Geri Dön

Mn katkılı TlınS2 düşük boyutlu yarıiletken malzemede oluşan tuzakların optik ve ESR yöntemi ile incelenmesi

The investigation of traps/defects in mn doped TlinS2 low dimensional semiconductor by ESR/EPR and optical techniques

  1. Tez No: 806553
  2. Yazar: ESRA OKUMUŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY, DOÇ. DR. HAJİ AHMEDOV
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 152

Özet

Bu tez çalışmasında Mn katkılı TlInS_2 yarıiletken kristalin yapısal, optik ve manyetik özellikleri deneysel açıdan incelenmiştir. Mn katkısının kristalin yapısında olup olmadığı, dolaylı olarak X- Işınları Kırınımı (XRD) yöntemiyle, kristali oluşturan kimyasal elementlerin stokiyometrik orana uygunluğu bakılarak Enerji Dağılım Spektroskopisiyle (EDX) ve yapısında bulunan kimyasal elementlerin varlığına deneysel olarak bakılarak da Lazerle Oluşturmalı Plazma Spektroskopisi (LIBS) yöntemiyle araştırılarak ispatlandı. Mn katkılı ve katkısız 〖TlInS〗_2 yarıiletken kristallerin manyetik ölçümleri deneysel olarak, X -band Elektron Paramanyetik Rezonans (EPR) spektroskopisiyle 100 K ve 300 K sıcaklıklarında yapıldı. Alınan sonuçlar üzerinden 〖Mn〗^(4+) iyonu için 〖3d〗^3 (S=3⁄2) ve 〖Mn〗^(2+) iyonu için 〖3d〗^5 (S=5⁄2) spin durumlarından kaynaklanan EPR spektrumları elde edildi. Kristallerin toplam manyetizasyonu da Titreşimli Örnek Manyetometre (VSM) yöntemiyle 5 K≤T≤300 K aralığında incelendi. Katkısız kristalin manyetizasyon eğrileri tüm sıcaklık aralığında diamanyetik özellikler gösterdiği halde katkılı kristallerin manyetizasyon eğrileri yaklaşık 5K civarında paramanyetik faza geçtiği görüldü. Mn katkılı 〖TlInS〗_2 yarıiletken kristalin Foto İndüklenmiş Geçiş Akım Spektroskopisi (PICTS) yöntemiyle tuzak durumları deneysel olarak incelendi. Elde edilen sonuçlara göre, katkısız kristalin tuzaklarıyla birlikte Mn katkı iyonuna ait dört tuzağın varlığı ispatlandı. Mn katkılı 〖TlInS〗_2 yarıiletken kristalin, UV-görünür dalga boyu civarında kristalin optik geçirgenlik özellikleri deneysel olarak incelendi. Alınan sonuçlar üzerinden dolaylı ve dolaysız bant aralıklarının sıcaklığa bağlı değişimleri bulundu. Mn katkılı 〖TlInS〗_2 yarıiletken kristal için sıcaklığa bağlı olarak Fotolüminesans ölçümleri yapıldı. Ölçümler 1.2-2 eV ve 2-3.2 eV aralığında iki farklı bölge için yapıldı. Üç farklı lüminesans bant, sırasıyla kırmızı, turuncu-yeşil ve mor ışık bölgelerinde bulundu.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the structural, optical, and magnetic properties of the Mn-doped 〖TlInS〗_2 semiconductor crystal were experimentally investigated. Whether the Mn contribution is in the crystalline structure, indirect by X-Ray Diffraction (XRD) method, by Energy Dispersive Spectroscopy (EDX) by looking at the conformity of the chemical elements forming the crystal to the stoichiometric ratio, and by looking experimentally for the presence of chemical elements in its structure, by Laser Induced Breakdown Spectroscopy (LIBS) researched and proven. Magnetic measurements of Mn-doped and undoped 〖TlInS〗_2 semiconductor crystals were researched with X-band Electron Paramagnetic Resonance (EPR) spectroscopy at 100 K-300 K temperatures. According to the results obtained, EPR spectra originating from 〖Mn〗^(4+) ion 〖3d〗^3 (S=3⁄2), and 〖Mn〗^(2+) ion 〖3d〗^5 (S=5⁄2) spin states were obtained. The total magnetization of the crystals was also investigated with the Vibrating Sample Magnetometer (VSM) method in the range of 5 K≤T≤300 K. Whereas the magnetization curves of the undoped crystal showed diamagnetic properties in the entire temperature range, the magnetization curves of the doped crystals were observed to pass into the paramagnetic phase at about 5 K. Mn-doped 〖TlInS〗_2 semiconductor crystal the trap states were investigated by the Photo-Induced Transition Current Spectroscopy (PICTS) method. According to the results obtained, the existence of four traps belonging to the Mn doping ion, together with the undoped crystalline traps, was proved in this crystal. The optical transmittance properties of the Mn-doped 〖TlInS〗_2 semiconductor crystal around the UV-Visible wavelength were experimentally investigated. The temperature-dependent changes of the indirect and direct band gaps were found in the results obtained. Photoluminescence measurements were made for the Mn-doped 〖TlInS〗_2 semiconductor crystal depending on the temperature for two different regions in the range of 1.2-2 eV and 2-3.2 eV. Three different luminescence bands were found in the red, orange-green, and violet light regions.

Benzer Tezler

  1. Mn katkılı TiO2 ince filmlerin antibakteriyel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of antibacterial properties of Mn doped TiO2 thin films

    ÖMER BİÇER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HADİCE BUDAK GÜMGÜM

  2. Mn katkılı CdS nanoparçacıklarının sentezi ve karakterizasyonu

    Synthesis and characterization of Mn doped CdS nanoparticles

    ESRA ERBİLEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH GÜNEN

  3. Mangan katkılı çinko oksit ince filmlerin manyetik, optik ve elektriksel özellikleri

    Magnetic, optic and electrical properties of manganese doped zinc oxide thin films

    HASAN TÜRKAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FAİK MİKAİLZADE

  4. Mangan katkılı yarıiletkenlerde elektron spin resonans (ESR) spektrumlarının incelenmesi

    Investigation of electron spin resonance (ESR) spectra of Mn(manganese) doped semiconductors

    FATMA ASLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU

  5. Farklı oranlarda Mn katkılı CuO ince filmlerin sılar yöntemiyle üretilmesi ve karakterizasyonu

    Production and characterization of CuO thin films with different mn cocentrations by the silar method

    ERTAN ANİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMustafa Kemal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HACI ALİ ÇETİNKARA