Geri Dön

Yarı iletkenlerin optik özellikleri

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 50953
  2. Yazar: SÜLEYMAN YILMAZ
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. FETHİ BALDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Yarıiletken, optik özellikler, emme katsayısı, magnetik alan, elektrik alan, Manyetik alanlar, Yarı iletkenler, Semiconductor, Optical properties, absorption coefficient, magnetic field, electric field, Magnetic fields, Semiconductors
  7. Yıl: 1996
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Fırat Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Yüksek Lisans Tezi YARIİLETKENLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİ Süleyman YILMAZ Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabiliın L>ak 1996, Savla: 46 Bu çalınmada, bazı yarıiletkenlerin optik özellikleri teorik olarak incelendi. Uygulanan elektrik ve magnetik alanın band yapısına etkisi gözlendi. Uygulanan 10 Tesla'lık magnetik alanda, yarıiletkenin emme band aralığının arttığı görüldü. Uygulanan 30 kV'cm'lik elektrik alanda, emme band andığının küçüldüğü görüldü. Sonuç olarak, uygulanan magnetik alanda optik emilme için, dalıa fazla toton enerjisine ihtiyaç olduğu, uygulanan elektrik alanda optik emilme için, daha az foton enerjisinin yeterli okluğu görüldü..

Özet (Çeviri)

SUMMARY Masters Thesis OPTICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTORS Süleyman YILMAZ Fırat University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 1996, Pages: 46 In tliis study, the optical property's investigation of some semiconductors is observed at applied magnetic and electric fields. It known that, the semiconductors band structure cltange under magitetic and electric fields. Absorption band edge is increased at 10 Tesla magnetic field, but the absorption band edge is decreased at 30 kV/cm electric field. Finally, at applied magnetic field, more photon energy to be necessary is observed for optical absorption. At applied electric field, less photon energy to be sufficiency is observed for optical absorption.

Benzer Tezler

  1. Yarı iletkenlerin optik özellikleri

    Başlık çevirisi yok

    TÜLAY HURMA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1989

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHSİN ZOR

  2. Kompozit yarı iletkenlerin termal, elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of thermal, electric and optic properties of composite semiconductors

    CANAN AKSU CANBAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. AYŞE AYDOĞDU

  3. Bazı yarı iletkenlerin elektronik, elastik ve optik özelliklerinin ab initio metodu ile incelenmesi

    Ab initio calculation of electronic, elastic and optical prooerties of some semiconductor structures

    MAZİN OTHMAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERGÜN KASAP

  4. İnce yaygı CdS ve CdSe yarı-iletkenlerin optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi

    A study of optical and structural properties of thin film CdS and CdSe semiconductors

    ASUMAN AŞIKOĞLU BOZKURT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET HİKMET YÜKSELİCİ

  5. Electronic structure and optical properties of monolayer semiconductors: A computational study

    Tek katmanlı yarı iletkenlerin elektronik ve optik özellikleri: Hesaplamalı bir çalışma

    YAĞMUR AKSU KORKMAZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEYHUN BULUTAY

    PROF. DR. CEM SEVİK