High power, GaN, quarter-wave length switches for X-band applications
X-bant kullanımı için yüksek güçlü, GaN, çeyrek dalga boyu anahtarlar
- Tez No: 612914
- Danışmanlar: PROF. DR. HATİCE ÖZLEM AYDIN ÇİVİ, DR. FATİH KOÇER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
RF anahtarlar birçok haberleşme ve radar sisteminin yapıtaşlarındandır. Zaman çoğullamalı sistemlerde yüksek güçlü verici yolu ile hassasiyeti yüksek alıcı yolu arasında anahtarlama yaptıklarından düşük araya grime kaybı ve yüksek izolasyon sağlamaları önem arz etmektedir. RF anahtarlar birçok haberleşme ve radar sisteminin yapıtaşlarındandır. Zaman çoğullamalı sistemlerde yüksek güçlü verici yolu ile hassasiyeti yüksek alıcı yolu arasında anahtarlama yaptıklarından, düşük araya girme kaybı ve yüksek izolasyon sağlamaları önem arz etmektedir. Bu tip anahtarlar için düşük araya girme kaybı her iki yol için sinyal gücü kaybını engellerken yüksek izolasyon vericiden alıcıya sinyal sızmasını azaltır. Anahtarlar anten ve verici/alıcı yollarını birbirine bağladıklarından doğrusal olmaları sinyale doğrusal olmayan bileşenler katmamaları açısından ayrıca önemlidir. Anahtarların özellikle radar sistemlerinde kullanıldıklarında yüksek giriş güçlerine dayanıklı olmaları gerekmektedir. Bu tezde X-bant radar uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmış alıcı-verici devresinin bir parçası olarak Silisyum Karbür (SiC) üzerine Galyum Nitrür (GaN) teknolojisi kullanılarak inşa edilmiş tek kutuplu çift atışlı iki anahtar sunulmaktadır. Anahtarların ikisi de 25 Watt'lık giriş gücüne dayanmak üzere tasarlanmıştır. Üretilen Konfigürasyon I X-bandın çoğunda yaklaşık 0.3 dB'lik araya girme kaybı göstermektedir. Çip alanı 2.9 x 2.1 mm2'dir. Konfigürasyon II için ölçüm sonuları, X-bandın çoğunda 50 dB'den yüksek izolasyon sunarken ilgili bandın tamamında 0.8 dB'den daha başarılı araya girme kaybı göstermektedir. İki anahtar da başarılı bir şekilde eşlenmiştir. Anahtarlar için ölçülen dönüş kaybı Konfigürasyon I için 15 dB'den, Konfigürasyon II için 13 dB'den başarılıdır.
Özet (Çeviri)
RF switches are one of the main building blocks of many communication and radar systems. In time-multiplex systems they are used to switch between the high power transmit path and the high sensitivity receive path, and thus needs to exhibit low insertion loss, while achieving high isolation. Low insertion loss for such switches reduces signal degradation on either path, while high isolation reduces signal leakage from the transmitter to the receiver. Since switches are connecting the antenna and the transmit/receive paths, they should also be very linear, in order not to introduce any nonlinearities to the signal. They should be able to handle large input power values, especially when used in radar systems. This thesis presents two single pole double throw switches built on Gallium Nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) technology as a part of transceiver module designed for X-band radar applications. Both of the switches are designed to handle 25 Watts of input power. Fabricated die of Configuration I shows nearly 0.3 dB of insertion loss for most of the part of the band of interest. The die area of the switch is 2.9 x 2.1 mm2. Measurement results of Configuration II exhibits an isolation of better than 50 dB while offering insertion loss better than 0.8 dB for most of the band. Both of the switches are very well matched. Measured return loss of switches are better than 15 dB, and 13 dB, for Configuration I, and Configuration II, respectively, for the frequency band of operation.
Benzer Tezler
- İzmir'de bazı yolların kapatılarak yaya bölgeleri oluşturma da kent peyzajını geliştirme açısından yeniden planlanması üzerinde araştırmalar
Başlık çevirisi yok
BAHAR TÜRKYILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Şehircilik ve Bölge PlanlamaEge ÜniversitesiŞehir ve Bölge Planlama Ana Bilim Dalı
- Atherosklerotik kalp hastalıklarında risk faktörleri
Risk factors in the coronary artery disease
MURAT SUHER
- Diesel motorları yakıt püskürtme sistemlerinin dinamik simülasyonu
Başlık çevirisi yok
İRFAN KARAGÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Makine MühendisliğiUludağ ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OĞUZ BORAT
- Ege bölgesi keçi liflerinin bazı önemli fiziksel, kimyasal özellikleri ve değerlendirme imkanları
Başlık çevirisi yok
NİLÜFER ERDEM
Doktora
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLSEREN YAZICIOĞLU
- Hızlı katılaşma ile yüksek mukavemetli malzemelerin üretilmesi ve kurşun-asit akümalatörlerine uygulanması
Başlık çevirisi yok
ÜMİT AKÇAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Makine MühendisliğiUludağ ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALİM DEMİRCİ