Geri Dön

Yüksek verimli ince film güneş hücresi uygulamaları için GaAs epikatmanların si alttaş üzerine büyütülmesi

Growth of GaAs epilayers on si substrate for high efficiency thin film solar cell application

  1. Tez No: 639904
  2. Yazar: MUHAMMED AKTAŞ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Energy, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 97

Özet

Günümüzde GaAs alttaşların tekrar tekrar kullanımına izin veren epitaksiyel film kaldırma (EFK) yöntemine dayalı GaAs tabanlı III-V grubu yarıiletken güneş hücresi teknolojisi fotovoltaik alanında oldukça dikkat çekmektedir. Bu hücre teknolojisi yüksek verimli III-V grubu hücrelerin üretim maliyetini asgari seviyeye indirirken, esnekliği ve hafifliğinin getirdiği işlevsellikler sayesinde birçok pratik uygulama alanında geniş bir kullanım ve yaygınlaşma potansiyeli sunmaktadır. Bu tez çalışmasında GaAs tabanlı III-V grubu esnek ince film güneş hücrelerinin maliyetini çok daha düşük seviyelere çekebilmek için bu hücre teknolojisinin pahalı GaAs alttaş yerine ucuz ve gelişmiş Si alttaşlar üzerinden geliştirilmesi amaçlanmıştır. Si üzerine kaliteli heteroepitaksiyel büyütme yapabilmek için 3 farklı yapıda kusur azaltıcı tampon katmanlar tasarlanmıştır. Bunlar; kuantum nokta, gergin katmanlı süperörgü ve termal döngüde farklı büyütme sıcaklılarında büyütülmüş GaAs yaklaşımlarıdır. Tasarlanan esnek ince film GaAs güneş hücreleri yapıları bu tampon katmanlar kullanılarak Si alttaşlar üzerine moleküler demet epitaksiyel büyütme sistemi kullanılarak büyütülmüştür. Tampon tabakaların ve güneş hücrelerinin optiksel ve yapısal karakterizasyonları film kaldırma işlemi öncesi ve sonrasında yapılarak aktif hücre epikatman filmlerin kalite ve kusur yoğunluğu analizleri yapılmıştır. EFK yöntemiyle esnek ince film GaAs güneş hücrelerinin ilk defa Si alttaşlar üzerinden fabrikasyonu yapılmış ve test edilmiştir.

Özet (Çeviri)

Today, GaAs-based III-V group semiconductor solar cell technology based on epitaxial film lift -off (ELO) method, which allows the repeated use of GaAs substrates for sequential growth, draws a significant in photovoltaic area. While this cell technology minimizes the production cost of highly efficient III-V group cells, it offers a wide usage and widespread potential in many practical applications due to the functionalities brought by its flexibility and lightweightness. In this thesis, to make substantial decrease in GaAs based flexible thin film group III-V solar cell costs, these cell technologies have been aimed to developed over the matured and cheap Si substrates instead of over expensive GaAs substrates. Three different dislocation filters were designed and tested to achieve high quality heteroepitaxial growth on Si: Quantum dot, strained layer superlattice and growth at different temperature in thermal cycle. The designed flexible thin film GaAs solar cell structures were grown with these buffer layers on Si substrates using molecular beam epitaxial (MBE) system. Optical and structural characterizations of buffer layers and solar cell structures were performed before and after thin film lift-off process, and quality and defect density analysis of active cell epitaxial films were done. Using ELO method, flexible thin film GaAs solar cells were fabricated and tested for the first time over Si substrates

Benzer Tezler

  1. Fabrication and characterization of thin-film GaAs solar cells peeled-off from Si substrates

    Si alttaş üzerinden kaldırılan ince film GaAs güneş hücrelerinin fabrikasyonu ve karakterizasyonu

    ALİ BÜYÜKPINAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI

  2. Development of titanium oxide thin film as electron selective passivating contact in N-type silicon solar cells

    N-tipi silikon güneş hücrelerinde elektron seçici pasivasyon temasında titanyum oksit ince filmin geliştirilmesi

    NASER BEYRAGHI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Bilim ve TeknolojiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

  3. Perovskite güneş hücreleri için tiyenotiyofen türevli materyallerin sentezi ve özelliklerinin incelenmesi

    Synthesis and investigation of thienothiophene based materials for perovskite solar cells applications

    MELİS ÜNAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TURAN ÖZTÜRK

  4. Sb2Se3 absorber layered solar cell fabrication and characterization

    Sb2Se3 soğurucu katmanlı güneş hücresi üretimi ve karakterizasyonu

    SEHER HAZAL KURTULDU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Enerjiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Enerji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜLNUR AYGÜN ÖZYÜZER

    DOÇ. DR. ENVER TARHAN

  5. Grafen tabanlı demir sülfür (FeS2) ince film yarıiletkeninin sentezlenerek yapısal optiksel karakterizasyonunun yapılması ve boya ile duyarlı güneş hücrelerinde karşıt elektrot olarak kullanılması

    Synthesis of grafen based iron sulfur (FeS2) thin film semiconductor for investigating the structural and optical characterization and using as a counter electrode in dye sensitized solar cells

    MANSUR AŞGIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    EnerjiYalova Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BAYRAM KILIÇ