Geri Dön

N-tipi 6H-SiC tabanlı polimer arayüzeyli schottky diyotlarının üretilmesi ve elektronik parametrelerinin incelenmesi

Production of n-type 6h-sic based schottky diodes with polymer interface and investigation of the electronic parameters

PDF İndir

  1. Tez No: 629088
  2. Yazar: HAYATİ ALTAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. METİN ÖZER
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 140

Özet

Bu tezde, Au/P3HT:PCBM(1:1)/6H-SiC/Ag (1500 devir), Au/P3HT:PCBM (1:1)/6H-SiC /Ag (750 devir), Au/P3HT:PCBM:F4TCNQ (1:1:%2)/6H-SİC/Ag (1500 devir) ve Au/P3HT:PCBM (2:1)/ 6H-SİC/Ag (1500 devir) Schottky bariyerli 4 diyot üretilerek, 300 K ile 375 K sıcaklık aralığında elektriksel karakteristikleri araştırıldı. Her bir diyot için akım-gerilim eğrilerinden, engel yükseklikleri (Φb0), idealite faktörleri (n) ve seri direnç (Rs) değerleri farklı metodlarla hesaplandı. İdealite faktörü ve seri direncin azalan sıcaklıkla arttığı, engel yüksekliğinin ise azaldığı gözlendi. Parametrelerdeki bu değişimin sebeplerinden biri olarak Schottky engelinin heterojenliği gösterildi. Engelin Gaussian dağılımı araştırılarak, engel yüksekliği (Φbo) ve standart sapma (σ0) değerleri bulundu. Au/P3HT:PCBM (1:1)/6H-SiC/Ag (1500 devir) diyotunun 300 K ile 375 K aralığında ortalama engel yüksekliği ile standart sapma değerleri sırasıyla 1,52 eV ve -0,04 V olarak hesaplandı. Au/P3HT:PCBM (1:1)/6H-SiC/Ag (750 devir), yapısı için 300 K ile 375 K aralığında ortalama engel yüksekliği ile standart sapma değerleri sırasıyla 1,61 eV ve -0,04 V olarak bulundu. Au/P3HT: PCBM:F4TCNQ (1:1:%2)/6H-SİC/Ag (1500 devir) diyotu için de yapılarak, 300-375 K sıcaklık aralığında ortalama engel yüksekliği ile standart sapma değerleri sırasıyla 1,55 eV ile -0,03 V olarak belirlendi. Aynı hesaplamalar Au/P3HT:PCBM (2:1)/6H-SİC/Ag (1500 devir) diyotu için de yapılarak, (300-375) K sıcaklık aralığında ortalama engel yüksekliği ile standart sapma değerleri sırasıyla 1,62 eV ile -0,04 V olarak bulundu. Nümunelerin her biri için Ln(I0/T2)-q2σ02/2k2T2'nin 1000/T'ye göre grafikleri çizilerek her bölge için modifiye edilmiş etkin Richardson sabiti (A**) ve ortalama engel yükseklikleri (Φbo) hesaplandı. Buna göre; Au/P3HT:PCBM (1:1)/6H-SiC/Ag (1500 devir) diyotunun yapısı için (300-375) K sıcaklık aralığında hesaplanan ortalama engel yüksekliği ve Richardson sabiti sırasıyla 1,67 eV ve 2431,96 Acm-2K-2, Au/P3HT:PCBM (1:1)/6H-SiC/Ag (750 devir), diyotu için ise sırasıyla 1,53 eV, 84,39 Acm-2K-2 değerleri bulundu. Au/P3HT:PCBM:F4TCNQ (1:1:%2)/6H-SİC/Ag (1500 devir) Schottky diyotu için de yine aynı bölgede yapılan hesaplamalar sonucunda; 1,74 eV, 39,11 Acm-2K-2 değerleri bulundu. Au/P3HT:PCBM (2:1)/6H-SİC/Ag (1500 devir) Schottky diyotu için ise aynı bölgede; 1,80 eV, 6288,34 Acm-2K-2 değerleri hesaplandı. Akım iletimi, termiyonik emisyon (TE) modeli ve engel homojensizliğiyle beraber açıklandı.

Özet (Çeviri)

In this thesis, Au/P3HT:PCBM (1:1)/6H-SiC/Ag (1500 revs), Au/P3HT:PCBM (1:1)/6H-SiC /Ag (750 revs), Au/P3HT:PCBM:F4TCNQ (1:1:%2)/6H-SiC/Ag (1500 revs) and Au/P3HT:PCBM (2:1)/ 6H-SiC/Ag (1500 revs) 4 Schottky barrier diodes were produced, and their electrical characteristics were investigated in the temperature range (300-375) K. For each diode, barrier heights (Φb0) and ideality factors (n) and series resistance (Rs) values were calculated by using different methods from the current-voltage curves. It was observed that the ideality factor and series resistance increased while the barrier height decreased as the temperature decreased. One of the reasons for such change in the parameters was the heterogeneity of the Schottky barrier. The barrier height (Φbo) and the standard deviation (σ0) values were found by investigating the Gaussian distribution of the barrier. Mean barrier height and standard deviation values of the Au/P3HT:PCBM (1:1)/6H-SiC/Ag (1500 revs) diode between (300-375) K were found to be 1.52 eV and - 0.04 V, respectively. Mean barrier height and standard deviation values of the Au/P3HT:PCBM (1:1)/6H-SiC/Ag (750 revs) diode in the temperature range (300 - 375) K were found to be 1.61 eV and -0.04 V, respectively. For the Au/P3HT: PCBM:F4TCNQ (1:1:%2)/6H-SiC/Ag (1500 revs) diode, the same procedure was followed, and the mean barrier height and standard deviation values at the temperature range of (300 – 375) K were calculated as 1.55 eV and - 0.03 V, respectively. The same calculations were made for the Au/P3HT:PCBM (2:1)/6H-SiC/Ag (1500 revs) diode, and the mean barrier height and standard deviation values at the temperature range of (300-375) K were calculated as 1.62 eV and -0.04 V, respectively. For each sample, a plot of Ln(I0/T2)-q2σ02/2k2T2 versus 1000/T was created, and the modified effective Richardson constant (A**) and the mean barrier height (Φbo) were calculated for each region. Accordingly, the mean barrier height and the Richardson constant calculated at the temperature range of (300-375) K for the structure of the Au/P3HT:PCBM (1:1)/6H-SiC/Ag (1500 revs) diode were calculated as 1.67 eV and 2431,96 Acm-2K-2, respectively. The values calculated for the Au/P3HT:PCBM (1:1)/6H-SiC/Ag (750 revs) diode were 1.53 eV and 84,39 Acm-2K-2, respectively. For the Au/P3HT:PCBM:F4TCNQ (1:1:%2)/6H-SiC/Ag (1500 revs) diode, the values were calculated in the same region and found as 1,74 eV and 39,11 Acm-2K-2. The values were also calculated in the same region for the Au/P3HT:PCBM (2:1)/6H-SiC/Ag (1500 revs) Schottky diode and found as 1.80 eV and 6288,34 Acm-2K-2. The current transmission was explained by the thermionic emission (TE) model and barrier inhomogeneity.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    232789

    Ni/n-6H SiC schottky diyodunda bazı elektriksel özelliklerin sıcaklıkla değişiminin incelenmesi

    Investigaton of some electrical properties with temperature for Ni/n-6H SiC schottky diode

    ASLIHAN SEFAOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEYDİ DOĞAN

  2. Tez No

    283556

    Bazı isoksazolin ve karbazol türevlerinin moleküler ve kristal yapı analizi

    Molecular and crystal structure analysis of some isoxazoline and carbazol derivatives

    GÜL ÖZKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MUHİTTİN AYGÜN

  3. Tez No

    259232

    99mTc ile işaretli bleomycin ve bleomycin-glukuronid'in radyofarmasötik potansiyelinin incelenmesi

    Investigation of radiopharmaceutical potential of bleomycin and bleomycin-glucuronide labeled with 99mTc

    FERAY KOÇAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    KimyaCelal Bayar Üniversitesi

    Fizikokimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR AVCIBAŞI

  4. Tez No

    151389

    Yeni çözülür ftaloksiyaninlerin sentezi ve agregasyon özelliklerinin incelenmesi

    Synthesis of new soluble phthalocyanines and study of their agregation properties

    ALTUĞ MERT SEVİM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. AHMET GÜL

  5. Tez No

    66788

    N-alliloksi piridinyum tuzlarının katyonik polimerizasyonda başlatıcı olarak kullanımı

    Thermally induced radical promoted cationic polymerization using a novel n-allyloxy pyridinium salt

    VİLDAN BACAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YUSUF YAĞCI

Geri Dön