Bias current stabilization of laser dioses using real time derivative measurement
Laser diyot kutuplanma akımının gerçek zamanlı türev kullanılarak dengelenmesi
- Tez No: 68795
- Danışmanlar: PROF. DR. RÜYAL ERGÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Laser Diyot. Laser Diyot Sürücüleri, Termoelektrik Soğutucu iv, Laser Diodes. Laser Diode Drivers, Thermoelectric Coolers (TEC)
- Yıl: 1997
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 116
Özet
oz UZUNCA, Emre B. Yüksek Lisans. Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Rüyal ERGÜL Aralık 1997, 104 sayfa Bu çalışmada. -10°C ve +40°C arasında çalışabilen ve lazer diyot kutuplama akımını denetleyen iki adet devre tasarlanmış ve devreler ayrık elemanlarla baskı devre kartı üzerinde gerçekleştirilmişlerdir. Çalışma sıcaklığı aralığı içerisinde, bu devrelerden, gerçek zamanlı türev alma (GZTA) yöntemiyle çalışanı, kapalı konumundaki optik gücü 200uW'ın %50"si içerisinde, optik geribesleme yoluyla çalışan diğeri ise %1 içerisinde kontrol etmektedir. Devreler ±12V besleme geriliminden çalışmaktadırlar. Ayrıca, lazer diyot sıcaklığını sabit tutmak için kullanılabilecek bir termoelektrik soğutucu denetleyici de tasarlanmıştır. Bu devre, ortam sıcaklığı 27°C'ken. lazer diyot sıcaklığını +18°C'dan +39°C'a kadar değiştirmek için kullanılabilmektedir. Lazer diyot için SPICE benzetim modeli geliştirilmiş ve bu model kullanılarak tasarlanan devrelerin benzetimleri SPICE ile yapılmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT BIAS CURRENT STABILIZATION OF LASER DIODES USING REAL TIME DERIVATIVE MEASUREMENTS UZUNCA, Emre B. M.S. in Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Prof. Dr. Rüyal ERGÜL December 1997, 104 pages In this study, two laser diode bias controller circuits that can operate between -10°C to +40°C ambient temperature are designed and implemented using discrete components on printed circuit boards. One of the circuits, which use Real Time Derivative Measurement (RTDM) technique, controls the off level optical power within 50% of 200u, W, while for the other circuit which uses optical feedback output change is less than 1% in the operating temperature range. Both circuits operate from supply voltages of ±12V. In addition to these, a controller for thermoelectric coolers is designed which can be used to stabilize the temperature of the laser diodes. The circuit can be used to set the temperature of the laser diode between +18°C to +39°C at an ambient temperature of 27°C. A laser diode SPICE model is also developed and simulation of the circuits used in the laser driver is made using SPICE.
Benzer Tezler
- Design of a si-pin based gamma detector used for the assessment of environmental radioactivity
Çevresel radyasyon seviyesinin ölçümü için kullanılabilecek sı-pın bazlı bir gama dedektörünün tasarımı
GÖKÇEN TATAROĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENAP ŞAHABETTİN ÖZBEN
- Spacecraft attitude control by using Evans Root Locus technique
Evans Root Locus kontrol tekniği kullanarak uydu durum kontrolü
HİCABİ CAVENT
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Havacılık Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiUçak Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. A. RÜSTEM ASLAN
- Au/Ca3Co4Ga0,001Ox/n-Si yapılarda doğru ve ters beslem akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin 80-340 K sıcaklık aralığında incelenmesi
FORWARD AND REVERSE BIAS CURRENT-VOLTAGE (I-V) CHARACTERISTICS OF Au/Ca3Co4Ga0,001Ox/n-Si STRUCTURES IN TEMPERATURE RANGE OF 80-340 K
ELİF MARIL
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Al/HfO2/p-Si (MIS) yapının elektriksel ve dielektrik özelliklerinin sıcaklık ve radyasyona bağlı incelenmesi
The investigation of temperature and radiation dependent electrical and dielectric characteristics of Al/HfO2/p-Si (MIS) structure
SEDA BENGİ
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET MAHİR BÜLBÜL
- Au/n-Si(111) Schottky kontakların elektriksel karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında incelenmesi
The investigation of electrical characteristics of Au/n-Si (111) Schottky barrier diodes (SBDs) in the wide temperature range
BURCU ÇUHA
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ