Geri Dön

Two-stage broadband class-AB high power amplifier design using GaN HEMT technology

GaN HEMT teknolojisini kullanan iki aşamalı geniş bant AB sınıfı yüksek güçlü amplifikatör tasarımı

  1. Tez No: 721341
  2. Yazar: DOĞAN CAN TURT
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. AHMED HALİD AKGİRAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Özyeğin Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 82

Özet

Modern radyo sistemleri, güvenilir sistem performansıyla geniş bir frekans spektrumunu kapsamak için geniş bantlı, yüksek güçlü verimli güç amplifikatörlerine ihtiyaç duyar. Lineerlik güç yükselteci tasarımında diğer bir kritik parametredir ve lineerlik ve verim arasında bir ödünleşim vardır. AB sınıfı tasarım radyo frekansı sistemleri için lineerlik ve verimlilik yönünden bir uzlaşma sunmaktadır. Bu tezde GaN HEMT teknolojisini kullanan iki aşamalı geniş band yüksek güçlü yükselteç tasarımı sunulmaktadır. Simülasyonlar ve ölçümler üretici tarafından sağlanan transistör modellerine dayanmaktadır. Tasarım 0.5 - 2.5 GHz çalışma bandında minimum 43 % güç eklemeli verimlilik ve 47.3 dBm çıkış gücüne sahiptir.

Özet (Çeviri)

Modern radio systems need broadband, high efficiency power amplifiers to cover a wide frequency spectrum with reliable system performance. Linearity is another critical parameter in power amplifier design and there is a trade-off between linearity and efficiency. Class-AB design presents a compromise in terms of linearity and efficiency for the radio frequency systems. In this thesis, two-stages broadband high power amplifier design using GaN HEMT technology is presented. Simulations and measurements are based on the transistor models provided by the manufacturer. The design has minimum 43 % power added efficiency (PAE) and 47.3 dBm output power over the 0.5 - 2.5 GHz operating frequency.

Benzer Tezler

  1. LTE için geniş bantlı ve yüksek verimlilikli doherty güç yükselteç tasarımı

    Başlık çevirisi yok

    KAAN KOCA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İletişim Sistemleri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEDEF KENT PINAR

    DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN ŞERİF SAVCI

  2. Yüksek dinamik aralıklı, Si-Ge tranzistorlu, 8-11GHz simetrik sürümlü B sınıfı kuvvetlendirici tasarımı

    High dynamic range 8-11GHz push-pull class B amplifier with SiGe transistor technology

    HİLAL HİLYE CANBEY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI

  3. UHF high power transistor amplifier design for TV transposers

    Başlık çevirisi yok

    MEVLÜT TAÇYILDIZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1989

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    DOÇ. DR. HALUK TOSUN

  4. Adaptive metasurface designs for thermal camouflage, radiative cooling, and photodetector applications

    Termal kamuflaj, ısınımlı soğutma ve fotodedektör uygulamaları için uyarlanabilir metayüzey tasarımları

    EBRU BUHARA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

  5. ATM şebekelerde trafik analizi ve güvenlik

    Başlık çevirisi yok

    HALİL AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜNSEL DURUSOY