MOS yapıların dielektrik uygulamaları için vanadyum oksit ince filmlerin incelenmesi
Investigation of vanadium oxide thin films for dielectric applications of MOS structures
- Tez No: 613402
- Danışmanlar: DOÇ. DR. OSMAN PAKMA
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Batman Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 128
Özet
Bu çalışmada V3O7 ve V8O15 ince filmler sol-jel daldırma yöntemiyle cam ve p-Si yarıiletken yüzeyler üzerine kaplanmış; AFM ile yüzey yapısı araştırılmış, XRD ile filmlerin polikristal yönelmeleri ve kristal yapıları incelenmiştir. EDX ile filim muhtevası araştırılmış. UV-VIS ölçümleri ile optik özellikleri araştırılmıştır. Elde edilen filmlerden Al/VOx /p-Si/Al MOS yapılar oluşturularak akım-gerilim, kapasite-gerilim-frekans yöntemleriyle elektriksel ve fiziksel özellikler incelenmiştir. İnce filmleri elde etmek için %99 saflıkta V2O5 tozu, HCl, HNO3, H2O2 çözücülerinin farklı birleşimleri içinde çözünerek homojen çözeltiler elde edilmiş ve kaplanacak olan cam veya p-Si yüzey bu çözelti içerisine 600 m/s hızla daldırılmıştır. Bu şekilde kaplanan yüzey öncelikle 300 derece 5 dakika tavlama işlemine tabi tutulmuş 10. kattan sonra 400 ile 500 derece arasında değişen sıcaklıkta 1 saat tavlamaya tabi tutulmuştur. MOS yapılar elde etmek için p-Si üzerine elde edilen filmlerin bir tarafı buharlaştırma yöntemiyle Al kaplanmış, diğer tarafı yine buharlaştırma yöntemiyle delikli maske kullanılarak Al kaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, V3O7 and V8O15 thin films were coated on glass and p-Si semiconductor surfaces by sol-gel dipping method; Surface structure was investigated by AFM, polycrystalline orientation and crystal structure of the films were examined by XRD. Film content was investigated with EDX. Optical properties were investigated by UV-VIS measurements. Al / p-Si / VOx / Al MOS structures were obtained from the obtained films then electrical and physical properties were examined by current-voltage, capacity-voltage-frequency methods. In order to obtain thin films, 99% pure V2O5 powder was dissolved in different combinations of HCl, HNO3, H2O2 solvents. After homogeneous solutions were obtained glass or p-Si surface to be coated was dipped into this solution at 600 m / s. The coated surface was exposed to annealing at 300 degrees for 5 minutes. After the 10th layer coated film annealed for 1 hour at a temperature between 400 and 500 degrees. In order to obtain MOS structures, p-Si substrate were coated with Al by evaporation technique. The other side of the film firstly coated by VOx by the same technique above the film was then coated with Al using a mask.
Benzer Tezler
- Silicon nano-wire fabrication and its applications
Silikon nano-tel üretimi ve uygulamaları
ALEX MUTALE
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiBolu Abant İzzet Baysal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERCAN YILMAZ
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerde dielektrik sabitinin frekans, sıcaklık ve kalınlığa bağlı incelenmesi
The investigation of dielectric constant depending on frequency, temperature and thicknss in metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors
ADEM TATAROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SiO2/p-Si) yapıların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekans ve potansiyele bağlı incelenmesi
The investigation of frequency and voltage dependent electrical and dielectric properties of metal-insulator-semiconductor (Al/SiO2/p-Si) structures
ZEKAYİ SÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Au/SiO2/n-GaAs (MOY) yapıların elektrik ve dielektrik karakteristiklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical and dielectric properties of Au/SiO2/n-GaAs (MOS) structures
MUHARREM GÖKÇEN
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL