Geri Dön

P3HT tabanlı farklı yalıtkan tabakalı ofet karakteristiklerinin incelenmesi

Investigation of P3HT based ofet fabricated with different gate dielectrics

  1. Tez No: 768506
  2. Yazar: DİLEK TAŞKIN GAZİOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY, PROF. DR. FATİH DUMLUDAĞ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Poliüretan, Termoplastik, Transistör, Polyurethane, Thermoplastic, Transistor
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, sol-jel (sol-gel) döndürmeyle-kaplama yöntemi ile p−kanal aktif malzeme olan P3HT farklı kapı yalıtkanları üzerine kaplanarak Üst-Kontak/Alt-Kapı geometrisine sahip organik alan etkili transistörler (OFET) imal edildi. Kapı yalıtkanı olarak TPU ve PMMA kullanıldı. TPU yalıtkan polimer; çözelti işlenebilirliği, düşük maliyeti, ortam havasında iyi depolama kararlılığı, nispeten yüksek dielektrik sabiti nedeniyle kapı dielektriği olarak seçildi. Yapılan P3HT tabanlı OFET'lerin, TPU yalıtkan film kalınlığına, kapı ve kaynak-savak (source-drain) metal elektrotlarına (Ag ve Au) bağlı olarak elektriksel özellikleri incelendi. PMMA'nın termal ve mekanik kararlılığı, yüksek özdirenci, dielektrik sabiti ve döndürmeyle kaplama ile geniş alanlara kolayca uygulanabilmesi gibi avantajlarından dolayı kapı yalıtkan tabakası olarak PMMA da çalışıldı. Kapı elektrotu olarak ITO, kaynak-savak elektrotu olarak Ag kullanılarak farklı kalınlıklardaki PMMA kapı yalıtkan tabakanın OFET performansı üzerindeki etkisi de incelendi. Hazırlanan OFET'lerin performans karakteristikleri (çıkış ve transfer) atmosfer ortamında ölçüldü. Üretilen P3HT tabanlı OFET'lerin akım-voltaj (I-V) ölçümlerinden mobilite, eşik voltajı, alt eşik salınım değeri, açma/kapama oranı, arayüz tuzak yoğunluğu ve kontak direnci gibi elektriksel parametreleri hesaplandı.

Özet (Çeviri)

In this study, organic field-effect transistors (OFET) with Top-Contact/Bottom-Gate geometry were fabricated by coating the p−channel active material P3HT on different gate insulators using sol-gel spin-coating method. TPU and PMMA were used as gate insulators. TPU insulating polymer was chosen as the gate insulator because of its solution workability, low cost, good storage stability in ambient air and relatively high dielectric constant. The electrical properties of the P3HT-based OFETs, depending on the TPU insulator film thickness, gate and source-drain metal electrodes (Ag and Au), were investigated. PMMA was also studied as the gate insulator layer because of the advantages of it such as thermal and mechanical stability, high resistivity, dielectric constant, and easy application to large areas with spin coating. The effect of PMMA gate insulator layer of different thicknesses on OFET performance was also investigated by using ITO as gate electrode and Ag as source-drain electrode. The performance characteristics (output and transfer) of the prepared OFETs were measured in ambient air. Electrical parameters such as mobility, threshold voltage, subthreshold slope, on/off ratio, interface trap density and contact resistance were calculated from the current-voltage (I-V) measurements of the produced P3HT-based OFETs.

Benzer Tezler

  1. P3HT:PCBM tabanlı güneş hücrelerinde grafen modifikasyonu

    Graphene modıfıcatıon ın P3HT:PCBM-based solar cells

    PINAR ORUÇ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2025

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HALUK KORALAY

  2. Organik tabanlı hibrit güneş pillerinin yapımı ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of the organic based hybrid solar cells

    SEMANUR GÜMÜŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ

  3. Organik fotodedektörlerin SCAPS-1D tabanlı optimizasyonu: Geniş bant algılama için ince film ve arayüz mühendisliği

    Optimization of organic photodetectors based on SCAPS-1D: Thin film and interface engineering for wide-band detection

    AHMET SAİT ALALI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2026

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FEDAİ İNANIR

  4. Perovskit metil amonyum bizmut iyodür (MA3Bi2I9) ince film soğurucu tabakasının ve FTO/TiO2/MA3Bi2I9/P3HT/Au güneş hücrelerinin stres faktörleri altında kararsızlıklarının incelenmesi

    Investigation of instability of perovskite methyl ammonium bismuth iodide (MA3Bi2I9) thin film absorber layer and FTO/TiO2/MA3Bi2I9/P3HT/Au solar cells under stress factors

    ASUMAN KOÇU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    EnerjiBurdur Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÖKHAN YILMAZ

  5. Study of morphology and dye effects on the efficiency of CdS–based hybrid solar cells

    Morfoloji ve boya etkisinin CdS–tabanlı hibrit güneş pillerinin verimliliği üzerine olan etkilerinin araştırılması

    AHMET ÜNVERDİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    MorfolojiAdana Alparslan Türkeş Bilim ve Teknoloji Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SALİH YILMAZ