Geri Dön

İki-seviyeli eviricilerde kullanılan yarı-iletken anahtarların güç kayıplarının analizi

Analysis of semiconductor power losses in two-level inverters

  1. Tez No: 759985
  2. Yazar: OĞUZ TAHMAZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ALİ BEKİR YILDIZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Electrical and Electronics Engineering, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kocaeli Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 114

Özet

İki-seviyeli eviriciler, güç elektroniğinin en çok ilgi duyulan konularından birisidir. Özellikle, robotik otomasyonun ve elektrikli araç sektörünün büyümesi sebebiyle, elektrik motorlarının ve sürücülerinin geliştirilmesi daha da önemli hale gelmiştir. Motor sürücülerin geliştirilme aşamasında verim, boyut ve maliyet en önemli tasarım kriterleridir. Motor sürücülerin verimini, boyutunu ve maliyetini etkileyen birçok devre elemanı mevcuttur ancak, ısı olarak açığa çıkacak güç kayıplarının büyük bir kısmı, sürücülerin güç katında kullanılan yarı-iletken anahtarlama elemanlarından kaynaklanmaktadır. Yarı-iletkenler ideal anahtarlama elemanları değildirler; iletimdeyken ve anahtarlama anlarında oluşan güç kayıplarından dolayı ısı açığa çıkarırlar. Verim ve boyut hesaplamaları üzerine çalışılırken, sürücünün güç katında yer alan yarı-iletken anahtarlardan kaynaklanan güç kayıplarını minimumda tutmak ve optimum bir tasarım yapmak gerekir. Bu sebeple, yarı-iletken eleman seçimi ile birlikte yarı-iletken elemanlar üzerinde açığa çıkacak olan güç kayıplarının hesaplanması çok önemlidir. Tasarımcı tarafından kullanılması öngörülen yarı-iletken anahtarlara ve yapılan güç kayıp analizlerine göre henüz tasarım aşamasında en uygun yarı-iletken anahtarın seçiminin yapılması, sürücü veriminin öngörülmesi, yarı-iletken elemanların ısıl yönetimi için soğutma konseptinin geliştirilmesi ve boyut-hacim hesaplamalarının tamamlanması gerekmektedir. Bu tez kapsamında, MOSFET ve IGBT yarı-iletken anahtarlama elemanlarının kullanıldığı iki-seviyeli eviriciler için güç kayıp analiz yöntemleri incelenmiş ve bu analiz yöntemleri kullanılarak yapılan hesaplamalar çeşitli ölçüm sonuçları ile doğrulanmıştır. Böylece, iki-seviyeli bir evirici üzerinde oluşacak olan toplam güç kaybı henüz eleman seçim aşamasında hızlı bir şekilde hesaplanabilecektir. Örnek olarak sunulan uygulamalar ile birlikte yapılan analitik öngörülere ek olarak, okuyuculara tasarımsal ve ölçümsel bakış açılarının kazandırılması amaçlanmıştır.

Özet (Çeviri)

Two-level inverters are one of the most popular topics in power electronics. In particular, the development of electric motors and drives has become even more important due to the growth of robotic automation and the electric vehicle industry. Efficiency, size, and cost are the most important design criteria in the development phase of electric motor drives. There are many circuit elements that affect the overall efficiency, size, and cost of the motor drives, but most of the power losses that will be dissipated as heat are caused by the power semiconductor devices used in the power stage of the drives. Semiconductors are not ideal switching elements; they dissipate heat due to power losses during conduction and switching instants. It is necessary to keep the power losses to a minimum in order to make an optimum design when working on the efficiency and size calculations. Therefore, the calculation of the power losses after the selection of the power semiconductor device is very important. Selection of the most appropriate power semiconductor device, prediction of the efficiency of the drive, development of the cooling concept for the thermal management of the semiconductor devices, and the complete size-volume calculations need to be completed at the design stage by the inverter designer according to the power loss calculations. In this thesis, power loss analysis methods for two-level inverters using MOSFET and IGBT power semiconductor devices are introduced and calculations made using these analysis methods are verified with various measurement results. Thus, the total power loss in two-level inverters can be quickly calculated during the component selection phase. In addition to the analytical predictions made with the applications illustrated as examples, it is aimed to provide the readers with design and measurement perspectives.

Benzer Tezler

  1. Si IGBT ile SiC MOSFET yarı iletken anahtarlarının 3 fazlı eviriciler üzerindeki güç kayıp ve verim analizi

    Power losses and efficiency analysis of Si IGBT and SiC MOSFET semiconductor switches on 3 phase inverters

    MACİT AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKocaeli Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ERSOY BEŞER

  2. Hesaplama yükü azaltılmış model öngörülü kontrol yönteminin üç seviyeli T tipi evirici için uygulanması

    Application of a model predictive control method with reduced computational load for a three-level T-type inverter

    AYKUT BIÇAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYETÜL GELEN

  3. GaN-Fet tabanlı yüksek hızlı motor sürücü tasarımı

    Design of GaN-Fet based high speed motor drive

    CENK KILIÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEge Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERKAN MEŞE

  4. Design of fault-tolerant cascaded H-bridge multilevel inverter with output-side transformers using bidirectional switches

    Çift yönlü anahtarlar kullanarak hata toleranslı çıkış trafolu kaskat H-köprü çok-seviyeli evirici tasarımı

    MUHAMMET BİBEROĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİLİZ KARAOSMANOĞLU

  5. Sürekli mıknatıslı senkron motor için vektör kontrollü sürücünün empedans kaynaklı üç seviyeli evirici ile tasarımı ve kapalı çevrim benzetimi

    Design and closed loop simulation of vector controlled drive for permanent magnet synchronous motor with impedance source three level converter

    ÇAĞATAY DURSUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SELİN ÖZÇIRA ÖZKILIÇ