Transient photoconductivity and photoluminescence in wide band gap crystals under generation of radiation defect due to multiphoton absorption of laser radiation
Laser radyasyonu etkisi ile çoklufoton yutulmasından dolayı oluşan radyasyon hasarlarının sonucunda geniş band aralığına sahip kristallerdeki fotoluminesans ve fotoiletkenlik geçişleri
- Tez No: 77709
- Danışmanlar: PROF. DR. MERAL HOŞCAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Önyıkınım enerji yutulması, lazer, alkali halide, temel kusurlar, Prebreakdown energy absorption, laser, alkali halides, primary defects. IV
- Yıl: 1998
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 97
Özet
ÖZET LASER RADYASYONU ETKİSİ İLE ÇOKLUFOTON YUTULMASINDAN DOLAYI OLUŞAN RADYASYON HASARLARININ SONUCUNDA GENİŞ BAND ARAT JĞINA SAHİP KRİSTALLERDEKİ FOTOLUMİNESANS VE FOTOİLETKENLİK GEÇİŞLERİ YILDIRIM (ÖZKAN) Rabia Güler Doktora Tezi Gaziantep Üniversitesi Fizik Mühendisliği Bölümü Tez Danışmanı: ProfDr. Meral HOŞCAN Ağustos 1998, 83 sayfa 532 nm de, NaCl kristalindeki önyıkınım enerji birikiminin hesaplamasında elektronların valans banddan iletkenlik bandma geçmesi için dört foton ile uyarılması gerekir. NaCl'nin enerji band aralığı 8.6 eV ve 532 nm deki laser pulsının enerjisi 2.33 eV tur. Bu nedenle dört foton soğurulması NaCl için temel soğurma işlemidir. İletkenlik bandındaki elektronların foton soğurması ile kristalde oluşan ısınma hakkında iki temel teori vardır. Birincisi polaron model, ikincisi serbest elektron oluşumunun çığ teorisidir. Her iki model çeşitli teoriler üzerine kurulduğu belirtilmelidir.İletkenlik bandındaki elektronların foton soğurması ile kristalde oluşan ısınma hakkında iki temel teori vardır. Birincisi polaron model, ikincisi serbest elektron oluşumunun çığ teorisidir. Her iki model çeşitli teoriler üzerine kurulduğu belirtilmelidir. Bu çalışmada çoklufoton-polaron-kusur ve çoklufoton destekli çığ modelini kullandık; çoklufoton-polaron-kusur modelinde yanlız deşik soğurulması, doğrudan e-h birleşmesi ve polaron soğurulması ısınmaya katkıda bulunurlar; diğer kusur çeşitleri daha az katkıda bulunurlar. İkinci modelde ısınmadan dolayı kristal hasara uğrayabilir. Vk- merkezleri, F-merkezi, iyonlaşmış F-merkezi, serbest elektron ve deşik yoğunlukları gibi temel kusurlarını bulmak için kinetik denklemleri bilgisayar uyarlaması ile çözdük.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT TRANSIENT PHOTOCONDUCTIVITY AND PHOTOLUMINESCENCE IN WIDE BAND GAP CRYSTALS UNDER GENERATION OF RADIATION DEFECT DUE TO MULTIPHOTON ABSORPTION OF LASER RADIATION YILDIRIM (ÖZKAN) Rabia Güler Ph.D. in Physics Engineering Supervisor: Prof.Dr. Meral HOŞCAN August 1998, 83 pages Four-photon excitation of valance electrons to the conduction band is needed for the calculation of prebreakdown energy deposition in NaCl at 532 nm. Since NaCl has band energy of 8.6 eV and laser pulse at 532 nm has energy 2.33 eV, the four-photon absorption is the primary absorption process in NaCl. There are two main theories about the lattice heating resulting from the absorption of photons by electrons in the conduction band. The first one is the polaron inmodel and second one is the avalanche theory of free electron generation. It should be mentioned that each model is based on several theories. In this study, we ı -1 have used multiphoton-polaron-defect model and multiphoton-assisted-avalanche model; in multiphoton-polaron defect model, hole absorption, direct e-h recombination, and polaron absorption contribute to heating, with other species contributing much less. In the second model, due to heating the crystal may be damaged. We i j have solved the kinetic equations with computer simulation to find the concentration of primary defects such as VR-centers, F-center, ionized F-center, and free electron and hole densities.
Benzer Tezler
- Rezonans kaviteli ve iç kazançlı GaInNas-tabanlı IR fotodedektör
Resonant cavity enhanced GaInNAs-based IR photodetector with gain
FAHRETTİN SARCAN
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-azot (a-SiNx:H) alaşımı ince filmlerin optik ve elektrik özellikleri
Optical and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon nitrogen (a-SiNx:H) alloy thin films
İLKER AY
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Electrical characterization of GaInP/InGaAs/GaAs modulation doped field effect transistor structures
GaInP/InGaAs/GaAs modüle katkılı alan etkili transistör yapılarının elektriksel karakterizasyonu
YAVUZ CİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Optimization of zinc oxide based metal - semiconductor junction interface properties and applications for optoelectronic devices
Çinko oksit tabanlı metal – yarı iletken kavşak ara yüzey özelliklerinin eniyilenmesi ve optoelektronik aygıt uygulamaları
ABDURRAHMAN HALİS GÜZELAYDIN
Doktora
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ENVER TARHAN
- Investigations on the roles of surface states on BiVO4 photoanodes and CuBi2O4 photocathodes for photoelectrochemical water splitting
Fotoelektrokimyasal su bölme için BiVO4 fotoanotları ve CuBi2O4 fotokatotlarında yüzey durumlarının rolleri üzerine araştırmalar
EMRE USMAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
EnerjiKoç ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SARP KAYA