Two-stage broadband class-AB high power amplifier design using GaN HEMT technology
GaN HEMT teknolojisini kullanan iki aşamalı geniş bant AB sınıfı yüksek güçlü amplifikatör tasarımı
- Tez No: 721341
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. AHMED HALİD AKGİRAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Özyeğin Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 82
Özet
Modern radyo sistemleri, güvenilir sistem performansıyla geniş bir frekans spektrumunu kapsamak için geniş bantlı, yüksek güçlü verimli güç amplifikatörlerine ihtiyaç duyar. Lineerlik güç yükselteci tasarımında diğer bir kritik parametredir ve lineerlik ve verim arasında bir ödünleşim vardır. AB sınıfı tasarım radyo frekansı sistemleri için lineerlik ve verimlilik yönünden bir uzlaşma sunmaktadır. Bu tezde GaN HEMT teknolojisini kullanan iki aşamalı geniş band yüksek güçlü yükselteç tasarımı sunulmaktadır. Simülasyonlar ve ölçümler üretici tarafından sağlanan transistör modellerine dayanmaktadır. Tasarım 0.5 - 2.5 GHz çalışma bandında minimum 43 % güç eklemeli verimlilik ve 47.3 dBm çıkış gücüne sahiptir.
Özet (Çeviri)
Modern radio systems need broadband, high efficiency power amplifiers to cover a wide frequency spectrum with reliable system performance. Linearity is another critical parameter in power amplifier design and there is a trade-off between linearity and efficiency. Class-AB design presents a compromise in terms of linearity and efficiency for the radio frequency systems. In this thesis, two-stages broadband high power amplifier design using GaN HEMT technology is presented. Simulations and measurements are based on the transistor models provided by the manufacturer. The design has minimum 43 % power added efficiency (PAE) and 47.3 dBm output power over the 0.5 - 2.5 GHz operating frequency.
Benzer Tezler
- LTE için geniş bantlı ve yüksek verimlilikli doherty güç yükselteç tasarımı
Başlık çevirisi yok
KAAN KOCA
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesiİletişim Sistemleri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDEF KENT PINAR
DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN ŞERİF SAVCI
- Yüksek dinamik aralıklı, Si-Ge tranzistorlu, 8-11GHz simetrik sürümlü B sınıfı kuvvetlendirici tasarımı
High dynamic range 8-11GHz push-pull class B amplifier with SiGe transistor technology
HİLAL HİLYE CANBEY
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI
- UHF high power transistor amplifier design for TV transposers
Başlık çevirisi yok
MEVLÜT TAÇYILDIZ
Yüksek Lisans
İngilizce
1989
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. HALUK TOSUN
- Adaptive metasurface designs for thermal camouflage, radiative cooling, and photodetector applications
Termal kamuflaj, ısınımlı soğutma ve fotodedektör uygulamaları için uyarlanabilir metayüzey tasarımları
EBRU BUHARA
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- ATM şebekelerde trafik analizi ve güvenlik
Başlık çevirisi yok
HALİL AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜNSEL DURUSOY