Silisyum güneş pillerinin karakterizasyonu ve optimum aygıt parametrelerinin belirlenmesi
Characterization of silicon solar cells and determination of optimum device parameters
- Tez No: 865216
- Danışmanlar: DOÇ. DR. GÖRKEM OYLUMLUOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışma kapsamında, Si güneş pillerinin ileri teknoloji ürünü ince film büyütme tekniklerinden olan Plazma Yardımlı Kimyasal Buhar Fazdan Büyütme (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition-PECVD) ve Kimyasal Buhar Fazdan Büyütme (Chemical Vapor Deposition-CVD) sistemleri kullanılarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve sayısal benzetişimi hedeflenmiştir. Si güneş pillerinin bütün katmanları vakum ortamında katkısız silikon alttaşlar üzerine büyütülmüştür. P-tipi veya n-tipi katkılı soğurucu tabakalar ve üretilen elektriğin toplandığı metal kontaklar ayrı ayrı vakum odalarında ve farklı ince film büyütme sistemlerinde büyütülmüştür. Güneş ışığını soğuran tabakanın temel karanlık iletkenlik ile ışıl iletkenlik ölçümleri, azınlık yük taşıyıcıların karanlık ve ışıl transfer özelliklerinin ölçümleri, üretilen soğurucu tabakanın ışık altında bozunum karakteristikleri ile grainli yapıdaki çok katmanlı yapının grain karakteristikleri ayrıntılı olarak incelenmiştir. Üretilen Güneş pillerinin en önemli parametreleri açık devre gerilimi (Voc), kısa devre akımı (Isc), doluluk faktörü (FF) ve enerji dönüşüm verimi (η) dir. Güneş pilleri üretimi yapıldıktan sonra, çok katmanlı güneş pilinin kuartz halojen lamba kullanılarak karanlık ve ışık altında akım-gerilim eğrileri, açık devre gerilimi (Voc), kısa devre akımı (Isc) ve güneş ışığını elektrik enerjisine dönüşüm veriminin (η) ölçümleri yapılmıştır.
Özet (Çeviri)
Within the scope of this study, the growth, characterization and numerical simulation of Si solar cells using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) and Chemical Vapor Deposition (CVD) systems, which are high-tech thin film growth techniques, were carried out targeted. All layers of Si solar cells were grown on pure silicon substrates in a vacuum environment. P-type or n-type doped absorber layers and metal contacts where the generated electricity is collected were grown separately in vacuum chambers and different thin film growth systems. The basic dark conductivity and photoconductivity measurements of the sunlight-absorbing layer, the measurements of the dark and light transfer properties of minority charge carriers, the degradation characteristics of the produced absorber layer under light, and the grain characteristics of the grained multilayer structure were examined in detail. The most important parameters of the solar cells produced are open circuit voltage (Voc), short circuit current (Isc), load factor (FF) and energy conversion efficiency (η). After the solar cells were produced, current-voltage curves, open circuit voltage (Voc), short circuit current (Isc) and sunlight conversion efficiency (η) of the multilayer solar cell were measured in the dark and under light using a quartz halogen lamp.
Benzer Tezler
- a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu
The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells
OKAN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- Foto-iletkenlik ölçüleri için uygun silisyum numunelerin hazırlanması
Başlık çevirisi yok
AYTEKİN ERDEM
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. HASAN AKBAŞ
- Amorf silisyum karbür filmlerinin hazırlanması ve çeşitli fiziksel özelliklerinin ölçümü
Başlık çevirisi yok
RAMAZAN ESEN
Doktora
Türkçe
1986
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. REMZİ ENGİN
- Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile amorf silisyum filmlerde yerleşik durum yoğunluğunun belirlenmesi
Başlık çevirisi yok
GÜLEN AKTAŞ