Geri Dön

GaN fet tabanlı aktif kıskaç ileri DA-DA dönüştürücüsü tasarımı

GaN fet based active clamp forward converter design

PDF İndir

  1. Tez No: 493630
  2. Yazar: ÖZGÜR BULUT
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TİMUR AYDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 105

Özet

Güç çeviricileri alanındaki artan ihtiyaçlar (yüksek verim, düşük hacim, düşük maliyet vb.) güç elektroniği araştırmacılarını Si MOSFET malzemesinden daha farklı bir yarı iletken anahtar aramaya zorlamaktadır. Zira teknolojik gelişmeler Si MOSFET malzemelerinin teorik sınırlarına geldiklerini işaret etmekte ve gelişen endüstrinin artan ihtiyaçlarına karşılık verememektedir. GaN yarı iletkenleri bu arayışlar sonucu ortaya çıkan en umut verici Sİ MOSFET alternatiflerinden birisidir. Yüksek elektron hareketliliği özelliği GaN yarı iletkenlerinin daha yüksek anahtarlama frekanslarında çalışmalarını sağlayarak, daha verimli güç çeviricilerinin tasarımını mümkün kılmaktadır. Bu çalışmada GaN yarı iletkenlerinin teknolojisine dikkat çekmek amacıyla GaN anahtar kullanılarak bir aktif kıskaç ileri çeviricisi tasarlanmıştır. Ayrıca aktif kıskaç ileri çeviricisi tasarımı gerçeklenmiş ve analiz ve deney sonuçları paylaşılmıştır.

Özet (Çeviri)

Increasing demand on power converters with higher efficiency, lower volume, lower cost etc., have inclined the power electronics engineers to search for more different semiconductor switches rather than Si MOSFETs. In fact, the technological developments indicate that Si MOSFETs have come to their theoretical boundaries so they no longer meet the needs of fast moving industry. The GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is one of the most promising alternatives to the conventional Si MOSFETs. The high electron mobility feature of the GaN devices pushes the switching frequency of the power converters higher and higher. Therefore, more and more efficient power converters can be designed. In this work, in order to investigate the state of art of the GaN devices, an active clamp forward converter is designed by using GaN devices. The implementation of the GaN based active clamp forward converter is realized and experimental results are shown.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    416530

    X-band high power gan power amplifier design and implementation

    X-bant yüksek güçlü gan güç yükselteç tasarımı ve gerçeklenmesi

    ALİ İLKER IŞIK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞİMŞEK DEMİR

  2. Tez No

    421215

    Küçük uydular için X bant GaN SiC-HEMT F sınıfı yüksek verimli güç kuvvetlendiricisi tasarımı ve RF güç fetleri için faz ile genlik duyarlığı analizi

    X-band high efficiency class-F GaN SiC-HEMT high power amplifier design for small satellites and amplitude&phase sensitivity analysis for RF power fets

    OSMAN CEYLAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SELÇUK PAKER

    ÖĞR. GÖR. HASAN BÜLENT YAĞCI

  3. Tez No

    879778

    A prescriptive analytics approach towards critical ship machinery operations

    Kritik gemi makine işlemlerine yönelik bir preskiriptif analitik yaklaşım

    BARIŞ YİĞİN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Denizcilikİstanbul Teknik Üniversitesi

    Deniz Ulaştırma Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. METİN ÇELİK

  4. Tez No

    880013

    Süper çözünürlük algoritmalarındaderin öğrenmenin etkisi

    The effect of deep learning in super resolution algorithms

    MEHMET CAN ÖZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TUĞBA SELCEN NAVRUZ

  5. Tez No

    880038

    Utrgan: Learning to generate 5' UTR sequences for optimized translation efficiency and gene expression

    Utrgan: Optimizasyonlu çeviri verimliliği ve gen ekspresyonu için 5 UTR sekanslarini üretmeyi öğrenmek

    SINA BARAZANDEH

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ABDULLAH ERCÜMENT ÇİÇEK

Geri Dön