Sılar metodu ile büyütülen CuInS2 yarıiletken ince filmlerinde [Cu]/[In] oranının yapısal, optik ve elektriksel özellikler üzerine etkisi
The effect of [Cu]/[In] ratio on structural, optical and electrical properties at thin films of CuInS2 were grown by silar method
- Tez No: 427656
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUTLU KUNDAKÇİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 65
Özet
Bu yüksek lisans tezinde, CuInS2 yarıiletken ince filmleri cam alttaşlar üzerine SILAR metodu ile farklı [Cu]/[In] oranlarında büyütüldü. Filmlerin kristal yapısı ve kristal büyüklüğü X-Işını Kırınımı metodu ile belirlendi. Atomik kuvvet mikroskobu filmlerin yüzey morfolojisini belirlemek için kullanıldı. Bu filmlerin optik ve elektriksel özellikleri [Cu]/[In] oranına bağlı olarak incelendi. CuInS2 yarıiletken ince filmlerinin elektriksel özdirenci 300-470 K aralığında sıcaklığa bağlı olarak iki nokta prob metodu ile belirlendi. Artan [Cu]/[In] oranının elektriksel özdirençte büyük bir düşüşe neden olduğu gözlendi. Sonuç olarak [Cu]/[In] oranının CuInS2 yarıiletken ince filmlerin yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerini ciddi bir şekilde etkilediği gözlendi.
Özet (Çeviri)
At this master thesis, thin films of CuInS2 have been grown on glass substrate by Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method at different [Cu]/[In] ratios. The crystal structure and crystal sizes of the thin films have been characterized by X-ray diffraction method. Atomic Force Microscopy has been used to determine surface morphology of the films. Optical and electrical properties of these films have been investigated as a function of [Cu]/[In] ratios. The electrical resistivity of CuInS2 of thin films have been determined by using a 'dc' two probe method, in the temperature range of 300-470 K. It is observed that, the electrical resistivity values show a big decreasing with increasing [Cu]/[In] ratio. Hence, the [Cu]/[In] ratio in the solution can drastically affect the structural, electrical and optical properties of thin films of CuInS2.
Benzer Tezler
- Investigation of the effect of nickel doped on the structural surface and optical properties of zno thin films prepared by the silar method
Sılar metodu ile hazırlanan fto/zno ince filmlerinin yapısal yüzeysel ve optik özellikleri üzerinde nikel katkısının etkisinin incelenmesi
AMMAR HAMDAN DHEYAB DHEYAB
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ İLKER KARA
- In2S3, CdS ve In1-xCdxS yarı iletken ince filmlerinin Sılar Metodu ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
In2S3, CdS and In1-xCdxS semiconductor thin films growth by Sılar method and characterization
MUTLU KUNDAKÇI
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM
- Kompakt zeolit modifiyeli gaz sensörünün tasarımı üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of compact zeolite modified gas sensor
IRMAK KARADUMAN
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELİM ACAR
- Zn1-XCuXO kompleks MOS sensörlerinde sıcaklığa bağlı gaz algılama özelliklerinin incelenmesi
Investigation of Zn1-XCuXO complex MOS sensors to gas detection features depends on temperature
TUĞBA ÇORLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELİM ACAR
- ZnO yarıiletkenine nikel ve indiyum katkılamanın gaz sensör algılama özelliklerine etkisi
The effect of nickel and indium dopant on gas sensing properties of ZnO semiconductor
BAKTIYAR SOLTABAYEV
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELİM ACAR