Geri Dön

SILAR metoduyla elde edilen Cu/CuS/n-GaAs/In yapının elektriksel karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi

Ivestigation of electrical characteristics of Cu/CuS/n-GaAs/In structure obtained by SILAR method depending on sample temperature

PDF İndir

  1. Tez No: 470893
  2. Yazar: EBRU KAYA DÖLEKLİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 84

Özet

Yapılan yükseklisans tez çalışmasında n-GaAs ve cam taban malzemeler üzerine CuS ince filmleri Sıralı İyonik Tabaka Çökelmesi ve Reaksiyonu (SILAR) yöntemiyle büyütüldü. Cam taban malzeme üzerine büyütülen CuS ince filmlerine ait yapısal ve optik özellikler XRD, SEM, optik soğurma analizleri ile incelendi. Optik soğurma ölçümleri kullanılarak CuS ince filmine ait yasak enerji aralığı 2.05 eV olarak hesaplandı. Yapılan XRD analizleri incelendiğinde filmin polikristal yapıda olduğu görüldü. n-GaAs yarıiletkeninin mat yüzeyine In metali ile omik kontak yapıldı, parlak yüzeyine CuS ince filmi büyütüldü ve CuS ince filmi üzerine 1 mm çaplı dairesel maskeler kullanılarak Cu metali buharlaştırıldı ve Cu/CuS/n-GaAs/In yapı elde edildi. Daha sonra elde edilen bu yapının, 100 K- 200 K- 300 K sıcaklık değerlerinde düz beslem akım-voltaj (I-V) grafiklerinden Termoiyonik Emisyon, Norde, Cheung metodları kullanılarak idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında (300 K) frekansa bağlı olarak alınan kapasite-voltaj (C-V) ölçümlerinden ve C-2-V grafiklerinden difüzyon potansiyeli, donor konsantrasyonu, Fermi seviyesi ve engel yüksekliği değerleri hesaplandı. 500 kHz frekans değerinde sıcaklığa bağlı olarak 100 K ve 200 K değerlerinde aynı hesaplamalar tekrarlandı. Ters beslemde uygulama gerilimi arttıkça, kapasitenin hızlı bir şekilde azaldığı görüldü. Ayrıca Cu/CuS/n-GaAs/In diyodunun doğrultma oranı ve arayüzey hal yoğunluğu değerleri numune sıcaklığına göre I-V karakteristiklerinden hesaplandı.

Özet (Çeviri)

In the master thesis study, CuS thin films were growth on n-GaAs and glass substrates with SILAR technique. Optical and structural properties of the CuS thin film, grown on n-GaAs and glass substrates were investigated with XRD, SEM and UV-Visible absorbtion techniques. Band gap of CuS thin film was calculated as 2,05 eV using optical absorbtion measurements. When the XRD analyzes were examined, it was seen that the CuS film was in polycristalline structure. CuS thin film was growth on the surface of the n-GaAs semiconductor and Cu/CuS/n-GaAs/In structure was obtained after Cu metal was evaporated under the 10-5 torr pressure. Then this structure is obtained, diode parameters such as ideality factor, barrier height, and series resistance were calculated by using Thermoionic Emission, Norde and Cheung Method from forward bias I-V (current-voltage) graphs at 100 K- 200 K- 300 K temperature values. In room temperature barrier height, Fermi level, donor concentration and diffussion potential values were calculated from the C-V (Capaticance- Voltage) and C-2-V graphics dependinyon frequency. The same calculations were made for the values of 100 K and 200 K the temperature at the frequency of 500 kHz. While the application voltage was increased in reverse bias, it was observed that the capacitance rapidly decreased. The rectification raito was calculated by proportion current value in the case of forward bias towards current value in the case of reverse bias. As a result of these calculations, it was observed that the best rectification ratio was at a temperature of 100 K. Interface states (Nss) for Cu/CuS/n-GaAs/In structure have been calculated at 100 K- 200 K- 300 K sample temperatures.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    501192

    Cu(InGa)Se2 (CIGS) ince filmlerin termal buharlaştırma yöntemi ile üretilmesi ve karakterizasyonu

    Production and characterization of Cu(InGa)Se2 (CIGS) thin films by thermal evaporation method

    CELAL ALP YAVRU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MURAT KALELİ

  2. Tez No

    687838

    Elektron iletim tabakasının perovskit güneş pillerinin performansına etkisi

    The effect of the electron transport layer on the performance of perovskite solar cells

    AYŞE NUR ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET ALTINDAL

  3. Tez No

    515387

    Efficiency studies of Cu2ZnSnS4 thin film solar cell

    Cu2ZnSnS4 ince film güneş hücrelerinin verim çalışmaları

    ECE MERİÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Enerjiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Enerji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER

    DR. ÖĞR. ÜYESİ GÜRCAN ARAL

  4. Tez No

    496369

    Copper zinc tin sulfite CZT(S,Se) for solar cell applications

    Bakır çinko kalay sülfat CZT(S,Se) için güneş pili uygulamaları

    YUNUS EMRE BOYA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ELİF ÜLKÜ ARICI

  5. Tez No

    413379

    Cu(In,Ga)Se2 tabanlı güneş pillerinde gövde içi ve ara yüzey tuzak durumlarının incelenmesi

    Investigation of bulk and interfacial defect states in Cu(In,Ga)Se2 based solar cells

    ADEM DÖNMEZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HABİBE BAYHAN

Geri Dön