Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda optik dalgalar
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 66233
- Danışmanlar: PROF.DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1997
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 84
Özet
rv öz“Düşük Boyutlu Yarıiletken Yapılarda Optik Olaylar”Bu çalışmada, düşük boyutlu yarıiletken yapıların bazı özellikleri elipsometri yöntemi ile incelenmiştir. Elipsometri, genel olarak polarize olmuş elektromanyetik dalgaların polarizasyon durumlarının ölçülmesi olarak tarif edilebilmektedir. Elipsometri, bu yapıların optik özellikleri ve tabaka kalınlıklarının belirlenmesinde duyarlı ve hasarsız bir yöntemdir. Deneylerde,“Moleculer Beam Epitaxy (MBE)”yöntemi ile büyütülmüş olan GaAs/Gaı.xAlxAs düşük boyutlu yarıiletken yapılar kullanıldı. Elipsometrik ölçümler, 1.55eV - 1.9eV foton enerji bölgesinde yapılmıştır. Elipsometrik ölçümlerden elde edilen sonuçlar, elipsometrinin kuantum kuyularında meydana gelen geçişleri belirleyebildiğini göstermiştir. Tabaka kalınlıklarının ve Al konsantrasyonunun değişken parametreler olarak alınmasıyla, bu eksitonik geçişlere karşılık gelen enerji değerleri bulunmuştur. Elipsometrik parametrelerden yararlanarak, bu yapıların etkin kırılma indisi ve söndürme katsayıları da hesaplanabilmektedir. Aynı enerji bölgesinde, bu optik sabitlerin de değişimleri incelendi. Elde edilen bu sonuçlar, bu sabitlerdeki değişimlerde de eksitonik geçişlerin gözlenebildiğini göstermiştir.
Özet (Çeviri)
V ABSTRACT“ Optical Processes in Low Dimensional Semiconductor Structures”In this study, some optical properties of low dimensional semiconductor structures have been investigated by ellipsometry. Ellipsometry can generally be as a measurement of the state of polarization of electromagnetic waves. Ellipsometry is a sensitive and non-destructive method for determining optical properties and layer thicknesses of these structures. In the investigations, GaAs/Gai.xAlxAs low dimensional semiconductor structures grown by“Moleculer Beam Epitaxy (MBE)”have been used. Ellipsometric measurements have been done between 1.5eV and 1.9eV photon energy range. The results obtained from ellipsometric measurements showed that ellipsometry can be used to determine excitonic transitions that occur in the quantum wells of low dimensional semiconductor structures. By taking the layer thicknesses and Al concentration as adjustable parameters, the energy levels corresponding to these excitonic transitions have been calculated. The effective refraction index and extinction coefficient can also be calculated using the ellipsometric parameters. The variations at these optical parameters have been investigated in the range of interest and the results indicate that excitonic transitions exist.
Benzer Tezler
- Düşük simetri ve derecelendirilmiş kırılma indisine sahip fotonik kristallerin spektral analizi
Spectral analyses of low-symmetric and graded index photonic crystals
İBRAHİM HALİL GİDEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiTOBB Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAMZA KURT
- Photonic crystal engineering for light manipulation: Low symmetry, index gradient and parity-time symmetry
Fotonik kristal mühendisliği ile ışığın kontrolü: Düşük simetri, derecelendirilmiş kırılma indisi ve parite zaman simetrisi
MİRBEKK TURDUEV
Doktora
İngilizce
2015
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiTOBB Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAMZA KURT
- Tunnelling induced photon emission from surface/interface systems of graphene on copper
Tünelleme akımıyla indüklenen bakır üstü grafen yüzey/arayüz sistemlerinin foton emisyonu
HAKKI TUNÇ ÇİFTÇİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OĞUZHAN GÜRLÜ
- Bakır/gümüş/çinko oksit (CuAg/ZnO) partiküllerinin ultrasonik sprey piroliz yöntemiyle üretimi
Production of CuAg/ZnO nanocomposite particles by ultrasonic sprey pyrolysis
TOLGA ÇAKMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEBAHATTİN GÜRMEN
- Düşük boyutlu yarı iletken heteroyapılarda elektronik ve optik özelliklerin alan altındaki değişimi
The Field dependence of the electronic and optical properties in the low dimensional semiconductor heterostructure
ESİN KASAPOĞLU
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN