Geri Dön

GaN fet tabanlı aktif kıskaç ileri DA-DA dönüştürücüsü tasarımı

GaN fet based active clamp forward converter design

  1. Tez No: 493630
  2. Yazar: ÖZGÜR BULUT
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TİMUR AYDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 105

Özet

Güç çeviricileri alanındaki artan ihtiyaçlar (yüksek verim, düşük hacim, düşük maliyet vb.) güç elektroniği araştırmacılarını Si MOSFET malzemesinden daha farklı bir yarı iletken anahtar aramaya zorlamaktadır. Zira teknolojik gelişmeler Si MOSFET malzemelerinin teorik sınırlarına geldiklerini işaret etmekte ve gelişen endüstrinin artan ihtiyaçlarına karşılık verememektedir. GaN yarı iletkenleri bu arayışlar sonucu ortaya çıkan en umut verici Sİ MOSFET alternatiflerinden birisidir. Yüksek elektron hareketliliği özelliği GaN yarı iletkenlerinin daha yüksek anahtarlama frekanslarında çalışmalarını sağlayarak, daha verimli güç çeviricilerinin tasarımını mümkün kılmaktadır. Bu çalışmada GaN yarı iletkenlerinin teknolojisine dikkat çekmek amacıyla GaN anahtar kullanılarak bir aktif kıskaç ileri çeviricisi tasarlanmıştır. Ayrıca aktif kıskaç ileri çeviricisi tasarımı gerçeklenmiş ve analiz ve deney sonuçları paylaşılmıştır.

Özet (Çeviri)

Increasing demand on power converters with higher efficiency, lower volume, lower cost etc., have inclined the power electronics engineers to search for more different semiconductor switches rather than Si MOSFETs. In fact, the technological developments indicate that Si MOSFETs have come to their theoretical boundaries so they no longer meet the needs of fast moving industry. The GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is one of the most promising alternatives to the conventional Si MOSFETs. The high electron mobility feature of the GaN devices pushes the switching frequency of the power converters higher and higher. Therefore, more and more efficient power converters can be designed. In this work, in order to investigate the state of art of the GaN devices, an active clamp forward converter is designed by using GaN devices. The implementation of the GaN based active clamp forward converter is realized and experimental results are shown.

Benzer Tezler

  1. Çamaşır makinası uygulamasında gan yarı iletkenanahtarlar ile yüksek güç yoğunluklu ve verimlievirici tasarımı

    Design of high efficiency and high power densityinverter using gan semiconductors for washing machine

    TANER YAZICI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT YILMAZ

  2. GaN-Fet tabanlı yüksek hızlı motor sürücü tasarımı

    Design of GaN-Fet based high speed motor drive

    CENK KILIÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEge Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERKAN MEŞE

  3. A gan-based bi-directional non-inverting buck-boost converter

    Gan-tabanlı çift yönlü evirmeyen buck-boost dönüştürücü

    HÜSEYİN URAL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnkara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET KARAARSLAN

  4. GaN FET ve silisyum tabanlı MOSFET kullanılarak tek uçlu birincil-indüktör (SEPIC) türü pil şarj düzenleyici devresinin gerçekleştirilmesi

    Design, implementation and comparison of Si semiconductor MOSFET and GaN FET based SEPIC battery charge regulator

    OZAN CAN İYİER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Mühendislik BilimleriHacettepe Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. UĞUR BAYSAL

  5. Design of a radiation hardened PWM controller built on SOI

    SOI tabanlı radyasyona dayanıklı PWM denetleyici tasarımı

    EMRECAN KILIÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HALUK KÜLAH