Scanning-probe study of dopant charging in a semiconductor heterostructure
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 622982
- Danışmanlar: PROF. DR. DANIŞMAN YOK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Michigan State University
- Enstitü: Yurtdışı Enstitü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 178
Özet
Although dopant properties are well understood with respect to the bulk, the study of configurations of dopants in small numbers is an emerging field[1, 2]. Moreover, shallow donors and acceptors are analogous to hydrogen atom. Experiments on small numbers of dopants have the potential to be a testing ground for fundamental questions of atomic and molecular physics[3, 4]. Here I present local capacitance measurements of electrons entering silicon donors in a gallium arsenide heterostructure, conducted at liquid helium temperatures. The precise position with respect to tip voltage of the observed single-electron peaks varies with the probe location, reflecting a random distribution of silicon within the donor plane. In addition, three broad capacitance peaks are observed independent of the probe location, indicating clusters of electrons entering the system at approximately the same voltages. These broad peaks are consistent with the addition energy spectrum of donor molecules, effectively formed by nearest-neighbor pairs of silicon donors. We also introduce the local-probe measurements near a lithographically defined gate electrode and at an elevated temperature. Missing and reduced amplitude peaks are observed in the addition spectrum of donor molecules. The missing peaks arise from thermal activation of weakly bound states, enabling them to escape over the potential barrier. The reduction in the amplitude of the donor charging peaks is consistent with a field emission effect. To the best of our knowledge, this is the first scanning probe study of donor atom energy levels near a surface gate.
Özet (Çeviri)
Özet çevirisi mevcut değil.
Benzer Tezler
- Elektrokimyasal yöntem ile ZnO'nun manyetik malzemelerle katkılanması ve optik, elektrik, morfolojik ve yapısal özelliklerinin nanokarakterizasyonu.
Doping of ZnO with magnetic materials by electrochemical method and nanocharacterization of its optical, electrical, morphological and structural properties
TÜLAY ÖZEYRANLI
Doktora
Türkçe
2023
Bilim ve TeknolojiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiNanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLANA CELALETTİN BAYKUL
- CaO-XO-CoO (X= Na, Ba, Sr, La) faz diyagramlarının tespiti ve termoelektrik özelliklerinin incelenmesi
Determination of phase diagrams and investigation of thermoelectrical properties in CaO-XO-CoO (X= Na, Ba, Sr, La) systems
ANIL DEMİRKESEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NURİ SOLAK
- (MgO)x(ZnO)1-x ince filmlerinin üretimi ve karakterizasyonu
Deposition and characterization of (MgO)x(ZnO)1-x thin films
SİNAN TEMEL
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. DERYA PEKER
- Mg katkılı Bi-2223 süperiletkenlerin karakterizasyonu
Characterization of Mg doped Bi-2223 superconductors
OYA ÖZKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KEMAL KOCABAŞ
- Electrochemical synthesis and characterization of polyaniline thin films
İnce polianilin filmlerin sentezi ve karakterizasyonu
DİLEK ÇAKIROĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ESMA SEZER
PROF.DR. A. SEZAİ SARAÇ