Geri Dön

Design of a wideband linear voltage variable attenuator using MMIC technology

MMIC teknolojisi kullanılarak yapılan geniş bantlı ve doğrusal gerilim değişimli bir zayıflatıcı tasarımı

  1. Tez No: 68505
  2. Yazar: MEHMET ALİ ÜNVER
  3. Danışmanlar: PROF. DR. NİLGÜN GÜNALP
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MMIC, MESFET Modellemesi, MMIC, VVA, MESFET Modelling 111
  7. Yıl: 1997
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 97

Özet

Geniş bantlı ve doğrusal gerilim değişimli bir zayıflatıcı (W A) tek tabana oturtulmuş tümleşik devre teknolojisi (MMIC) kullanılarak tasarlanmıştır. Var olan zayıflatıcı devrelerinin çoğunda (dB) cinsinden ölçülen zayıflatma ve kontrol gerilimi arasındaki doğrusal bağıntıyı elde etmek için, tasarım elemanlarının güvenilirliğini azaltan ve karmaşık hale getiren harici etkin doğrusallaştırma devreleri kullanılmıştır. Bu çalışmada doğrusallaştırma, birçok sayıdaki alan-etkili transistorun (FET) özel bir şekilde bağlanması sonucunda, kanal direnci eşik-kaynak geriliminin bilinen bir fonksiyonu olan bileşik bir FET yapısının elde edilmesiyle başarılmıştır.Tasarım ve optimizasyon, bilgisayar-destekli tasarım (CAD) aracı olarak LIBRA yazılımının kullanılmasıyla gerçekleştirilmiştir.Devre yongası GEC- Marconi firmasının F20 işleme kurallarına göre hazırlanmıştır. Zayıflatıcının etkin alam yaklaşık olarak 1.9 mm 'dir. Bilgisayardan elde edilen simulasyon sonuçlarına göre 2-18 GHz frekans bandı boyunca zayıflatma 2 ile 12 dB arasında ayarlanabilmektedir. Zayıflatmanın düzgünlüğü 0.5 dB'den, giriş ve çıkış geri dönüş kayıpları ise 15 dB'den iyidir.

Özet (Çeviri)

A wideband, linear voltage variable attenuator (W A) is designed using Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) technology. To achieve a linear relationship between the attenuation measured in (dB) and the control voltage, most of the existing attenuator circuits employ external active linearization circuitry which complicates the component and reduces reliability. In this work, linearization is achieved by connecting a number of field-effect transistor (FET) segments in a special fashion to form a composite FET whose channel resistance is a prescribed function of its gate-to-source voltage. The design and optimization is carried out by using LIBRA software as a computer-aided design (CAD) tool. The circuit layout is prepared by GEC-Marconi's F20 Process Rules. The active chip area of the attenuator is about 1.9 mm. According to the computer simulation results the attenuation can be varied from 2 dB to 12 dB over 2-18 GHz frequency range. Attenuation flatness is better than 0.5 dB, and the input and output return losses are better than 15 dB.

Benzer Tezler

  1. Üstel fonksiyon için yeni bir yaklaşım kullanarak CMOS kazancı ayarlanabilir kuvvetlendirici tasarımı

    Design of CMOS variable gain amplifier using a new exponential function approximation

    MUHAMMET SAİT ALTUNER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN YAZGI

  2. Mikroişlemci kontrollu dipolmetre

    Mikroprocessor controlled dipolmeter

    NİL B. TARIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ. DR. HAKAN KUNTMAN

  3. Kısmi yüklü dalgakılavuzları ile mikrodalga cihazı tasarımının ters saçılma ve optimizasyon problemi olarak incelenmesi

    Analysis of partially filled waveguides for the synthesis of microwave devices as an inverse and optimization problem

    AHMET AYDOĞAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FUNDA AKLEMAN YAPAR

  4. An ultra low-power IR-UWB transmitter in 130nm CMOS with digitally controlled pulse generator

    Başlık çevirisi yok

    AHMED JALAL HAMAD ALSHUWAYHIDI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Bilgi Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ OKAN ZAFER BATUR

  5. Design of differential transimpedance amplifier in SiGe BiCMOS for 10 Gbit/s fiber optical receivers

    10 Gbit/s fiber optik alıcılar için SiGe BiCMOS farksal geçiş-empedansı kuvvetlendiricisi tasarımı

    YUNUS AKBEY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI