Atomik katman biriktirme yöntemi ile büyütülmüş al2o3 ince filmlerin elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of electrical properties of al2o3 thin films deposited by atomic layer deposition method
- Tez No: 506580
- Danışmanlar: PROF. DR. HALİT ALTUNTAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çankırı Karatekin Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Bu çalışmanın amacı, atomik katman biriktirme (AKB) yöntemiyle üretilmiş Al2O3 (Alüminyum Oksit) ince filmlerin elektriksel ve dielektriksel özelliklerini incelemektir. Bu amaç kapsamında kalınlığı yaklaşık 30 nm olan Al2O3 filmleri p-tipi silikon (Si) alttaşlar üzerine AKB yöntemiyle biriktirildi. Al2O3 filmlerin elektriksel iletim mekanizmalarını ve dielektriksel özelliklerini incelemek için Al/Al2O3/p-Si metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitör yapıları üretildi ve akım-voltaj (I-V) ve frekans bağımlı kapasitans-voltaj (C-V-f) ölçümleri yapıldı. Uygulanan elektrik alanın bir fonksiyonu olarak, farklı tipte elektriksel iletim mekanizmalarının etkin olduğu görüldü. Bu mekanizmalar Schottky Emisyon ve uzay yük sınırlı akım iletim olarak değerlendirildi. Elde edilen statik dielektrik sabitinin artan frekansla azaldığı ve dielektrik kayıp değerlerinin 10 kHz ve 0.7 MHz civarında maksimum değerlere sahip olduğu görüldü.
Özet (Çeviri)
The aim of this study is to examine the electrical and dielectrical properties of Al2O3 (Aluminum Oxide) thin films produced by atomic layer deposition (ALD) method. For this purpose, Al2O3 films with a thickness of about 30 nm were deposited on p-type silicon (Si) substrates by the ALD method. Al/Al2O3/p-Si metal-in-semiconductor (MOS) capacitors were fabricated to investigate the electrical conduction mechanisms and dielectric properties of Al2O3 films, current-voltage (I-V) and frequency dependent capacitance-voltage (C-V-f) measurements were performed. As a function of the applied electric field, different types of current transport mechanisms were observed. These mechanisms were evaluated as Schottky Emission and space charge limited current conduction. It was found that the obtained static dielectric constant decreases with increasing frequency and the dielectric loss have maximum values around 10 kHz and 0.7 MHz.
Benzer Tezler
- ALD yöntemi kullanılarak üretilmiş ZnO,TiO2 ve HfO2 ince film kaplamaların karakterizasyonu ve diyot özelliklerinin incelenmesi
Characterizations and diode properties of ZnO, TiO2 and HfO2 thin films produced by ALD
YAĞMUR ALTAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji MühendisliğiGazi ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN ATEŞ
- High performance floating gate memories using graphene as charge storage medium and atomic layer deposited high-k dielectric layers as tunnel barrier
Yük depolama ortamı olarak grafen, tünelleme bariyeri olarak atomik katman kaplama tekniğiyle üretilmiş yüksek-k dielektrik kullanılarak oluşturulan yüksek performanslı ikincil kapılı hafıza yapıları
DENİZ KOCAAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. AYKUTLU DANA
- Optical properties of group III-nitride thin films grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
Oyuk katot plazma destekli atomik katman biriktirme yöntemi ile büyütülen grup III-nitrür ince filmlerinin optik özellikleri
NEŞE GÜNGÖR
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ALEVLİ
- Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications
Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması
HÜSEYİN ÇAKMAK
Doktora
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER
DOÇ. DR. ALPAN BEK
- Atomic layer deposition of metal oxides on self-assembled peptide nanofiber templates for fabrication of functional nanomaterials
Kendıliğinden düzenlenen peptit nanolif kalıplar ve atomik katman kaplama yöntemiyle fonksiyonel nanomalzeme üretimi
HAMİT EREN
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA ÖZGÜR GÜLER