Geri Dön

Wi-Fi frekansında RF enerji hasadı için parametre analizi

Parameter analysis for RF energy harvesting at Wi-Fi frequency

  1. Tez No: 855607
  2. Yazar: SERTAÇ KAAN TOKYAY
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. FİLİZ SARI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Aksaray Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 76

Özet

Bu çalışmada, üretici firmalar tarafından üretilmiş olan toplu elemanların (Lumped Components) kullanımı göz önünde bulundurularak 2.45 GHz ve 5,8 GHz frekanslarında 1. kademeden 6. kademeye kadar RF Enerji Hasadı devreleri incelenmiştir. Bütün analizler simülasyon yoluyla yapılıp simülasyonlar, Advanced Design System (ADS) 2016 programı kullanılarak yapılmıştır. Sistem 50 Ω iç dirence sahip bir antenden, 2.450 GHz ve 5,8 GHz (Wi-Fi) frekansında çalışacak şekilde düşünülmüştür. Doğrultma devresi için HSMS2850, HSMS2852, HSMS285B, HSMS285C, HSMS2860, HSMS2862, HSMS286B, HSMS2820, HSMS2822, HSMS2810 ve SMS7630 Schottky diyotlarının kullanımı göz önünde bulundurulmuştur. Her bir diyot için bu frekansta sistemin veriminin en yüksek olduğu yük direnci -30 dBm ile 0 dBm aralığındaki giriş gücü için incelenmiştir. Verimi yükseltmek amacıyla L tipi (L-C) empedans uyumlama devresi tasarımı yapılmış, elde edilen değerlere yakın değerleri veren Murata firmasının ürünlerinin parametreleri kullanılmıştır. Son olarak, üretici firma ürünlerinin kullanılmasıyla ideal değerlerden uzaklaşan verimi ideale yaklaştırabilmek için açık – seri iletim hattı (Transmission Line (TL)) kullanılarak, elde edilen sistemin çıkış gerilimi ve verimi analiz edilmiştir. İncelenen diyotlar arasında 2,45 GHz frekansında en yüksek verim SMS7630 diyotu için 2,7 kΩ yük direncinde -1 dBm giriş gücünde % 46 olarak, en yüksek çıkış gerilimi ise HSMS286B diyotu için 3. kademede 36,6 kΩ yük direncinde 0 dBm giriş gücünde 3 V olarak elde edilmiştir. 5,8 GHz frekansında en yüksek verim SMS 7630 diyotu için 2 kΩ yük direncinde 0 dBm giriş gücünde % 35 olarak, en yüksek çıkış gerilimi ise SMS7630 diyotu için 6. kademede 15,3 kΩ yük direncinde 0 dBm giriş gücünde 1,67 V olarak elde edilmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, circuit of 2.45 GHz and 5,8 GHz RF energy harvesting from 1st stage to 6th stage which is considered that use of lumped components that produced by manufacturing companies, has been studied. All analyzes have been made through simulation using the Advanced Design System (ADS) 2016 program. The system was designed to operate at a frequency of 2.450 GHz and 5,8 GHz (Wi-Fi) with a 50 Ω internal resistance antenna. For the rectification circuit, the use of HSMS2850, HSMS2852, HSMS285B, HSMS285C, HSMS2860, HSMS2862, HSMS286B, HSMS2820, HSMS2822, HSMS2810, and SMS7630 Schottky diodes have been considered. The load resistance at which the system efficiency is highest at this frequency and the input power ranging from -30 dBm to 0 dBm were determined, for each diode. An L-type (L-C) impedance matching circuit design was developed to enhance the efficiency, and Murata products parameters that closely match the obtained values were used. Finally, the output voltage and efficiency of the resulting system were analyzed by using an open-serial transmission line (TL) in order to bring the efficiency, which is away from ideal values by using the manufacturer's products, closer to the ideal. Among the examined diodes, the highest efficiency was obtained for SMS7630 diode as 46% at a load resistance of 2.7 kΩ and -1 dBm input power. The highest output voltage was obtained for HSMS286B diode as 3 V at 3rd stage, a load resistance of 36.6 kΩ and 0 dBm input power with 2,45 GHz frequency. The highest efficiency was obtained for SMS7630 diode as 35% at a load resistance of 2 kΩ and 0 dBm input power. The highest output voltage was obtained for SMS7630 diode as 1,67 V at 6th stage, a load resistance of 15,3 kΩ and 0 dBm input power with 5,8 GHz frequency.

Benzer Tezler

  1. Görece kısa süreli WiFi ışıması biyolojik dokuları etkiliyor mu?

    Does relatively short term exposure to WiFi affect bi̇ologi̇cal ti̇ssues ?

    YASEMİN MARAŞLIGİLLER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Biyomühendislikİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FATMA İNCİ ÇİLESİZ

  2. Radio frequency power amplifiers for radar and protable communication systems

    Radar ve portatif haberleşme sistemleri için radyo frekansı güç amplifikatörü

    ALI MOHAMED YOUNES ABOZIED

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECMİ SERKAN TEZEL

  3. A compact two stage GaN power amplifier design for sub-6GHz 5G base stations

    6GHz altı 5G baz istasyonuları için kompakt iki katlı GaN güç yükselteç tasarımı

    BURAK BERK TÜRK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERKAN ŞİMŞEK

    DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN ŞERİF SAVCI

  4. Time difference of arrival based passive sensing and positioning system integrated into moving platforms

    Geliş zamanı farkı yaklaşımlı hareketli platformlara entegre pasif yayın algılama ve konumlandırma sistemi

    BURAK AHMET ÇELEBİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET NURİ AKINCI

  5. Design of various VCO topologies and performance comparison at 2.4 GHz

    Farklı yapılarda VCO tasarımları ve 2.4 GHz'de performans karşılaştırması

    MEHMET BATI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NİL TARIM