İnce filmlerde hall efekt tekniği ile manyetorezistans ölçümü
Magnetoresistance measurement of thin film with hall effect technique
- Tez No: 584447
- Danışmanlar: PROF. DR. RECEP ŞAHİNGÖZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Mekatronik Mühendisliği, Mechatronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Manyetorezistans, Taşıyıcı yoğunluğu, Mobilite, İnce film, Hall Etki, Magnetoresistance, Carrier density, Mobility, Tiny Film, Hall Effect
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yozgat Bozok Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 87
Özet
Bu çalışmada 9 nm kalınlığındaki tek katmanlı Ni81Fe19 film, Silisyum (Si) alttaş üzerine sıçratma ile biriktirme tekniği ile elde edilmiştir. İlk olarak bu numuneye 300 K sabit sıcaklıkta ±1,4KG aralığında değişen dış manyetik alan uygulanmıştır. Direnci (3,90x10-5 den – 3,83x10-5 Ω cm' e) azalma, taşıyıcı yoğunluğu (1,29x1021 den – 3,03x1021 cm-3 'e) artış ve Hall mobilitesinde (1,24x102 'den - 5.29x101 cm2V-1s-1 'e) azalma gözlemlenmiştir. İkinci olarak numuneye 7,5 KG sabit dış manyetik alanda 20-300 K arasındaki sıcaklıklar uygulandığında dirençte (2,54x10-5 'den – 3.84x10-5 'e Ω cm) artış, taşıyıcı yoğunluğunda (2,99x1021 'den - 1.68x1021 cm-3 'e ) azalma, Hall mobilitesinde (7,98x10 'den – 9,53x10cm2V-1s-1 'e) artma gözlemlenmiştir. Aynı numunenin manyetik alan olmadan direnç değerinin (2,63x10-5 'den – 3,91x10-5 Ω cm 'e) daha yüksek olduğu gözlemlenmiştir. Son olarak 25-350 K sıcaklık aralığında ve her sıcaklık değeri için ± 1,4 KG değişen manyetik alanlarda direnç değişimi izlenmiştir. Manyetik alana bağlı olarak sıcaklığın artması ile direncin azaldığı gözlemlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, monolayer film of Ni81Fe19 which is 9 nm thickness has been grown on Si wafer with sputtering deposition technique. Firstly, the ±1.4 KG variable external magnetic field was applied to this sample at a constant temperature of 300 K. Decrease in resistance (3,90x10-5 - 3.83x10-5 Ω cm), increase in carrier density (1,29x1021 – 3,03x1021cm-3) and decrease in Hall mobility (1,24x102 - 5,29x101 cm2V-1s-1) were observed. Secondly, the 7,5 KG constant external magnetic field was applied between 20-300 K temperature, and following changes were observed; increase in the resistance (2,54x10-5 – 3,84x10-5 Ω cm), decrease in carrier density (2,99x1021 – 1,68x1021cm-3 ) and an increase in the Hall mobility (7,98x10 – 9,53x10cm2V-1s-1 ). It was observed that the same sample had higher resistance value (2,63x10-5 – 3,91x10-5 Ω cm) without a magnetic field. Finally, change in resistance was observed in the ±1,4 KG magnetic field range between 25-350 K temperature value. It was observed that the resistance decreased as the temperature increased due to the magnetic field.
Benzer Tezler
- Integration of sol-gel derived doped zinc oxide films and solution-processed metal nanoparticles for thin film photodiode and solar cell applications
İnce film fotodiyot ve güneş hücresi uygulamaları için sol-jel yöntemiyle elde edilen katkılı çinkoksit filmleri ve çözelti-işlemli metal NP'ların entegrasyonu
MOHAMED NOURI SBETA
Doktora
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnkara Yıldırım Beyazıt ÜniversitesiElektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ
- Crystal growth and investigations on the effects of hydrogen doping of Vo 2
Vo 2 kristal büyütmesı ve hidrojen ile katkılanmasının üzerine incelemeler
KORAY YAVUZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ TALİP SERKAN KASIRGA
- Elektrokimyasal depozisyon yöntemiyle üretilen ın: CdSe ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerine Se konsantrasyonun etkisinin incelenmesi
The investigation of effect of Se concentration on the structural, electrical and optical properties of in: CdSe thin films produced by electrochemical deposition method
GÜRKAN DEĞDAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET PEKSÖZ
- Co/CoO tabanlı ince filmlerde exchange bıas'ın elektrik alan ile kontrolü
Electric field control of exchange bias in Co/CoO based thin films
MUSTAFA ÖZTÜRK
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NUMAN AKDOĞAN
- TiN ince filmlerde bias voltajına bağlı olarak kalıntı gerilme değişiminin incelenmesi
The residual stress analysis of TiN thin films depending on changing bias voltage
BEHZAT DEGE
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NURİ SOLAK