Temiz silisyum yüzeyinde düzen-düzensizlik faz geçişi için genişletilmiş ısıng modeli hamıltonyeni
The extended model hamiltonian for order-disorder phase transition on the clean Si(001) surface
- Tez No: 796810
- Danışmanlar: PROF. DR. BÜLENT KUTLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
Bu tezde yarıiletken teknolojisinde kullanılan en yaygın yüzey olan Si(001) yüzeyi için geçerli Ising hamiltonyeni oluşturularak, (4x2) ↔ (2x1) yüzey faz geçişini modellenmektedir. Bu nedenle, ilk olarak Si(001) yüzeyinin (4x2), (2x2), (2x1) ve (4x1) yüzey yapılanmaları ilk-prensip hesaplamalar kullanılarak optimize edildi ve yüzey enerjileri hesaplandı. Elde edilen yüzey enerjileri kullanılarak yüzey için önerilen revize edilmiş Ising hamiltonyendeki etkileşim parametreleri belirlendi. Son olarak elde edilen revize edilmiş yeni Ising hamiltonyen için oluşturulan CA algoritması kullanılarak (4x2) ↔ (2x1) yüzey faz geçişi benzetimleri yapıldı. Hesaplanan faz geçiş sıcaklığı deneysel sonuç TC=200 K ile iyi bir uyum içindedir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the c(4x2) ↔ p(2x1) surface phase transition is modelled by forming the valid Ising Hamiltonian for the Si(001) surface, which is the most common surface used in semiconductor technology. Therefore, at first the surface configurations of the Si(001) surface c(4x2), p(2x2), p(2x1) and (4x1) were optimized using first-principle calculations and the surface energies were calculated. Using the obtained surface energies, the interaction parameters in the revised Ising Hamiltonian proposed for the surface were determined. Finally, c(4x2) ↔ p(2x1) surface phase transition simulations were performed using the CA algorithm created for the revised new Ising Hamiltonian. The calculated phase transition temperature is in good agreement with the experimental result TC = 200 K.
Benzer Tezler
- Design, fabrication and characterizations of n-Si columnar structures for solar cell applications
Nano-Si kolon yapılarının güneş pili uygulamarı için tasarlanıp, üretilip, karakterize edilmesi
AYŞEGÜL DEVELİOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LEVENT TRABZON
- Çeşitli metallerin (Au, Ag, Cu, Pd) ve metal kalınlığının gözenekli silisyum esaslı hidrojen pili parametrelerine etkisi
Effect of various metals (Au, Ag, Cu, Pd) and metal thickness on the porous silicon ?based hydrogen cell parameters
SEVİNÇ YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ LUŞ
- Nano saniye atımlı 1064 nm fiber lazer ile yüzey dokulandırmasının tek kristal silisyumun optik yansıma ve soğurmasına etkisi
Effect of surface texturization by 1064 nm - nanosecond pulsed fiber laser on optical reflection and absorption of single crystal silicon
VOLKAN TÜRKER
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
EnerjiHacettepe ÜniversitesiTemiz Tükenmez Enerjiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKIN BACIOĞLU
- Nano yapılı Cuo ve Cu2O geçiş metal oksitlerin görünür bölgede fotodedektör uygulamaları
Photodetector application of nanostructured CuO and Cu2O transitional metal oxides in the visible region
FEVKANİ YILDIZ
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUTLU KUNDAKÇİ
- Porosity generation and optimization of silicon-based anodes for high energy density lithium ion batteries
Yüksek enerji yoğunluklu lityum iyon bataryalar için silisyum bazlı anotlarda gözenek geliştirilmesi ve optimizasyonu
NESLİHAN YUCA
Doktora
İngilizce
2017
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÜNER ÇOLAK