Saf ve bor katkılı galyum selenit (GaSe) tek kristallerinin bridgman yöntemiyle büyütülerek yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Growth of undoped and boron doped gallium selenide (GaSe) single crystals by bridgman method, investigation of structural and optical properties
- Tez No: 478735
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. HÜSEYİN ERTAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kafkas Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 73
Özet
Bu tez çalışmasında, saf ve bor katkılı Galyum Selenit (GaSe) kristalleri Bridgman yöntemiyle büyütüldü ve elde edilen kristallerin yapısal, optik ve doğrusal olmayan optik özellikleri XRD, UV-VIS ve açık yarık Z-tarama yöntemleri ile araştırıldı. X-ışını kırınımı sonuçlarından, saf ve bor katkılı GaSe kristallerinin hekzagonal yapıya sahip oldukları ve örgü sabitlerinin değişmediği görüldü. Ancak, XRD analizlerinden pik şiddetlerinde küçük de olsa değişimler olduğu gözlendi. Saf ve bor katkılı GaSe kristallerinin optik soğurma ölçümleri oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bütün kristallerin yasak enerji bant aralıkları yaklaşık 2.004-2.007 eV olarak bulundu. İncelenen bütün kristallerin doğrusal olmayan soğurma katsayılarının, ışının şiddetinin artmasıyla arttığı gözlendi. Ayrıca, doğrusal olmayan soğurma katsayılarının bor konsantrasyonu bağlı olarak değiştiği gözlendi. Second Harmonic Generation (SHG) sinyalinin konumunun, bor konsantrasyonun artmasıyla maviye kaydığı gözlendi.v
Özet (Çeviri)
In this thesis, undoped and boron doped gallium selenide crystals have been grown by Bridgman method and structural, optical and nonlinear optical properties of crystals have been investigated by XRD, UV-VIS and open aperture Z-scan methods. XRD analyses showed that both undoped and boron doped crystals had hexagonal structure and lattice parameters did not change with boron doping. However, some variations were observed in the XRD peak intensities with boron doping. The optic absorption measurements were conducted at room temperature. Band gaps of studied crystals were found to be in the 2.004-2.007 eV range. The nonlinear absorption coefficients of all crystals were found to increase with increasing light intensity. The nonlinear absorption coefficients were also varied with boron concentration. The position of the Second Harmonic Generation (SHG) signal was found to blue shift with increasing boron concentration.
Benzer Tezler
- Oksit yarıiletkenlerin hidrojen tutma kabiliyeti
Hydrogen absorption abilities of oxide semiconductors
TAMER KARAMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSA MUTLU CAN
- Bor oksit katkısının çinko oksit'in mikroyapı ve elektriksel özelliklerine etkisi
The effect of boron oxide addition to the microstructure and electrical properties of zinc oxide
BERAT YÜKSEL
Doktora
Türkçe
2009
Metalurji Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TEVFİK OSMAN ÖZKAN
- Saf ve bor katkılı indiyum selenit (InSe) tek kristallerinin bridgman yöntemiyle büyütülmesi, yapısal, optik, elektriksel ve fotolüminesans özelliklerinin araştırılması
Growth of undoped and boron doped indium selenit (InSe) single crystals by bridgman method, investigation of structural, optical, electrical and photoluminescence properties
HÜSEYİN ERTAP
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT
- Saf ve bor katkılı vermikülit'in gama radyasyon geçirgenliğinin belirlenmesi
Determination of gamma radiation transmission for pure and boron mixed vermiculite
HASAN GÜLBİÇİM
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiOndokuz Mayıs ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA ÇAĞATAY TUFAN
DOÇ. DR. M.NUREDDİN TÜRKAN
- Bor katkılı ZnO/can ince filmlerin optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of boron doped ZnO/glass thin films
GAMZE DURU
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. REMZİYE TÜLEK