCA ve KNN algoritmalarının cortex M4 tabanlı bir gömülü sistem üzerinde gerçeklemeleri
LEILA GHORBANI CHONGHORALOUY YEKAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Mekatronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MÜŞTAK ERHAN YALÇIN
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Chemical deintercalation and stability investigation of nanosized C/Li2MnSiO4 cathode material with different electrolytes
C/Li2MnSiO4 katot malzemesinin kimyasal deinterkalasyonu ve farklı elektrolitler ile kararlılığının incelenmesi
EKİN EŞEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİGEN KADIRGAN
- Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes
GİZEM ÇELİKOK
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU