Computer aided design of microwave power amplifiers
Mikrodalga güç yükselteçlerinin bilgisayar destekli tasarımı
- Tez No: 68446
- Danışmanlar: PROF. DR. NİLGÜN GÜNALP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yük Çekme (YÇ), GüçYükselteç(GY), Doğrusal Olmayan Model iv, Load-Pull (LP), Power Amplifier (PA), Nonlinear Models(NM) m
- Yıl: 1997
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 115
Özet
öz MİKRODALGA GÜÇ YÜKSELTEÇLERİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ TASARIMI Özme, Mustafa Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Nilgün Günalp Aralık 1997, 101 sayfa İki farklı tipte yüksek frekans güç yükselteci (GY), yük çekme (YÇ) yöntemi kullanılarak tasarlanmıştır. Bu devrelerden birincisinde BJT ikincisisinde ise GaAs MESFET transistörleri kullanılmıştır.Her iki yükselteçin tasarımları belirtilen aşamalarda gerçekleştirilmiştir: (1) yükselteçlerin bloklarının belirlenmesi (2) yük çekme yönteminin bilgisayar ortamında simule edilmesi ve transistörlerin giriş ve çıkış empedanslarının doğrusal olmayan modellerinden elde edilmesi (3) elde edilen empedans bilgisinde uyumlama devrelerinin tasarlanması ve başlangıç yükseltecinin belirlenmesi (4) tasarlanan yükselteçin istenilen performası sağlaması için optimize edilmesi (5) elde edilen son yükselteçin kurulması ve test edilmesi. Yükselteçlerden BJT transistörlerle tasarlanan devrenin simulasyon sonucuna göre frekans bandı boyunca çıkış gücü 25 dBm'den fazla, verimlilik 35%, harmonik seviyesi -30 dBm'den daha iyi ve kazancı 22 dB'dir. BJT yükselteci 0.5 mm FR4 kart üzerine kurularak test edilmiştir. Bu test sonuçlarına göre çıkış gücü 24.5 dBm'den fazla, verimliliği 33 % ve harmonik seviyeleri -30 dBm'den daha iyi ve kazancı 21.5-21.8 dB arasında ölçülmüştür. GaAs MESFET modelleri kullanılarak tasarlanan yükselteç ise simulasyon sonuçlarına göre 9.4-9.6 GHz frekans bandı boyunca 26 dBm çıkış gücü, 31 dB gain ve 32 % verimlilikle elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT COMPUTER AIDED DESIGN OF MICROWAVE POWER AMPLIFIERS Özme, Mustafa M.S., Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Prof. Dr. Nilgün Günalp December 1997, 101 pages Two different high frequency power amplifiers(PA) are designed by using the load-pull(LP) method. One of them is a narrowband BJT amplifier operating at 1.88-1.9 GHz, and the other is designed using GaAs MESFET to operate in the frequency range 9.4-9.6 GHz. The design for each amplifier consists of the following steps: (1) Specifying the line-up of the amplifier; (2) Load-Pull simulation of the transistors to get the the required input and output impedances at the specified power levels, gain, and efficiency and (3) Matching of the impedances and initial amplifier design; (4) Optimization of the amplifier, and finally (5) construction and the test of the amplifier. Steps (2), (3) and (4) are performed on the nonlinear simulator LIBRA by using the nonlinear models(NM) of the transistors for both amplifiers. The BJT amplifier is constructed on a 0.5 mm FR4 PCB material and tested. According to the computer simulation, output power is 25 dBm, efficiency is 35%, harmonic levels are less than -30 dBm and gain is 22 dB. The measured results are more than 24.5 dBm output power, better than 33% power added efficiency, less than -30 dBm harmonic levels, and gain is between 21.5-21.8 dB. The GaAs amplifier is designed for a gain of more than 30 dB, output power more than 26 dBm with a power added efficiency of 32 %.
Benzer Tezler
- Improving the efficiency of microwave power amplifiers without linearity degradation using load and bias tuning in a new configuration
Mikrodalga güç yükselteçler için yeni bir konfigürasyonda yük ve besleme ayarı ile doğrusallığı düşürmeden verimlilik artırılması
AMİN RONAGHZADEH
Doktora
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞİMŞEK DEMİR
- Bir geniş bantlı mikrodalga güç yükseltecinin doğrusal olmayan eleman modeli kullanılarak tasarlanması
Design of a wideband microwave power amplifier using non-linear device model
SEDAT KILINÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İBRAHİM AKDUMAN
PROF. DR. BEKİR SIDDIK BİNBOĞA YARMAN
- Yüksek verimli ince film tabanlı F-sınıfı güç kuvvetlendiricisi tasarımı ve gerçeklenmesi
High efficiency thin film based class-F power amplifier design and implementation
ALPEREN TUNÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELÇUK PAKER
- Yüksek verimli ve geniş bantlı güç kuvvetlendirici tasarımı
High efficient and wideband power amplifier design
BURAK ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN YAZGI
- Geniş bandlı empedans uydurucu devre tasarımı için genişletilmiş frekans bandı yaklaşımı ile çözüm
Extended frequency band approach for broad band impedance metching circuit design
ELVAN BANU SALTIK
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI