Effects of illumination on hydrogenated amorphous silican based junctions
Hidrojenleşmiş amorf silisyum tabanlı eklemler üzerinde aydınlatmanın etkisi
- Tez No: 75696
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition, Hydrogenated amorphous silicon thin film, Schottky barrier, P-I-N junction
- Yıl: 1998
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 98
Özet
Plasma Yardımcılı Kimyasal Buhar Biriktirme tekniği kullanılarak katkılı ve katkısız hidrojenlenmiş amorf silisyum ince filimleri başarıyla üretildi. Bu mimlerin oda sıcaklığındaki elektriksel iletkenlik ölçümleri ve uyarılma enerjisi analizleri yapıldı. Yukarıda sözedilen teknikle hazırlanan a-Si:H filimler kullanılarak Schottky engeli ve p-i-n eklemleri üretildi. Bu yapıların karanlıkta ve ışık altındaki akım-voltaj karakterizasyonlan incelendi. Ayrıca, bu yapıların ışık şiddeti ve dalga boyu değişimleri altındaki elektrik özellikleri oda sıcaklığında analiz edildi. A-Si:H p-i-n yapısı yardımıyla a-Si:H ince filimlerin optiksel soğurma spekturumu elde edildi.
Özet (Çeviri)
Doped and undoped hydrogenated amorphous silicon thin films were successfully produced by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Technique. The measurements of their electrical conductivity at room temperature and analysis of activation energy were performed. Schottky barrier and p-i-n structures of a-Si:H films were fabricated by using the same technique, mentioned above. The current-voltage characteristics of Schottky and p-i-n structures in the dark and under illumination were examined. The electrical response of these structures to radiation were also analysed in terms of intensity and spectral dependence at room temperature. Optical absorption spectrum of a-Si:H thin films was determined by the help of a-Si:H p-i-n structure.
Benzer Tezler
- The effects of native and light induced defects in the optical and electronic properties of hydrogenated amorphous silicon germanium (a-SiGe: H) alloy thin films
Doğal ve ışık altında bozunuma uğratılmış elektronik kusurların hidrojenlendirilmiş amorf silisyum germanyum alaşımlarının optik ve elektronik özelliklerine etkisi
MEDİNE ELİF DÖNERTAŞ YAVAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MEHMET GÜNEŞ
- The effects of deposition conditions on the low energy absorption spectrum of microcrystalline silicon thin films prepared by HWCVD method
Kızgın tel yardımıyla kimyasal buhar fazdan büyütme tekniği ile hazırlanan microkristal silisyum ince film malzemelerde hazırlık koşullarının düşük enerjilerde ışıl soğurma katsayısına etkileri
NEBİLE IŞIK
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET GÜNEŞ
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum ve silisyum-karbon alaşımlarında ışık ile yaratılan yarı-kararlı kusurların incelenmesi
Light-induced metastable defect studies in hydrogenated amorphous silicon and silicon-carbon alloys
ALP OSMAN KODOLBAŞ
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ
- Mikro kristal silisyum ince film malzemelerdeki kararsızlık probleminin fotoiletkenlik yöntemi ile incelenmesi
Investigation of instability problem on hidrogenated microcrystalline silicon thin film material by using photoconductivity method
GÖKHAN YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET GÜNEŞ
- Hidrojenli amorf silikonun (a-Si:H) ESR spektroskopisi ile incelenmesi
Investigation of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) by ESR spectroscopy
ERHAN SAĞLAMYÜREK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TURAN ÖZBEY