A readout circuit for resonant mems temperature sensors
Rezonans mems sıcaklık sensörleri için okuma devresi
- Tez No: 442078
- Danışmanlar: PROF. DR. TAYFUN AKIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 124
Özet
Rezonans sensörlerin yüksek hassasiyeti, analog-digital dönüştürücüye sahip olan diğer analog sensör tiplerine göre en önemli avantajıdır. Bu hassas sensörlerin çözünürlüğü, frekans çözünürlüğü ve sensörün hassasiyeti ile tespit edilmektedir. Hassasiyet, MEMS resonatörünün hassasiyetiyle yüksek ölçüde bağlantılıdır. Bununla birlikte eğer rezonatörün gürültü katkısı elektronik devresininkinden küçük olduğu farz edilirse frekans çözünürlüğü kapalı döngü devresi tarafından tanımlanabilir. Bu tez çalışmasında, kapalı döngü rezonans sensörün çözünürlüğünü, frekans çözünürlüğünü düşürerek geliştirilmesi hedefi başarılmıştır. Sıcaklık sensörü olarak kullanılan DETF (Çift Uçlu Diyapazon) MEMS rezonatör ODTÜ MEMS merkezinde önceden tasarlanmış ve üretilmiştir. DETF MEMS rezonatörün TCF'si (Frekansın sıcaklık katsayısı) 53 ppm/K'dir, ki bu duyarlılığın 174.818 kHz frekansında 9.27 Hz/K olmasını sağlamaktadır. Bu belirtiyor ki hassasiyet sabittir ve sensörün daha iyi bir çözünürlüğe ulaşması için geriye kalan tek değişken, kapalı döngü devresinin frekans çözünürlüğüdür. AGC (Otomatik Kazanç Kontrol) bloğuna sahip kapalı döngü devresi, taşıyıcıdan uzak faz gürültü performansı limitleyiciye sahip kapalı döngü devresine kıyasla daha üstün performansa sahip olmasından mütevellit, bu topoloji XFAB 0.35um CMOS sürecinde yapılmak için seçilmiştir. CMOS Teknoloji'de yapılmış olan kapalı döngü devresi için kalıcı durum salınımında ulaşılabilecek en düşük gürültü dibi -107 dBc/Hz olarak belirlenmiştir. Simulasyon sonuçlarına göre“beyaz faz”gürültüsü filtrelendiğinde sensör çözünürlüğü yaklaşık olarak 0.021 santigrat derece olarak belirlenmiştir. Dizaynın CMOS Teknoloji'sindeki işlevselliğini tahkik etmek için kapalı döngü devresi ayrık elemanlarla tekrar yapılmıştır. Uygulanan devrenin kararlılık ve çözünürlük değerlendirmesine Allan sapması ile ulaşılmıştır. Öngerilme kararsızlık noktası 5.28 saniye ortalama zamanda yaklaşık 0.0045 santigrat derece olarak ölçülmüştür. Bu tezde, dizaynın özellikle XFAB'daki CMOS sürecindeki asıl amacı kapalı döngü devresinin gürültü ve faz gürültüsü performansını araştırmak ve nitelemektir. Bundan dolayı çözünürlük gelişmesi devredeki gürültünün düşürülmesiyle başarıya ulaşabilir.
Özet (Çeviri)
High precision is the dominant advantage that resonant sensors have over other types of analog sensors (sensors with a subsequent analog-to-digital converter). The resolution of these precise sensors is determined by both frequency resolution and sensitivity of the sensor. The sensitivity is highly related to the sensitivity of the MEMS resonator. However, the frequency resolution is dominantly defined by the closed-loop circuitry if noise contribution of the resonator is assumed to be smaller than that of the electronic circuitry. In this thesis, resolution reduction of a closed-loop resonant sensor is intended to be accomplished. The DETF (double-ended tuning-fork) MEMS resonator used in this study is already designed and fabricated in METU MEMS. The TCF (temperature coefficient of frequency) of this resonator is 53 ppm/K which results in a sensitivity of 9.27 Hz/K with 174.818 kHz resonant frequency. This implies that the sensitivity is fixed and the only remaining parameter to achieve a better resolution for the sensor is the frequency resolution of the closed-loop circuitry. Since closed-loop with an AGC (automatic gain control) block has superior far-from-carrier phase noise performance in comparison to a closed-loop circuit with a limiter (e.g., comparator), this scheme is chosen to be implemented in XFAB 0.35um CMOS process. For the implemented closed-loop circuit in CMOS technology, the minimum achievable noise floor at the steady state oscillation is obtained to be -107 dBc/Hz. Based on the simulation results, when the“white phase”noise is filtered out, the sensor resolution is obtained to be around 0.021 degrees celsius. To verify the functionality of the design in the CMOS technology, the closed-loop circuit is implemented again by discrete components. The stability and resolution evaluations of the implemented circuit are achieved by Allan deviation. The bias instability point is measured to be about 0.0045 degrees celsius with 5.28 second averaging time. In this thesis, the main goal of the design, especially in XFAB 0.35um CMOS Process, is to study and characterize the noise and phase noise performances of the closed loop circuit. Thus, the resolution improvement can be accomplished by minimizing the noise in the loop.
Benzer Tezler
- High-performance readout circuit for resonator-based MEMS accelerometer using digital control loop
Dijital kontrol döngüleri kullanarak MEMS titreşen yay tipi ivmeölçer için yüksek performanslı okuma devresi geliştirilmesi
MUHAMMAD ALI
Doktora
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYFUN AKIN
- Development of an integrated resonant mems temperature sensor
Entegre rezonant mems sıcaklık duyargası geliştirilmesi
TALHA KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. KIVANÇ AZGIN
PROF. DR. TAYFUN AKIN
- A low-drift silicon mems resonant accelerometer
Düşük sabit kayma hatası kaymasına sahip silisyum tabanlı rezonant ivmeölçer
HASAN DOĞAN GAVCAR
Doktora
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYFUN AKIN
- Low-power low-noise highly programmable digital accelerometer readout for high performance MEMS accelerometers
Yüksek performanslı MEMS ivmeölçerler için düşük güç tüketimli düşük gürültülü kapsamlı programlanabilir okuma sistemi tasarımı
BERK ENGİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYFUN AKIN
- Silicon surface micromachined gyroscopes using mems technology
Mems teknolojisi ile silisyum yüzey mikroişlenmiş jiroskoplar
SAİD EMRE ALPER
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TAYFUN AKIN