Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerde dielektrik sabitinin frekans, sıcaklık ve kalınlığa bağlı incelenmesi
The investigation of dielectric constant depending on frequency, temperature and thicknss in metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors
- Tez No: 85896
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 72
Özet
METAL-OKSİT- YARIİLETKEN (MOS) KAPASITÖRLERDE Dİ ELEKTRİK SABİTİNİN FREKANS, SICAKLIK VE KALINLIĞA BAĞLI İNCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Adem TATAROĞLU GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ARALIK 1999 ÖZET Elektriksel empedans ölçümleri HP 4 192 A LF Empedans Analizmetre (5Hz- 13MHz) ile gerçekleştirildi. MOS yapılardaki yalıtkan SİO2 tabakası termal olarak -300Â-3500Â olarak büyültüldü. Al/Si02/p-Si Metal-Oksit- Yarıiletken (MOS) kapasitörlerin sıcaklığa ve frekansa bağlı dielektrik sabitle'), dielektrik kayıp(e“) ve dielektrik tanjant(tanS) değerleri 20 °C-80 °C sıcaklık aralığında ve lOkHz-lOMHz frekans aralığında incelendi. Bu MOS yapıların dielektrik sabiti, dielektrik kayıp ve dielektrik tanjant değerlerinin frekans, sıcaklık ve yalıtkan oksit tabakasının kalınlığına kuvvetlice bağlı olduğu görüldü. Özellikle 100 kHz altındaki frekans değerlerinde hem e' hem de e”azalan frekansla hemen hemen lineer olarak arttığı gözlendi ve e" ~1 MHz civarında bir pikten geçmektedir. Bilim kodu :404.05.01 Anahtar kelimeler :Metal-oksit-yaniletken, dielektrik sabiti, dielektrik kayıp, dielektrik tanjant Sayfa adedi :6l Tez yöneticisi :Yrd.Doç.Dr. Şemsettin ALTINDAL
Özet (Çeviri)
THE INVESTIGATION OF DIELECTRIC CONSTANT DEPENDING ON FREQUENCY, TEMPERATURE AND THICKNESS IN METAL- OXIDE-SEMICONDUCTOR (MOS) CAPACITORS (M.Sc. Thesis) Adem TATARO?LU GAZI UNIVERSITY INSTITUDE OF SCDZNCE AND TECHNOLOGY DECEMBER 1999 ABSTRACT Electrical impedance measurements have been made with HP 4 192 A LF impedance analyzer (5Hz-13MHz). The samples having thermally grown oxide of -300Â-3500Â are investigated. The temperature and frequency dependence of dielectric constant (e*), dielectric loss (e“) and dielectric tangent (tan5) are studied in the metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors samples in the temperature 2Q°C-80°C and frequency lOkHz-lOMHz range respectively. The values of the dielectric constant (e'), dielectric loss (e”) and dielectric tangent (tan8) of MOS capacitors samples are strongly dependent on the frequency, temperature and thickness. Especially below 100 kHz both e' and e“ increasing with descreasing log frequency and there is a loss peak (s”) about ~1 MHz. Science code : 404.05.01 Key Words : Metal-oxide-semiconductor, dielectric constant, dielectric loss, dielectric tangent Page Number : 61 Adviser : Assist Prof. Şemsettin ALTINDAL
Benzer Tezler
- Metal-oksit ara tabakalı myy yapıların dielektrik özellikleri
Dielectric properties of mis structures with metal-oxide interlayer
MUSTAFA COŞKUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET ALTINDAL
YRD. DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ
- Capacitance voltage spectroscopy in metal-tantalum pentoxide (Ta250)-silicon MOS capacitors
Metal-tantalyum pentoksit (Ta250)-silisyum MOS kapasitörlerin kapasite-gerilim tekniğiyle incelenmesi
PINAR ÖZDAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET GÜNEŞ
- Bükülebilir Al/Al2O3/ZnSe metal oksit yarı iletken aygıtın üretimi, yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyonu
Production of flexible Al/Al2O3/ZnSe metal oxide semiconductor device and its structural, optical and electrical characterization
HALİL GÜRSOY
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT ÇALIŞKAN
- Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerin elektriksel özelliklerinin oksit tabakası kalınlığına bağlı değişimlerinin incelenmesi
Variation of electrical properties of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors depending on oxide layer thickness
CÜNEYT HACIİSMAİLOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE
- Mos (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde kapasitans ölçümleri
Capacitance measurements of mos capacitors
NEBİ MUSTAFA GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT AĞAN