Geri Dön

CdS/CdTe güneş hücrelerinde pencere ve soğurma katmanlarına selenyum katkısının hücre performansına etkisinin incelenmesi

Investigation of the effect of selenium addition to window and absorption layers on cell performance in CdS/CdTe solar cells

  1. Tez No: 690311
  2. Yazar: ALİ ÇİRİŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. EMİN BACAKSIZ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Energy, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Karadeniz Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Yenilenebilir Enerji Kaynakları
  12. Bilim Dalı: Teknolojileri Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 190

Özet

Bu tez çalışmasının birinci kısmında ısıl işlemin CdS/CdSe pencere tabakalarının karakteristiği ve hücre performansı üzerine etkisi incelendi. CdS/CdSe ikili yapılarında, 10 dakikaya kadar uygulanan ısıl işlem sonucunda, kübik CdS ve CdSe fazlarının oluştuğu görüldü. Bununla birlikte CdCl2 varlığında 10 dk. ısıl işlemden sonra CdSSe alaşımının oluştuğu ve başlangıçtaki kübik yapının hekzagonale dönüştüğü belirlendi. CdSe/CdTe, CdS/CdTe ve CdS/CdSe/CdTe yapılarına sahip güneş hücrelerinden sırasıyla % 8,39; %10,12 ve %11,47 verim elde edildi. Pencere tabakası olarak CdS/CdSe yapısının kullanılmasının aygıtın uzun dalga boyu tepkisini iyileştirerek kısa devre akım yoğunluğunu arttırdığı görüldü. İkinci kısımda, CdSexTe1-x alaşımlarının özellikleri incelenerek, CdS/CdSexTe1-x/CdTe aygıt yapısının hücre parametrelerine etkisi incelendi. CdSexTe1-x alaşımlarında, Se-konsantrasyonunun artmasıyla kristal yapının kübikten karışık faza (kübik+hekzagonal) dönüştüğü bulundu. Alaşımların optik bant aralığı değerleri, eğilme etkisinin varlığını ortaya koydu. Aygıtlarda kullanılan CdSexTe1-x ince filmlerinin (CST-20, CST-25, CST-30) aşamalı bir alaşım yapısına ve yaklaşık olarak optimum bant aralığına sahip olduğu görüldü. Son olarak CST-20/CdTe, CST-25/CdTe ve CST-30/CdTe yapılarına sahip güneş hücrelerinden sırasıyla % 9,59; %11,69 ve %10,13 verim elde edildi. Aygıt yapısında CdTe soğurma tabakasının ön-tarafında bir CdSexTe1-x alaşım tabakası kullanmanın, kısa devre akım yoğunluğunu arttırdığı gösterildi.

Özet (Çeviri)

In the first part of this thesis, the effect of heat treatment on the characteristics of CdS/CdSe window layers and the cell performance was investigated. It was observed that cubic CdS and CdSe phases were formed in CdS/CdSe bilayer structures as a result of heat treatment applied for up to 10 minutes. However, after 10 minutes of heat treatment in the presence of CdCl2, CdSSe alloy was formed and the initial cubic structure turned into hexagonal. Solar cells with CdSe/CdTe, CdS/CdTe and CdS/CdSe/CdTe stacks yielded 8.39%, 10.12% and 11.47% efficiency, respectively. Using a CdS/CdSe window layer in solar cell structure increased the short-circuit current density by improving the long wavelength response of the device. In the second part, the effects of CdS/CdSexTe1-x/CdTe device structure on cell parameters were investigated by examining the properties of CdSexTe1-x alloys. In CdSexTe1-x alloys, the crystal structure changed from cubic to mixed phase (cubic+hexagonal) with increasing Se-concentration. The optical band gap values of the alloys revealed the existence of bowing effect. It was showed that CdSexTe1-x thin films (CST-20, CST-25, CST-30) used in devices have a graded alloy structure and nearly optimum band gap. Finally, the efficiencies of solar cells with CST-20/CdTe, CST-25/CdTe and CST-30/CdTe structures were obtained as 9.59%, 11.69% and 10. 13%, respectively. These results shows that CdSexTe1-x alloy layer in front of the CdTe absorption layer in the device structure can be concluded the short circuit current density.

Benzer Tezler

  1. MOCVD ile üretilen ince film CdTe güneş hücresi ve mini modül fotovoltaik cihazlarının performans karakterizasyonu ve scaps modellemesi

    Performance characterization and scaps modelling of thin film CdTe solar cell and mini module photovoltaic devices fabricated by MOCVD

    ALİ KAZİM GÜRLEK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ŞADİ YILMAZ

  2. CdS/CdTe güneş hücrelerinde MoS2 ince filminin ara tabaka olarak kullanılması ve etkisi

    The use and effects of MoS2 thin film as interlayer in CdS/CdTe solar cells

    ARİFE EFE GÖRMEZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    EnerjiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ERDAL SÖNMEZ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MÜCAHİT YILMAZ

  3. Optical and electrical design guidelines of nanostructured CdTe solar cells

    Nanoyapılı CdTe güneş hücreleri için optik ve elektriksel tasarım kılavuzu

    CAN ÖZCAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SELÇUK YERCİ

  4. Efficiency studies of Cu2ZnSnS4 thin film solar cell

    Cu2ZnSnS4 ince film güneş hücrelerinin verim çalışmaları

    ECE MERİÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Enerjiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Enerji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER

    DR. ÖĞR. ÜYESİ GÜRCAN ARAL

  5. Magnetron sputtering growth of AZO/ZnO /Zn(O,S) multilayers for Cu2ZnSnS4 thin film solar cells: Material and device characterization

    Cu2ZnSnS4 ince film güneş hücreleri için AZO/ZnO /Zn(O,S) çoklu katmanlarının mıknatıssal saçtırma ile büyütülmesi: Malzeme ve aygıt karakterizasyonu

    FULYA KÖSEOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Enerjiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER

    DOÇ. DR. GÜLNUR AYGÜN ÖZYÜZER