Wi-Fi frekansında RF enerji hasadı için parametre analizi
Parameter analysis for RF energy harvesting at Wi-Fi frequency
- Tez No: 855607
- Danışmanlar: DOÇ. DR. FİLİZ SARI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Enerji hasadı, Schottky diyodları, Energy harvest, Schottky diodes
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Aksaray Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, üretici firmalar tarafından üretilmiş olan toplu elemanların (Lumped Components) kullanımı göz önünde bulundurularak 2.45 GHz ve 5,8 GHz frekanslarında 1. kademeden 6. kademeye kadar RF Enerji Hasadı devreleri incelenmiştir. Bütün analizler simülasyon yoluyla yapılıp simülasyonlar, Advanced Design System (ADS) 2016 programı kullanılarak yapılmıştır. Sistem 50 Ω iç dirence sahip bir antenden, 2.450 GHz ve 5,8 GHz (Wi-Fi) frekansında çalışacak şekilde düşünülmüştür. Doğrultma devresi için HSMS2850, HSMS2852, HSMS285B, HSMS285C, HSMS2860, HSMS2862, HSMS286B, HSMS2820, HSMS2822, HSMS2810 ve SMS7630 Schottky diyotlarının kullanımı göz önünde bulundurulmuştur. Her bir diyot için bu frekansta sistemin veriminin en yüksek olduğu yük direnci -30 dBm ile 0 dBm aralığındaki giriş gücü için incelenmiştir. Verimi yükseltmek amacıyla L tipi (L-C) empedans uyumlama devresi tasarımı yapılmış, elde edilen değerlere yakın değerleri veren Murata firmasının ürünlerinin parametreleri kullanılmıştır. Son olarak, üretici firma ürünlerinin kullanılmasıyla ideal değerlerden uzaklaşan verimi ideale yaklaştırabilmek için açık – seri iletim hattı (Transmission Line (TL)) kullanılarak, elde edilen sistemin çıkış gerilimi ve verimi analiz edilmiştir. İncelenen diyotlar arasında 2,45 GHz frekansında en yüksek verim SMS7630 diyotu için 2,7 kΩ yük direncinde -1 dBm giriş gücünde % 46 olarak, en yüksek çıkış gerilimi ise HSMS286B diyotu için 3. kademede 36,6 kΩ yük direncinde 0 dBm giriş gücünde 3 V olarak elde edilmiştir. 5,8 GHz frekansında en yüksek verim SMS 7630 diyotu için 2 kΩ yük direncinde 0 dBm giriş gücünde % 35 olarak, en yüksek çıkış gerilimi ise SMS7630 diyotu için 6. kademede 15,3 kΩ yük direncinde 0 dBm giriş gücünde 1,67 V olarak elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, circuit of 2.45 GHz and 5,8 GHz RF energy harvesting from 1st stage to 6th stage which is considered that use of lumped components that produced by manufacturing companies, has been studied. All analyzes have been made through simulation using the Advanced Design System (ADS) 2016 program. The system was designed to operate at a frequency of 2.450 GHz and 5,8 GHz (Wi-Fi) with a 50 Ω internal resistance antenna. For the rectification circuit, the use of HSMS2850, HSMS2852, HSMS285B, HSMS285C, HSMS2860, HSMS2862, HSMS286B, HSMS2820, HSMS2822, HSMS2810, and SMS7630 Schottky diodes have been considered. The load resistance at which the system efficiency is highest at this frequency and the input power ranging from -30 dBm to 0 dBm were determined, for each diode. An L-type (L-C) impedance matching circuit design was developed to enhance the efficiency, and Murata products parameters that closely match the obtained values were used. Finally, the output voltage and efficiency of the resulting system were analyzed by using an open-serial transmission line (TL) in order to bring the efficiency, which is away from ideal values by using the manufacturer's products, closer to the ideal. Among the examined diodes, the highest efficiency was obtained for SMS7630 diode as 46% at a load resistance of 2.7 kΩ and -1 dBm input power. The highest output voltage was obtained for HSMS286B diode as 3 V at 3rd stage, a load resistance of 36.6 kΩ and 0 dBm input power with 2,45 GHz frequency. The highest efficiency was obtained for SMS7630 diode as 35% at a load resistance of 2 kΩ and 0 dBm input power. The highest output voltage was obtained for SMS7630 diode as 1,67 V at 6th stage, a load resistance of 15,3 kΩ and 0 dBm input power with 5,8 GHz frequency.
Benzer Tezler
- Dokuma kumaşlarda örgü tipinin ham kumaşın boyutları ve geometrik özellikleri üzerindeki etkilerinin araştırılması
Başlık çevirisi yok
EMEL ÖNDER
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜNGÖR BAŞER
- Bromtimol mavisi, bromkresol moru ve klorfenol kırmızısı indikatörleri katılmış özel besiyerlerinin sütlerde antibiyotik belirtilmesine uygunluğu üzerine araştırmalar
Başlık çevirisi yok
ESENGÜL TUNCER
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Gıda MühendisliğiEge ÜniversitesiSüt Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN YAYGIN
- Bir pamuk iplikhanesinde fiili çalışma metodlarının incelenmesi ve mevcut işlemlerin standart sürelerinin saptanması
Başlık çevirisi yok
MÜRŞİDE KESEROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
İşletmeEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA NAZMİ ERCAN
- Türkiye trafik düzeninde kazaların azaltılması açısından yeni trafik kanunu uygulaması ile ilgili sorunlar ve çözüm yolları
Başlık çevirisi yok
ERDAL UÇAR
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
UlaşımGazi ÜniversitesiKazaların Çevresel ve Teknik Araştırması Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
PROF. DR. RIDVAN EGE
- Çeşitli rib örgülerin boyutsal özellikleri üzerine bazı araştırmalar
Başlık çevirisi yok
ARZU YAĞCI
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ARİF KURBAK