GaN metal yarı iletken metal fotodedektör üretim parametreleri ve karakterizasyonu
Production parameters and characterization of GaN metal semiconductor metal photodetector
- Tez No: 488449
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET KABAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Savunma ve Savunma Teknolojileri, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences, Defense and Defense Technologies
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 72
Özet
Bu tez çalışmasında geniş dalgaboyu aralığına sahip GaN tabanlı metal yarıiletken metal fotodedektörlerinin üretimi için uygun iş akışı ve karakterizasyonları ortaya konulmaya çalışılmıştır. Fotodedektörlerde çok önemli olan karanlık akımın en az olması için en uygun üretim yöntemler belirlenmeye çalışılmıştır. Fotodedektör prototipi üretiminde uygun iş akışı belirlenmiş ve üretilen aygıt için karakterizasyon aşamasına geçilmiştir. Bir dedektörün ideal olup olmadığını belirleyebilmek için bazı parametreler vardır. Dedektör parametreleri çeşitli testler ile ölçülerek ürünün karakterizasyon işlemleri gerçekleştirilmiştir. Üretimi tamamlamış olan GaN katkılı MSM fotodedektörün de ideal olup olmadığını belirleyebilmek için, akım-gerilim, tayfsal yanıt, kuantum verimliliği ve doğrusallık gibi ölçümler yapılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, wide range wavelength of GaN induced metal semiconductor metal photodetectors have been utilized in the production stage and characterized. One of the major problems of photodetector devices is the dark current and photodetectors have been designed with the aim to minimize the dark current. The fabrication methods and process flowchart have been chosen to be suitable for GaN containing metal-semiconductor-metal processes and to yield minimum dark current, and prototype devices have been fabricated. Several parameters exist to determine whether the performance of a photodetector is adequate, hence, the fabricated prototypes have been characterized through measurements of these parameters by various testing methods. The specific parameters measured to evaluate the performance of the GaN metal-semiconductor-metal photodetectors are the current–voltage characteristics, spectral response, quantum efficiency, and response time.
Benzer Tezler
- GaN/AlGaN-based UV photodetectors wıth performances exceedıng the pmts
Pmt performansını geçen GaN/AlGaN-tabanlı UV fotodedektörler
TURGUT TUT
Doktora
İngilizce
2008
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- The growth, fabrication and characterisation of high performance AlxGa1-xN metal-semiconducto-metal photodiodes
Yüksek performanslı AlxGa1-xN metal-yarıiletken-metal fotodiyotların büyütülmesi, üretilmesi ve karakterizasyonu
SERKAN BÜTÜN
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. EKMEL ÖZBAY
- AlGaN UV photodetectors: From micro to nano
AlGaN UV fotodedektörler: Mikrodan nanoya
SERKAN BÜTÜN
Doktora
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Yüksek voltaj ve düşük kaçak akım için ald ile pasive edilmiş mıs hemt üretimi
Fabrication of mis hemt passivated by ald for high voltage and low leakage current
DENİZ GÜLCÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
- Investigation of parallel-connected GaN E-HEMT VSI-based servo drives
Paralel bağlı GaN E-HEMT VSI tabanlı servo sürücülerin incelenmesi
HÜSEYİN YÜRÜK
Doktora
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OZAN KEYSAN