The growth and characterization of Sn doped Al/ZnS/p-Si structures
Sn katkılı Al/ZnS/p-Si yapıların büyütülmesi ve karakterizasyonu
- Tez No: 717787
- Danışmanlar: PROF. DR. AHMET NECMEDDİN YAZICI, PROF. DR. SALİHA TÜLAY SERİN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Diyodlar, Sol-jel yöntemi, Çinko sülfat, İnce filmler, Diodes, Sol-gel method, Zinc sulfate, Thin films
- Yıl: 2022
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada katkısız ve Sn (kalay) katkılı ZnS (çinko sülfür) çözeltileri sol-jel yöntemi kullanılarak cam ve p-tipi Si (silisyum) üzerine kaplanmıştır. Sn katkı miktarı %0-%10 arasında değiştirildi. Filmler cam üzerine 15 kat, kristal üzerine ise 6 kat kaplanmıştır. Cam üzerine kaplanan ince filmlerin UV-vis-NIR ölçümlerinden yararlanılarak malzemelerin kalınlık d, yasak enerji aralığı Eg ve kırılma indisi n gibi optiksel parametreleri incelenmiştir. XRD spektrumu yardımıyla malzemelerin kristal yapısı belirlenmiştir. Elde edilen sonuçlara göre hem cam hem de kristal üzerine büyütülen filmlerin kübik yapıda kristallendiği görülmüştür. Oda sıcaklığında ve karanlıkta katkılı ve katkısız ZnS/p-Si yapıların akım-voltaj I-V ölçümleri alınmış ve bu ölçümler yardımıyla numunelerin diyot özellikleri incelenmiştir. Termoiyonik emisyon (TE), Norde, Lien ve Cehung-Cehung yöntemleri kullanılarak ideallik faktörü n, bariyer yüksekliği ϕb ve seri direnç değeri Rs gibi diyot parametreleri hesaplanmıştır. Ayrıca 10kHz-1.5MHz frekans aralığında katkılı ve katkısız ZnS/p-Si yapılasın kapasitans-voltaj C-V ölçümleri alınmış ve bu ölçümler kullanılarak diyot parametreleri detaylı olarak belirlenmiştir. Ayrıca, numunelerin fotodiyot özelliklerini incelemek için 100mW/cm2 ışık şiddeti altında, katkılı ve katkısız ZnS/p-Si yapıların aydınlık I-V ölçümleri alınmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, undoped and Sn (tin) doped ZnS (zinc sulfide) solutions were coated on glass and p-type Si (silicon) crystal using the sol-gel method. The Sn contribution amount changed between 0%-10%. The films are coated 15 layers on glass and 6 layers on crystal. Optical parameters such as thickness d, forbidden band gap Eg and refractive index n of the materials were investigated by using UV-vis-NIR measurements of thin films coated on glass. The crystal structure of the materials was determined with help of XRD spectrum. According to the results obtained, it was observed that the films grown on both glass and crystal crystallize as a cubic structure. Current-voltage I-V measurements of doped and undoped ZnS/p-Si structures were taken at room temperature in the dark, and diode properties of the samples were investigated with the help of these measurements. Diode parameters such as ideality factor n, barrier height ϕb and series resistance Rs were calculated using Thermionic emission (TE), Norde, Lien and Cheung-Cheung methods. In addition, capacitance-voltage C-V measurements of doped and undoped ZnS/p-Si in the frequency range of 10kHz-1.5MHz were taken and diode parameters were determined in detail by using these measurements. In addition, illuminated I-V measurements of doped and undoped ZnS/p-Si structures were determined under 100mW/cm2 illumination power in order to investigate photodiode characteristics of the samples.
Benzer Tezler
- Amorf silisyumda staebler wronski etkisinin fotoiletkenlik parametresi üzerindeki rolü
The Role of staebler-wronski effect on the prameter of photocondictivity in amorphus silicon
SEVİLAY UĞUR
- a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu
The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells
OKAN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- Design, fabrication and characterizations of n-Si columnar structures for solar cell applications
Nano-Si kolon yapılarının güneş pili uygulamarı için tasarlanıp, üretilip, karakterize edilmesi
AYŞEGÜL DEVELİOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LEVENT TRABZON
- The growth of doped ZnO thin films by the silar method and investigation of structural, optical and electrical properties
Büyütülen katkılı ZnO filmlerin sılar yöntemiyle ve yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
DHEYAALDAIN MOHAMMED HUSSEIN ALHASANI
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ İLKER KARA
- Çinko oksit yarı iletkeninin yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyon teknikleriyle incelenmesi
An investigation of semiconductor zinc oxide via structural, optical and electrical characterization techniques
EMRE GÜR
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN