Bazı yarı iletkenlerin elektronik, elastik ve optik özelliklerinin ab initio metodu ile incelenmesi
Ab initio calculation of electronic, elastic and optical prooerties of some semiconductor structures
- Tez No: 268560
- Danışmanlar: PROF. DR. ERGÜN KASAP
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 153
Özet
Bu çalışmada GaAs, GaP, InAs ve InP ikili bileşikler ile bu bileşiklerin üçlü (InxGa1-xAs, InxGa1-xP, InAsyP1-y, InAs1-yPy ve GaAs1-yPy) ve dörtlü (InxGa1-xAs1-yPy) yarı iletken alaşımlarının x ve y kompozisyonuna bağlı olarak elektronik, elastik ve optik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio metotla çalışıldı. Alaşımların örgü parametreleri, bant yapıları, toplam durum yoğunluğu, elastik sabiti ve bulk modülü hesaplandı. Ayrıca foton enerjisine bağlı lineer dielektrik fonksiyonları, soğurma katsayısı, sönüm katsayısı, kırılma indisi, enerji-kayıp fonksiyonu ve yansıtıcılık gibi bazı optik özelliklerin scissors yaklaşımı altında hesaplandı. GaAs yapının In ve P eklenme oranlarına bağlı olarak oluşan InxGa1-xAs, GaAs1-yPy üçlü ve (InxGa1-xAs1-yPy) dörtlü alaşımlarının x ve y = 0,5 değerinde optik özellikleri karşılaştırılarak incelendi. Yapıların (GaAs1-yPy y ? 0,5 dışında) ? simetri noktasında doğrudan yasak enerji aralığına sahip olduğu görüldü. Elde edilen sonuçlar, deneysel ve teorik çalışmalarla uyumlu olduğu tespit edildi.
Özet (Çeviri)
In this work, the electronic, elastic and optical properties of GaAs, GaP, InAs and InP binary compounds of these compounds with the ternary (InxGa1-xAs, InxGa1-xP, InAs1-yPy and GaAs1-yPy) and (InxGa1-xAs1-yPy) quaternary alloys are investigated as a function of x and y composition by using ab initio calculations within density functional theory. For these alloys, the lattice parameters, band structures, density of state, elastic constants and bulk module are calculated. The linear photon-energy dependent dielectric functions and some optical properties curves are calculated. The results of calculations of the GaAs structure of In and P proportion InxGa1-xAs, GaAs1-yPyternary and (InxGa1-xAs1-yPy) of quaternary x and y = 0,5 values were compared the optical features. These structures as a result of symmetry points ? has a direct band gap energy range is seen. The obtained results are compared with the available experimental and theoretical data.
Benzer Tezler
- First principles investigation of lattice dynamical properties of Cu-based chalcopyrite semiconductors and high dielectric constant materials
Temel ilkelerle bakır tabanlı kalkopirit yarı iletkenler ve yüksek dielektrik sabitli malzemelerin örgü dimamiği özelliklerinin incelenmesi
CİHAN PARLAK
Doktora
İngilizce
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiAbant İzzet Baysal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RESUL ERYİĞİT
- Functionalization and thickness dependent properties of single layer dichalcogenides
Tek katmanlı dikalkogenidlerin ı̇şlevselleştirme ve kalınlığa bağlı özellikleri
ZEYNEP KAHRAMAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN ŞAHİN
- The Electronic structure of delta-doped semiconductors
&-katkılanmış yarıiletkenlerin elektronik yapıları
SHAHLE HONARKHAH
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOKMAK
- Synthesis, photophysical properties and ofet application of thienothiophene and benzothiadiazole based donor-π-acceptor-π (D-π-A-π) type conjugated polymers
Tiyenotiyofen ve benzotiyadiazol esaslı donör-π-alıcı-π (D-π-A-π) tipi konjuge polimerlerin sentezi, fotofiziksel özellikleri ve ofet uygulaması
SERRA EBRU ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TURAN ÖZTÜRK
- Organik yarı iletkenlerin polaron-bağlanma ve reorganizasyon enerjilerinin yüksek duyarlılıkla tahmin edilmesi
Accurate prediction of polaron-binding and reorganization energies of organic semiconductors
CİHAT GÜLERYÜZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLHAN YAVUZ