Geri Dön

SiGe teknolojisinde pin diyot tasarımı ve analizi

Pin diode design and analysis in SiGe technology

  1. Tez No: 744916
  2. Yazar: AHMET KARTAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ALİ TANGEL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kocaeli Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 45

Özet

İleri teknolojinin gelişmesi yarı iletken devre elemanlarının kullanımını popüler hale getirmiştir. Bu alanda önemli bir yere sahip olan yarı iletken malzemelerin kullanımları da doğru orantılı olarak artmıştır. Transistör, PİN diyot gibi yarı iletken elemanların kullanımında radyo frekansı (RF) uygulamaları özellikle anahtarlama alanında çok önem kazanmıştır. SPST, SPDT, sınırlayıcı (limiter) ve faz dizinli radarlarda pin diyotun mikrodalga frekanslarında anahtarlama yapması özellikle askeri ihtiyaç açısından önemli bir nitelik haline gelmektedir. Silisyum-germanyum teknolojisi, yarı iletken devre elemanlarının çalışma performansını daha üst seviyeye çıkararak özellikle“Hetero Junction Bipolar Transistor”gibi aygıtlarda kullanılmaktadır. Devrede anahtarlama yapan üretim maliyeti daha uygun ve üretim süreci HBT'ye paralel olarak tasarlanabilen bir diğer elektronik devre elemanı ise SiGe PİN diyotlardır. SiGe pin diyotu düşük araya girme kaybı ve yüksek izolasyon sağlamasıyla, yüksek frekanslarda anahtarlama yapabilme avantajına sahiptir. Bu avantaj SiGe teknolojisi ile üretilen PİN diyotu oldukça popüler hale getirmiştir. Bu tez çalışmasında, SiGe PİN diyotun tasarımının fabrikasyon adımları ile birlikte, analizi ve sonuçları anlatılmaktadır. Literatürde SiGe teknolojisi ile tasarlanan PİN diyotun üretim süreçleri ve çalışma analizlerini içeren çalışmalar oldukça nadir bulunmaktadır. Bu tezde, bahsedilen tasarımın, fabrikasyon adımları ve analiz aşamalarının olduğu bir çalışma yapılarak, Ku bant aralığında çalışan bir SiGe PİN diyot gerçeklenmesi hedeflenmiştir. Çalışmada, tasarımın ideal parametrelerinin kullanımının yanı sıra parametre değişikliği yapılarak farklı geometrideki PİN diyotların farklı elektriksel analizi de gerçekleştirilmiştir.

Özet (Çeviri)

The development of advanced technology has popularized the use of semiconductor circuit elements. The use of semiconductor materials, which have an important role in this field, has increased proportionally. Radio frequency (RF) applications in the use of semiconductor elements such as transistors and PIN diodes have gained importance especially in the field of switching. In SPST, SPDT, limiter and phase array radars, the switching of the PIN diode at microwave frequencies becomes an important feature, especially in terms of military needs. Silicon-germanium technology is used in devices such as“Hetero Junction Bipolar Transistor”by increasing the working performance of semiconductor circuit elements to a higher level. SiGe PIN diodes are another electronic switches in the circuit and the production cost is more convenient and process can be designed in parallel with the HBT. SiGe PIN diode has the advantage of being able to switch at high frequencies by providing low insertion loss and high isolation. This advantage has made the PIN diode produced with SiGe technology very popular. The fabrication steps of the design of the SiGe PIN diode, as well as its analysis and results are described. In the literature, studies involving the production processes and operational analyzes of the PIN diode designed with SiGe technology are very rare. In this thesis, it is aimed to study a SiGe PIN diode operating in the Ku band range, including fabrication steps and analysis steps. In the study, besides the use of the ideal parameters of the design, the electrical analysis of the different pin diodes formed by parameter changes were also carried out.

Benzer Tezler

  1. Active frequency multiplier by 8 mmic in SiGe HBT technology

    SiGe HBT teknolojisinde aktif frekans çarpıcı

    EMRE APAYDIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYeditepe Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU

  2. A 94-GHZ phase inverter-variable gain amplifier in SiGe BiCMOS

    94-GHZ SiGe BiCMOS teknolojisinde faz evireci-değiştirilebilir kazançlı yükselteç

    YİĞİT AYDOĞAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH ATALAR

  3. 0.18µm SiGe BiCMOS teknolojisinde 5-Bit 40GS/s zaman ara değerlemeli analog sayısal dönüştürücü tasarımı

    5-bit 40GS/s time interleaved analog to digital converter in 0.18µm SiGe BiCMOS technology

    YASİN TALAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. OKTAY AYTAR

  4. UWB sige low noise amplifier design

    Ultra geniş bantlı silisyum-germanyum düşük gürültülü kuvvetlendirici tasarımı

    MURAT KINALI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞLU

  5. SiGe BiCMOS ICs for X-Band 7-bit T/R module with high precision amplitude and phase control

    X-Band yüksek hassasiyetli Faz/Genlik Kontrollü 7-bit Alıcı/Verici Modülü için SiGe BiCMOS tümleşik devreler

    MURAT DAVULCU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ