CdS yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Some physical properties of cds semiconductor films
- Tez No: 584408
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ DERYA PEKER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 71
Özet
Bu çalışmada, CdS yarıiletken filmlerini, kimyasal püskürtme yöntemini kullanarak 325±5 oC taban sıcaklığında oluşturulmuştur. Oluşan CdS ince filmlerinin bazı fiziksel özellikleri incelenmiştir. Çözeltiyi hazırlamak için gerekli miktarlarda kadmiyum klorür, tiyoüre ve deiyonize su kullanılmıştır. Hazırlanan çözelti ~15 ml/dk-1 hızla, 15 dk boyunca camların üzerine püskürtülmüştür. Oluşan ince filmler 250 oC, 300 oC ve 350 oC' de hava ortamında tavlanmıştır. Elde edilen filmlerin yasak enerji aralıkları optik metot ile belirlenmiştir. Filmlerin yasak enerji aralıkları 2,42-2,44 eV aralığında değişim göstermiştir. X-Işınları kırınım cihazı kullanılarak filmlerin kristal yapı analizleri, SEM ile yüzey durumları ve EDX ile kimyasal analizleri incelenmiştir. CdS filminin tercihli yönelimi 2θ= ̃30o' de gözlenen (002) yönünde olduğu görülmektedir. Kırınım deseninde görülen piklerin hegzagonal yapıdaki CdS' ye ait olduğu belirlenmiştir. Sonuç olarak, elde edilen CdS ince filmlerin fiziksel ve yapısal özelliklerinde bazı değişimler meydana geldiği gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, CdS films were formed at the base temperature of 325±5 oC using chemical spraying method. Some physical properties of CdS thin films were investigated. The required amounts of cadmium chloride, thiourea and deionized water were used to prepare the solution. The prepared solution was sprayed on the glasses for 15 minutes at a rate of ~15 ml/min-1. The resulting thin films were annealed in air at 250 oC, 300 oC and 350 oC. Forbidden energy ranges of the obtained films were determined by optical method. The forbidden energy ranges of the films varied between 2,42-2,44 eV. By using X-ray diffraction device, the crystal structure analysis of the films, surface conditions with SEM and chemical analysis with EDX were examined. The preferred orientation of the CdS film is seen the direction (002) observed at 2θ= ̃30o. The peaks in the diffraction pattern belong to the hexagonal structure CdS. As a result, it was observed that changes in some physical properties of the obtained CdS thin films were occurred.
Benzer Tezler
- Kimyasal banyo depolama metodu ile elde edilen CDS yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri üzerine tavlama işleminin etkisi
Investigations of some physical properties of CDS semiconductor films obtained by chemical bath deposition method and effects of annealing process
BERKER ALYAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET ŞENOL AYBEK
- CdS yarı iletken bileşiğinin spray pyrolysis yöntemi ile elde edilmesi ve bazı fiziksel özellikleri
Production of CdS semiconductor compound films by spray pyrolysis method and some of their physical properties
ELİF GEDİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN KUL
- Ultrasonik kimyasal püskürtme yöntemiyle elde edilen Mn katkılı CdS filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of some physical properties of Mn doped CdS films grown by ultrasonic spray pyrolysis technique
MERYEM POLAT
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SALİH KÖSE
- Kimyasal banyo biriktirme yöntemiyle üretilen CdS ince filmlerin optiksel,yapısal özelliklerinin ve morfolojisinin nanokarakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
İSMAİL BAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Bilim ve TeknolojiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiNanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLANA CELALETTİN BAYKUL
- Güneş pilleri için kimyasal banyo biriktirme yöntemi ile üretilen ZnO, CdS, PbS ince filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of some physical properties of ZnO, CdS, PbS thin films produced by chemical bath deposition method for solar cells
METEHAN ÖNAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
EnerjiBilecik Şeyh Edebali ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BARIŞ ALTIOKKA