Geri Dön

Au/P3HT:PCBM/N-Si Schottky bariyer diyotların elektrik ve dielektrik özelliklerinin analizi

Analysis of electric and dielectric properties of Au/P3HT:PCBM/N-Si Schottky barrier diodes

  1. Tez No: 473070
  2. Yazar: SERPİL KARASU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Düzce Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 58

Özet

Son yıllarda teknolojinin gelişmesi ve temiz kaynaklar arayışının artması sebebiyle yarı iletken teknolojisi çok büyük bir önem kazanmıştır. Özellikle organik yarı iletken malzemeler ile yapılan çalışmaların umut vadedici olması sebebiyle bu malzemeler çok büyük bir öneme sahip olmaya başlamışlardır. Organik malzemelerin yarı iletken teknolojisinde bu kadar öne çıkmasının sebepleri; düşük sıcaklıklarda çalışma imkânı sunması, düşük maliyetle kolay üretilebilir olmaları, geniş yüzeylere büyütülebilir olmaları ve üretilen cihazların yüksek verimliliğe sahip olmalarıdır. Bu bağlamda yapılan çalışmalar sonucunda günümüzde organik alan etkili transistör (OFET), organik ince film transistör (OTFT), Schottky bariyer diyot (SBD) ve organik ışık yayan diyot (OLED) gibi birçok elektronik cihazın üretimi yapılmaktadır. Neredeyse tüm elektronik cihazlarda kullanılan diyotlar içinde ise SBD'ler büyük önem taşımaktadırlar. SBD'leri diğer diyotlardan daha üstün kılan özellikleri ise tepki sürelerinin çok daha hızlı olması, yüksek frekans değerlerinde anahtarlama özelliğini kaybetmemesi ve daha düşük voltaj ile iletime geçebilmeleridir. Bu tez çalışmasında, Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) SBD'ler farklı P3HT:PCBM oranlarında üretilerek aygıtların oda sıcaklığında ve karanlıkta, kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Bu ölçümlerin sonucunda, C-V ve G/w-V karakteristiklerinden; diyot direnci (Ri) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) frekansa bağlı olarak elde edilmiştir. C-V ve G/w-V analizi verilerine göre en iyi sonucu veren diyot için C ve G/w değerlerinden yararlanılarak dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kayıp (ε''), dielektrik kayıp tanjantı (tanδ), gerçel ve sanal elektrik modülü (M' ve M'') ve ac elektriksel iletkenlik (σac) değerlerinin frekansa bağlılığı incelenmiştir. Au/P3HT:PCBM/n-Si MPY SBD'lerin C-V ve G/w-V analizleri geniş frekans aralığında (10 kHz – 2 MHz) ve -10,0 V'dan +10,0 V'a voltaj aralığında yapılmıştır.

Özet (Çeviri)

In the last few decades, semiconductor technology has gained a significant importance with the improving technology and requesting for clean energy sources. Especially, the studies of organic semiconductor-based technologies have quite a large interest. The main reasons of being the center of attention of organic polymers in semiconductor technology are having the possibility of processing at low temperatures, being producible with a low cost, easy fabrication techniques and opportunity to produce the high performance devices. Through these features, many devices can be fabricated with organic polymers such as organic field effect transistors (OFETs), organic thin film transistors (OTFTs), Schottky diodes and organic light emitting diodes (OLEDs). Schottky barrier diodes (SBDs) are the most widely used diodes in electronic devices, because of their faster response time and low forward voltage drop compared to other diodes. In this thesis, the gold/poly(3-hexylthiophene):[6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester/n-type silicon (Au/P3HT:PCBM/n-Si) metal-polymer-semiconductor (MPS) Schottky barrier diodes (SBDs) have been fabricated with different P3HT:PCBM mass ratios and electrical and dielectric characterization of Au/P3HT:PCBM/n-Si MPS SBDs were investigated in the dark and at room temperature the frequency dependent capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements. As a result of C-V and G/w-V characterizations, the diyod resistance (Ri) and interface states density (Nss) have been obtained. Dielectric constant (ε'), dielectric loss (ε''), loss tangent (tanδ), ac conductivity (σac), and the real and imaginary parts of electric modulus (M' and M'') have been investigated for the diode which has the best results obtained from C-V and G/w-V measurements. The C-V and G/w-V measurements of Au/P3HT:PCBM/n-Si MPS SBDs were taken in the large frequency range (10 kHz – 2 MHz) and in the voltage range from -10.0 V to +10.0 V.

Benzer Tezler

  1. Au/P3HT:PCBM:F4-TCNQ/n-Si schottky bariyer diyotların oda sıcaklığında elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of Au/P3HT:PCBM:F4-TCNQ/n-Si schottky barrier diodes at room temperature

    ENGİN YAĞLIOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDüzce Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN

  2. 6H-SiC tabanlı Schottky diyotların hazırlanması ve geniş sıcaklık aralığında elektriksel parametrelerinin incelenmesi

    Preparation of Schottky diodes 6H-SiC based and investigation of electrical parameters in the wide temperature range

    TAMER GÜZEL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN ÖZER

  3. N-tipi 6H-SiC tabanlı polimer arayüzeyli schottky diyotlarının üretilmesi ve elektronik parametrelerinin incelenmesi

    Production of n-type 6h-sic based schottky diodes with polymer interface and investigation of the electronic parameters

    HAYATİ ALTAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. METİN ÖZER

  4. GaAs yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulan yapının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical and optical properties of the structure formed by coating conductive polymer onto GaAs semiconductor

    AHMET KIRSOY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU

  5. ITO/TiO2/P3HT:PCBM/Au yapılı invert hibrid güneş pillerinde kararlılığın ve fotovoltaik parametrelerin iyileştirilmesi

    Improvement of stability and photovoltaic parameters ininverted hybrid solar cells with ITO/TiO2/P3HT:PCBM/Au

    HAZEL YETKİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN YÜKSEL GÜNEY