Design of a wideband linear voltage variable attenuator using MMIC technology
MMIC teknolojisi kullanılarak yapılan geniş bantlı ve doğrusal gerilim değişimli bir zayıflatıcı tasarımı
- Tez No: 68505
- Danışmanlar: PROF. DR. NİLGÜN GÜNALP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MMIC, MESFET Modellemesi, MMIC, VVA, MESFET Modelling 111
- Yıl: 1997
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 97
Özet
Geniş bantlı ve doğrusal gerilim değişimli bir zayıflatıcı (W A) tek tabana oturtulmuş tümleşik devre teknolojisi (MMIC) kullanılarak tasarlanmıştır. Var olan zayıflatıcı devrelerinin çoğunda (dB) cinsinden ölçülen zayıflatma ve kontrol gerilimi arasındaki doğrusal bağıntıyı elde etmek için, tasarım elemanlarının güvenilirliğini azaltan ve karmaşık hale getiren harici etkin doğrusallaştırma devreleri kullanılmıştır. Bu çalışmada doğrusallaştırma, birçok sayıdaki alan-etkili transistorun (FET) özel bir şekilde bağlanması sonucunda, kanal direnci eşik-kaynak geriliminin bilinen bir fonksiyonu olan bileşik bir FET yapısının elde edilmesiyle başarılmıştır.Tasarım ve optimizasyon, bilgisayar-destekli tasarım (CAD) aracı olarak LIBRA yazılımının kullanılmasıyla gerçekleştirilmiştir.Devre yongası GEC- Marconi firmasının F20 işleme kurallarına göre hazırlanmıştır. Zayıflatıcının etkin alam yaklaşık olarak 1.9 mm 'dir. Bilgisayardan elde edilen simulasyon sonuçlarına göre 2-18 GHz frekans bandı boyunca zayıflatma 2 ile 12 dB arasında ayarlanabilmektedir. Zayıflatmanın düzgünlüğü 0.5 dB'den, giriş ve çıkış geri dönüş kayıpları ise 15 dB'den iyidir.
Özet (Çeviri)
A wideband, linear voltage variable attenuator (W A) is designed using Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) technology. To achieve a linear relationship between the attenuation measured in (dB) and the control voltage, most of the existing attenuator circuits employ external active linearization circuitry which complicates the component and reduces reliability. In this work, linearization is achieved by connecting a number of field-effect transistor (FET) segments in a special fashion to form a composite FET whose channel resistance is a prescribed function of its gate-to-source voltage. The design and optimization is carried out by using LIBRA software as a computer-aided design (CAD) tool. The circuit layout is prepared by GEC-Marconi's F20 Process Rules. The active chip area of the attenuator is about 1.9 mm. According to the computer simulation results the attenuation can be varied from 2 dB to 12 dB over 2-18 GHz frequency range. Attenuation flatness is better than 0.5 dB, and the input and output return losses are better than 15 dB.
Benzer Tezler
- Üstel fonksiyon için yeni bir yaklaşım kullanarak CMOS kazancı ayarlanabilir kuvvetlendirici tasarımı
Design of CMOS variable gain amplifier using a new exponential function approximation
MUHAMMET SAİT ALTUNER
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN YAZGI
- Mikroişlemci kontrollu dipolmetre
Mikroprocessor controlled dipolmeter
NİL B. TARIM
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. HAKAN KUNTMAN
- Kısmi yüklü dalgakılavuzları ile mikrodalga cihazı tasarımının ters saçılma ve optimizasyon problemi olarak incelenmesi
Analysis of partially filled waveguides for the synthesis of microwave devices as an inverse and optimization problem
AHMET AYDOĞAN
Doktora
Türkçe
2017
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FUNDA AKLEMAN YAPAR
- An ultra low-power IR-UWB transmitter in 130nm CMOS with digitally controlled pulse generator
Başlık çevirisi yok
AHMED JALAL HAMAD ALSHUWAYHIDI
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Bilgi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ OKAN ZAFER BATUR
- Design of differential transimpedance amplifier in SiGe BiCMOS for 10 Gbit/s fiber optical receivers
10 Gbit/s fiber optik alıcılar için SiGe BiCMOS farksal geçiş-empedansı kuvvetlendiricisi tasarımı
YUNUS AKBEY
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI