Ab initio hesaplamaları: Kusurların varlığında A3B3C62 üçlü ve A2B6 ikili tabakalı kalkojenit kristallerin elektron ve fonon spektrumu
Ab initio calculations: Electron and phonon spectrum of A3B3C62 ternary and A2b6 binary chalcogenite crystals in the existence of defects
- Tez No: 732018
- Danışmanlar: PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 292
Özet
Bu tez çalışmasının amacı farklı cins kusurların (boşluk, katkı iyon, yerine atom koyma (substitution) ve araya atom yerleştirme kusurları) TlGaSe2, TlInS2, GeSe, GeTe, SnSe, SnS ve SnTe gibi tabakalı yarı iletkenlerin örgü kristal yapılarında modellenmesi ve bu modellere dayanarak kusurların malzemelerin fiziksel özelliklerine etkisini teorik olarak araştırmaktır. Çalışmada Quantum Espresso hesaplama programı kullanılmıştır. Yoğunluk fonksiyonel teorisine dayanan bu programda Pseudopotential yaklaşımı uygulanmıştır. Tez çalışması kapsamında, sözü geçen yarıiletken malzemelerin saf kristal hali ile beraber, safsızlık veya örgü kusuru içeren durumları da incelenmiştir. Kusursuz ve çeşitli kusur tiplerini içeren bu yarı iletken malzemelerin elektronik bant yapısı, izdüşümsel durum yoğunluğu (DOS), elektriksel ve optik özellikleri hesaplanmıştır. Saf ve bünyesinde çeşitli kusur içeren malzemelerin fiziksel özellikleri simüle edilmiştir ve alınan sonuçlar karşılaştırmıştır. GeSe tabakalı kristalde sıradan olmayan yüzey fonon titreşim modları teorik olarak tespit edilmiştir. Tez çalışmasında GeSe tabakalı yarı iletkenin kafes yapısı çeşitli sayda tabakalardan (birden sekize kadar) oluşturularak modellenmiştir. Tüm incelenmiş yapılarda yüzey fonon titreşim modları bulunmuştur. Sekizden fazla tabakalardan oluşan GeSe yapı modellerinde yüzey fonon titreşim modları hacim fononlar arasında kaybolması yapılmış teorik araştırma sonucu olarak sunulmuştur.
Özet (Çeviri)
The aim of this thesis study is to model different types of defects (vacancy, dopant ion, substitution and interstitial defects) in the lattice crystal structures of layered semiconductors such as TlGaSe2, TlInS2, GeSe, GeTe, SnSe, SnS and SnTe and based on these models. Theoretically, the effect of defects on the physical properties of materials is investigated. Quantum Espresso calculation program was used in the study. Pseudopotential approach is applied in this program which is based on density functional theory. Within the scope of the thesis, the pure crystalline state of the aforementioned semiconductor materials, as well as their impurities or lattice defects, were also investigated. The electronic band structure, density of state (DOS), electrical and optical properties of these semiconductor materials, which are perfect and contain various defect types, were calculated. The physical properties of pure and materials containing various defects were simulated and the results were compared. The non-ordinary surface phonon vibrational modes in the GeSe layered crystal have been theoretically determined. In the thesis study, the lattice structure of the GeSe layered semiconductor was modeled by forming various layers (from one to eight). Surface phonon vibrational modes were found in all studied structures. Surface phonon vibration modes in GeSe structural models consisting of more than eight layers are presented as a result of theoretical research that has been lost between volume phonons.
Benzer Tezler
- Functionalization of graphene and stoichiometric graphene derivatives
Grafinin fonksiyonelleştirilmesi ve stokiyometrik grafin türevleri
HASAN ŞAHİN
Doktora
İngilizce
2011
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. SALİM ÇIRACI
- TIGaSe2 tabakalı kristallerdeki doğal kusurların termoelektrik özelliklerine etkisinin teorik incelenmesi
Effects of defects on the thermoelectric properties of TIGaSe2 layered crystals: Theoretical investigation
MURAT ÇAYDAŞİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Electronic, spintronic and transport properties of carbon based nanowires
Karbon bazlı nanotellerin elektronik, spintronik ve transport özellikleri
OZAN ARI
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RAMAZAN TUĞRUL SENGER
- Nano yapılarda kusurların ve safsızlıkların hesaplamalı yöntemlerle incelenmesi
Computational investigations of defects and impurities in various nano structures
DOĞAN ERBAHAR
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SAVAŞ BERBER
- Ab-initio metodlarla bir ESR (Elektron Spin Rezonans Spektroskopisi) çalışması
An ESR(Electron Spin Resonance Spectroscopy) study by Ab-İnitio methods
AHMET BAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Eğitim ve ÖğretimNecmettin Erbakan ÜniversitesiOrtaöğretim Fen ve Matematik Alanları Eğitimi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖMER DERELİ