Dalgaboyu genişletilmiş swır dedektör uygulaması için (100) InP alttaş üzerine büyütülen zengin indiyum içerikli InxGa1-xAs epitaksiyel katmanların karekterizasyonu
Characterization of indium rich InxGa1-xAs epitaxial layers grown on (100) InP substrate for extended wavelength swir detector application
- Tez No: 810512
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İSMAİL ALTUNTAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Science and Technology, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fen Bilimleri ve Teknolojileri Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 109
Özet
Bu tez çalışmasında, Metal Organik Buhar Fazı Epitaksi (MOVPE) tekniği kullanılarak zengin In içerikli (x>0.53) InxGa1-xAs yapıları (100) InP alttaş üzerine epitaksiyel olarak büyütülmüş ve detaylı karakterizasyonları yapılmıştır. Bu kapsamda, örgü uyumsuz InxGa1-xAs/InP yapılarının kristal kalitesi, yapılan gaz akışı çalışmaları, Si katkılama çalışması ve büyütme sıcaklığı çalışması olmak üzere, farklı optimizasyon koşulları altında araştırılmıştır. Si katkılı ve katkısız olarak büyütülen zengin In içerikli InxGa1-xAs epitaksiyel ince filmlerin yapısal karakterizasyonu yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HR-XRD) cihazı ile, elektriksel karakterizasyonu Hall ölçümü cihazı ile ve optik karakterizasyonu Fotolüminesans (PL) ölçüm sistemi ile gerçekleştirilmiştir. Yapılan karakterizasyon çalışmaları sonucunda, zengin In içerikli InxGa1-xAs yapılarının alaşım oranının, kristal kalitesinin, elektriksel ve optik özelliklerinin tez kapsamında incelenen parametrelere bağlı olarak etkilendiği görülmüştür. Sonuç olarak, en düşük In içeriği x=0.610 dan en yüksek In içeriği x=0.675 e olmak üzere 12 adet zengin In içerikli örgü uyumsuz InxGa1-xAs/InP yapısı genişletilmiş SWIR (1.7-3 µm) dedektör yapıları için MOVPE tekniği ile başarılı bir şekilde büyütülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this thesis, Indium-rich (x>0.53) InxGa1-xAs structures were grown on (100) InP substrate epitaxially by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) technique and were characterized in detail. In this context, the crystal quality of In-rich InxGa1-xAs /InP structures has been investigated under different optimization conditions including Si doping, gas flow, and growth temperature studies. Structural characterization, electrical characterization, and optical characterization of In-rich InxGa1-xAs epitaxial thin films with Si-doped and undoped growth were analyzed with high-resolution X-ray diffraction (HR-XRD) device, Hall measurement device, and Photoluminescence (PL) measurement system, respectively. The result of the characterization studies has been seen that the alloy ratio, crystal quality, and electrical and optical properties of indium-Rich InxGa1-xAs structures were affected depending on the parameters examined in the thesis. As a result, the 12 lattices mismatched InxGa1-xAs/InP structures, with the lowest In content from x=0.610 to the highest In content x=0.675, were successfully grown by the MOVPE technique for extended SWIR (1.7-3 µm) detector applications.
Benzer Tezler
- Molecular beam epitaxial growth and characterization of extended short wavelength infrared mercury cadmium telluride detectors
Uzatılmış kısa dalga boyu kızılötesi cıva kadmiyum tellür dedektörlerin moleküler ışın epitaksisi ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
EMRAH ŞAŞMAZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Fabrication and characterization of SWIR/eSWIR dual-band nBn InGaAs focal plane arrays
Çift bantlı KDK/gKDK nBn InGaAs odak düzlem dizinlerinin üretilmesi ve karakterize edilmesi
MUSA SELİM GÜL
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERDAR KOCAMAN
- Development of a femtosecond Cr:ZnSe seed laser for regenerative amplification
Genişletilmiş darbeli yükselticiler için femtosaniye Cr:ZnSe laserinin geliştirilmesi
MELİSA NATALİ ÇİZMECİYAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiKoç ÜniversitesiMalzeme Mühendisliği Bölümü
PROF. DR. ALPHAN SENNAROĞLU
- Green diode pumping of femtosecond Ti3+:sapphire lasers and the first demonstration of 2.3-µm laser operation in trivalent thulium-doped KY3F10 and BaY2F8 fluoride crystals
Başlık çevirisi yok
ABDULLAH MUTİ
Doktora
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiKoç ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALPHAN SENNAROĞLU
- Photoacoustic signal detection via atomic force microscopy cantilevers
Atomik kuvvet mikroskobu manivelaları ile fotoakustik sinyal ölçümü
AYTAÇ DEMİRKIRAN
Doktora
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiFizik Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET BURÇİN ÜNLÜ