Geri Dön

İnce filmlerde hall efekt tekniği ile manyetorezistans ölçümü

Magnetoresistance measurement of thin film with hall effect technique

PDF İndir

  1. Tez No: 584447
  2. Yazar: AHMET KAYA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. RECEP ŞAHİNGÖZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Mekatronik Mühendisliği, Mechatronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Manyetorezistans, Taşıyıcı yoğunluğu, Mobilite, İnce film, Hall Etki, Magnetoresistance, Carrier density, Mobility, Tiny Film, Hall Effect
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yozgat Bozok Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 87

Özet

Bu çalışmada 9 nm kalınlığındaki tek katmanlı Ni81Fe19 film, Silisyum (Si) alttaş üzerine sıçratma ile biriktirme tekniği ile elde edilmiştir. İlk olarak bu numuneye 300 K sabit sıcaklıkta ±1,4KG aralığında değişen dış manyetik alan uygulanmıştır. Direnci (3,90x10-5 den – 3,83x10-5 Ω cm' e) azalma, taşıyıcı yoğunluğu (1,29x1021 den – 3,03x1021 cm-3 'e) artış ve Hall mobilitesinde (1,24x102 'den - 5.29x101 cm2V-1s-1 'e) azalma gözlemlenmiştir. İkinci olarak numuneye 7,5 KG sabit dış manyetik alanda 20-300 K arasındaki sıcaklıklar uygulandığında dirençte (2,54x10-5 'den – 3.84x10-5 'e Ω cm) artış, taşıyıcı yoğunluğunda (2,99x1021 'den - 1.68x1021 cm-3 'e ) azalma, Hall mobilitesinde (7,98x10 'den – 9,53x10cm2V-1s-1 'e) artma gözlemlenmiştir. Aynı numunenin manyetik alan olmadan direnç değerinin (2,63x10-5 'den – 3,91x10-5 Ω cm 'e) daha yüksek olduğu gözlemlenmiştir. Son olarak 25-350 K sıcaklık aralığında ve her sıcaklık değeri için ± 1,4 KG değişen manyetik alanlarda direnç değişimi izlenmiştir. Manyetik alana bağlı olarak sıcaklığın artması ile direncin azaldığı gözlemlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, monolayer film of Ni81Fe19 which is 9 nm thickness has been grown on Si wafer with sputtering deposition technique. Firstly, the ±1.4 KG variable external magnetic field was applied to this sample at a constant temperature of 300 K. Decrease in resistance (3,90x10-5 - 3.83x10-5 Ω cm), increase in carrier density (1,29x1021 – 3,03x1021cm-3) and decrease in Hall mobility (1,24x102 - 5,29x101 cm2V-1s-1) were observed. Secondly, the 7,5 KG constant external magnetic field was applied between 20-300 K temperature, and following changes were observed; increase in the resistance (2,54x10-5 – 3,84x10-5 Ω cm), decrease in carrier density (2,99x1021 – 1,68x1021cm-3 ) and an increase in the Hall mobility (7,98x10 – 9,53x10cm2V-1s-1 ). It was observed that the same sample had higher resistance value (2,63x10-5 – 3,91x10-5 Ω cm) without a magnetic field. Finally, change in resistance was observed in the ±1,4 KG magnetic field range between 25-350 K temperature value. It was observed that the resistance decreased as the temperature increased due to the magnetic field.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    549378

    Integration of sol-gel derived doped zinc oxide films and solution-processed metal nanoparticles for thin film photodiode and solar cell applications

    İnce film fotodiyot ve güneş hücresi uygulamaları için sol-jel yöntemiyle elde edilen katkılı çinkoksit filmleri ve çözelti-işlemli metal NP'ların entegrasyonu

    MOHAMED NOURI SBETA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnkara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ

  2. Tez No

    538954

    Crystal growth and investigations on the effects of hydrogen doping of Vo 2

    Vo 2 kristal büyütmesı ve hidrojen ile katkılanmasının üzerine incelemeler

    KORAY YAVUZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ TALİP SERKAN KASIRGA

  3. Tez No

    594843

    Elektrokimyasal depozisyon yöntemiyle üretilen ın: CdSe ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerine Se konsantrasyonun etkisinin incelenmesi

    The investigation of effect of Se concentration on the structural, electrical and optical properties of in: CdSe thin films produced by electrochemical deposition method

    GÜRKAN DEĞDAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET PEKSÖZ

  4. Tez No

    439413

    Co/CoO tabanlı ince filmlerde exchange bıas'ın elektrik alan ile kontrolü

    Electric field control of exchange bias in Co/CoO based thin films

    MUSTAFA ÖZTÜRK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NUMAN AKDOĞAN

  5. Tez No

    333013

    TiN ince filmlerde bias voltajına bağlı olarak kalıntı gerilme değişiminin incelenmesi

    The residual stress analysis of TiN thin films depending on changing bias voltage

    BEHZAT DEGE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. NURİ SOLAK

Geri Dön