Two-stage broadband class-AB high power amplifier design using GaN HEMT technology
GaN HEMT teknolojisini kullanan iki aşamalı geniş bant AB sınıfı yüksek güçlü amplifikatör tasarımı
- Tez No: 721341
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. AHMED HALİD AKGİRAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Özyeğin Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Modern radyo sistemleri, güvenilir sistem performansıyla geniş bir frekans spektrumunu kapsamak için geniş bantlı, yüksek güçlü verimli güç amplifikatörlerine ihtiyaç duyar. Lineerlik güç yükselteci tasarımında diğer bir kritik parametredir ve lineerlik ve verim arasında bir ödünleşim vardır. AB sınıfı tasarım radyo frekansı sistemleri için lineerlik ve verimlilik yönünden bir uzlaşma sunmaktadır. Bu tezde GaN HEMT teknolojisini kullanan iki aşamalı geniş band yüksek güçlü yükselteç tasarımı sunulmaktadır. Simülasyonlar ve ölçümler üretici tarafından sağlanan transistör modellerine dayanmaktadır. Tasarım 0.5 - 2.5 GHz çalışma bandında minimum 43 % güç eklemeli verimlilik ve 47.3 dBm çıkış gücüne sahiptir.
Özet (Çeviri)
Modern radio systems need broadband, high efficiency power amplifiers to cover a wide frequency spectrum with reliable system performance. Linearity is another critical parameter in power amplifier design and there is a trade-off between linearity and efficiency. Class-AB design presents a compromise in terms of linearity and efficiency for the radio frequency systems. In this thesis, two-stages broadband high power amplifier design using GaN HEMT technology is presented. Simulations and measurements are based on the transistor models provided by the manufacturer. The design has minimum 43 % power added efficiency (PAE) and 47.3 dBm output power over the 0.5 - 2.5 GHz operating frequency.
Benzer Tezler
- Yüksek dinamik aralıklı, Si-Ge tranzistorlu, 8-11GHz simetrik sürümlü B sınıfı kuvvetlendirici tasarımı
High dynamic range 8-11GHz push-pull class B amplifier with SiGe transistor technology
HİLAL HİLYE CANBEY
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI
- LTE için geniş bantlı ve yüksek verimlilikli doherty güç yükselteç tasarımı
Başlık çevirisi yok
KAAN KOCA
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesiİletişim Sistemleri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDEF KENT PINAR
DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN ŞERİF SAVCI
- DESIGN OF A WIDEBAND DOHERTY POWER AMPLIFIER AT C BAND FOR 5G APPLICATIONS
5G UYGULAMALARI İÇİN C BANTTA GENİŞBANTLI DOHERTY GÜÇ YÜKSELTEÇ TASARIMI
ONUR COŞKUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN AFACAN
- Anahtarlamalı güç kaynaklarında oluşan harmoniklerin elektromanyetik uyumluluk üzerine etkileri ve filtre tasarım yaklaşımları
Effects of noise caused by harmonics generated in switched mode power supply on EMI/EMC and filtering studies
YUNUS FURKAN DİLMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2026
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞUAYB ÇAĞRI YENER
- Sürekli faz modülasyonunun çok düzeyli kodlanması
Multilevel coding of continuous phase modulation
İBRAHİM ALTUNBAŞ
Doktora
Türkçe
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. ÜMİT AYGÖLÜ