Structural and optical properties of bulk and quantum well gaas1-xbix semiconductors
Bulk ve kuantum kuyu gaas1-xbix yarıiletken alaşımlarının yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
- Tez No: 497657
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUSTAFA GÜNEŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Adana Bilim ve Teknoloji Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Günümüz optoelektronik aygıtların ve cep telefonu sistemleri gibi kablosuz haberleşmenin temelini III-V grubu bileşik yarıiletken malzemeler oluşturmaktadır. Bu malzemelerin bant enerji değerleri, optik fiberler için uygun olan düşük dağılımlı ve düşük düşük kayıp seviyesindedir. Optik fiberler, 850 nm, 1310 nm and 1550 nm dalga boylarında minimum kayba sahiptirler. Bu sebeple, uzun mesafeli iletişimlerde, ~ 100 km'lik maksimum iletim uzunluğuna sahip olması nedeniyle 1550 nm kullanılırken, kısa mesafeli veri iletişimi için 1310 nm tercih edilir. Proje kapsamında, Moleküler Beam Epitaxy ile GaAs alttaş üzerine farklı yönelimlerde büyütülmüş, Bi içeren kristal malzemelerin yapısal ve optik özellikleri incelenmiştir. Proje kapsamında, yürütülen deneylerde, araştırılan malzeme sistemleri epilayer numunelerde, Bix (0
Özet (Çeviri)
The basis of wireless communications such as today's optoelectronic devices and mobile phone systems is the group III-V compound semiconducting materials. These materials can be used for optical fibers due to their band gap energies in the low dispersion and low optical loss window. The optical fibers have minimal loss in the wavelengths of 850 nm, 1310 nm and 1550 nm. For this reason, for long haul communications, 1550 nm window is used due to maximum transmission length of ~100 km while 1310 nm is preferred for short distance data communications (Mokkapati and Jagadish, 2009). In this thesis, structural and optical properties of Bi-containing crystal materials grown on GaAs substrate on various orientations by Molecular Beam Epitaxy (MBE) have been investigated. The samples that were grown as epilayer has Bix (0
Benzer Tezler
- The effect of erbium ion concentration on structural and optical properties of ZnSe quantum dot doped SiO2 glass
ZnSe kuantum noktası katkılı SiO2 camların yapısal ve optik özelliklerine erbium iyon konsantrasyonunun etkisi
OLGUN ERGÜZEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÖNÜL ÖZEN
- Carrier dynamics in silicon and germanium nanocrystals
Silisyum ve germanyum nanoörgülerde tasıyıcı dinamiği
CEM SEVİK
Doktora
İngilizce
2008
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY
- V3Ge bileşiğinin fiziksel özelliklerinin ve süperiletkenlik mekanizmasının teorik olarak incelenmesi
Theoretical investigation of the physical properties and superconductivity mechanism of V3Ge compound
SÜLEYMAN BERKUTAY DURSUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SADIK BAĞCI
- Nanoparçacıkların elde edilmesi, karakterizasyonu ve nanoteknolojinin çevre ve sağlık üzerine etkilerinin araştırılması
Synthesis and characterization of nanoparticles and investigation the effects of nanotechnology on environment and health
MERAL ALKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiAkdeniz ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MELİKE BEHİYE YÜCEL