Organik alan etkili transistörlerin üretimi ve performans karakteristiklerinin incelenmesi
Production of organic field effect transistors and investigation of their performance characteristics
- Tez No: 479780
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MEHMET BAYBURT
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ege Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Güneş Enerjisi Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 149
Özet
Bu tezde oksit ara yüzey tabakaların organik alan etkili transistörlerin performansına etkileri araştırılarak sistematik bir çalışma gerçekleştirilmiştir. Oksidasyon için farklı derecelerde duyarlı olan P3HT (Poly(3-hexylthiophene–2,5-diyl)) ve TIPS PENTACENE (6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)) iki organik yarıiletkenler ile çalışılmıştır. Dahası aktif tabakalardaki etkilerinin karşılaştırmak amacıyla WO3 ( tungsten trioxide) ve MoO3 gibi farklı iki oksit ara tabaka olarak uygulanmıştır. Optimum kalınları bulmak için oksitlerin kalınlıkları değiştirilmiştir. Her iki oksit ara yüzeyin özellikle mobilite ve threshold gerilimlerinde P3HT ve TİPS PENTACENE temelli OFET'lerin (organik alan etkili transistörler) performansını arttırdığı gözlemlenmiştir. 10 nm oksit tabakası optimum kalınlıktır. Kalınlığa olan bağımlılık en yüksek mobiliteyi ve en düşük eşik gerilimini veren 10nm oksit tabaka kalınlığının optimum kalınlık olduğunu göstermektedir. Bununla birlikte iki oksitin film oluşumu ve aktif tabakanın oksidasyonunda farklı davranışları olduğu bulunmuştur. Oksijene duyarlı olan P3HT MoO3 tarafından kuvvetli bir şekilde doplanırken WO3'te böyle bir durum söz konusu değildir. Oksijene karşı yüksek dirençli olduğu halde TIPS PENTACENE böyle bir fark göstermemektedir. Bununla birlikte, hem P3HT hem de TIPS PENTACENE aygıtları için transistör karakteristikleri karşılaştırıldığında WO3 ve MoO3 histerisis bakımından oldukça farklı davranış göstermektedir. WO3 kalınlığının artırılması histerisisi sürekli genişletmektedir hâlbuki MoO3'ün ara tabaka olarak dâhil edilmesi histerisisi ortadan kaldırmaktadır. Bu da aktif tabaka üzerindeki farklı film oluşum özelliklerine dayanmaktadır.
Özet (Çeviri)
In this thesis a systematic study has been carried out to investigate the effect of oxide interfacial layers for the performance of organic field effect transistors. Two organic semiconductors P3HT (Poly(3-hexylthiophene–2,5-diyl)) and TIPS PENTACENE (6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)) with different degree of sensitivity for oxidation were studied. Moreover two different oxides, WO3 ( tungsten trioxide) and MoO3 were applied as interfacial layers in order to compare their effects on the active layers. Their thickness were varied to find the optimum thickness. It's has been observed that both oxide interlayers improve the performences of OFET's (Organic field effect transistors) based on P3HT and TIPS PENTACENE notibly mobility and thereshold voltage. Thickness dependance show that 10 nm of oxide layer is the optimum thickness which yields highest mobility and lowest threshold voltage. However, it's has been found that two oxides have very different behaviour in terms of film formation and the oxidation of the active layer. P3HT which is sensitive to oxygen get's strongly dopped by MoO3 but not with WO3. While TIPS PENTACENE which is highly resistive to oxygen didn't show such a difference. However, when WO3 and MoO3 is compared in the trnasistor characteristics, they show quiet different behaviour in terms of hysterisis for both P3HT and TIPS PENTACENE devices. Increasing the thickness of the WO3 enlarge the hysterisis continiously, where as MoO3 inclusion as interlayer removes the hysterisis. This is attribuated to their different film forming properties on the active layer.
Benzer Tezler
- P-n ve p-i-n temelli aygıtların üretimi ve fotodiyot karakteristiklerinin incelenmesi
Production of p-n and p-i-n based devices and investigation of photodiode characteristics characteristics
AHMED ALI AREEBI ALARABI
Doktora
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKastamonu ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OSMAN ÇİÇEK
- Organik alan etkili transistörlerin üretilmesi ve elektriksel karakteristiklerinin belirlenmesi
Fabrication of organic field effect transistors and determination of their electricall characteristics
BAYRAM GÜNDÜZ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU
- Düşük çalışma voltajına duyarlı alan etkili organik transistörlerin üretimi ve karakterizasyonu
Manufacturing and characterization of low working voltage sensitive field effect organic transistors
ŞABAN FINDIK
Doktora
Türkçe
2025
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSakarya Uygulamalı Bilimler ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT KÖKER
DOÇ. DR. ARİF KÖSEMEN
- Organik alan etkili transistörlerin üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of organic field effect transistors
HİDAYET GÖK
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET ALTINDAL
- Machine learning analysis on nanomaterials literature data and knowledge exploration
Makine öğrenimi ile nanomalzeme literatür verisinin analizi ve bilgi keşfi
CUMHUR YILDIRIM
Doktora
İngilizce
2024
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN