Geri Dön

Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda optik dalgalar

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 66233
  2. Yazar: AYŞE EROL
  3. Danışmanlar: PROF.DR. M. ÇETİN ARIKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1997
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 84

Özet

rv öz“Düşük Boyutlu Yarıiletken Yapılarda Optik Olaylar”Bu çalışmada, düşük boyutlu yarıiletken yapıların bazı özellikleri elipsometri yöntemi ile incelenmiştir. Elipsometri, genel olarak polarize olmuş elektromanyetik dalgaların polarizasyon durumlarının ölçülmesi olarak tarif edilebilmektedir. Elipsometri, bu yapıların optik özellikleri ve tabaka kalınlıklarının belirlenmesinde duyarlı ve hasarsız bir yöntemdir. Deneylerde,“Moleculer Beam Epitaxy (MBE)”yöntemi ile büyütülmüş olan GaAs/Gaı.xAlxAs düşük boyutlu yarıiletken yapılar kullanıldı. Elipsometrik ölçümler, 1.55eV - 1.9eV foton enerji bölgesinde yapılmıştır. Elipsometrik ölçümlerden elde edilen sonuçlar, elipsometrinin kuantum kuyularında meydana gelen geçişleri belirleyebildiğini göstermiştir. Tabaka kalınlıklarının ve Al konsantrasyonunun değişken parametreler olarak alınmasıyla, bu eksitonik geçişlere karşılık gelen enerji değerleri bulunmuştur. Elipsometrik parametrelerden yararlanarak, bu yapıların etkin kırılma indisi ve söndürme katsayıları da hesaplanabilmektedir. Aynı enerji bölgesinde, bu optik sabitlerin de değişimleri incelendi. Elde edilen bu sonuçlar, bu sabitlerdeki değişimlerde de eksitonik geçişlerin gözlenebildiğini göstermiştir.

Özet (Çeviri)

V ABSTRACT“ Optical Processes in Low Dimensional Semiconductor Structures”In this study, some optical properties of low dimensional semiconductor structures have been investigated by ellipsometry. Ellipsometry can generally be as a measurement of the state of polarization of electromagnetic waves. Ellipsometry is a sensitive and non-destructive method for determining optical properties and layer thicknesses of these structures. In the investigations, GaAs/Gai.xAlxAs low dimensional semiconductor structures grown by“Moleculer Beam Epitaxy (MBE)”have been used. Ellipsometric measurements have been done between 1.5eV and 1.9eV photon energy range. The results obtained from ellipsometric measurements showed that ellipsometry can be used to determine excitonic transitions that occur in the quantum wells of low dimensional semiconductor structures. By taking the layer thicknesses and Al concentration as adjustable parameters, the energy levels corresponding to these excitonic transitions have been calculated. The effective refraction index and extinction coefficient can also be calculated using the ellipsometric parameters. The variations at these optical parameters have been investigated in the range of interest and the results indicate that excitonic transitions exist.

Benzer Tezler

  1. Düşük simetri ve derecelendirilmiş kırılma indisine sahip fotonik kristallerin spektral analizi

    Spectral analyses of low-symmetric and graded index photonic crystals

    İBRAHİM HALİL GİDEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAMZA KURT

  2. Photonic crystal engineering for light manipulation: Low symmetry, index gradient and parity-time symmetry

    Fotonik kristal mühendisliği ile ışığın kontrolü: Düşük simetri, derecelendirilmiş kırılma indisi ve parite zaman simetrisi

    MİRBEKK TURDUEV

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAMZA KURT

  3. Tunnelling induced photon emission from surface/interface systems of graphene on copper

    Tünelleme akımıyla indüklenen bakır üstü grafen yüzey/arayüz sistemlerinin foton emisyonu

    HAKKI TUNÇ ÇİFTÇİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OĞUZHAN GÜRLÜ

  4. Bakır/gümüş/çinko oksit (CuAg/ZnO) partiküllerinin ultrasonik sprey piroliz yöntemiyle üretimi

    Production of CuAg/ZnO nanocomposite particles by ultrasonic sprey pyrolysis

    TOLGA ÇAKMAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEBAHATTİN GÜRMEN

  5. Düşük boyutlu yarı iletken heteroyapılarda elektronik ve optik özelliklerin alan altındaki değişimi

    The Field dependence of the electronic and optical properties in the low dimensional semiconductor heterostructure

    ESİN KASAPOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN