Geri Dön

Ion implantation for homogeneous and selective emitter formation on single crystal solar cells

İyon implantasyonu ile tek kristal güneş hücrelerinde homojen ve seçici emitter oluşumu

  1. Tez No: 898808
  2. Yazar: MUSTAFA BÜYÜKGÜZEL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. RAŞİT TURAN, DR. BÜLENT ARIKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 86

Özet

İyon implantasyonu, özellikle tek taraflı katkılama özelliği ile, kristal silisyum bazlı güneş hücrelerinin üretiminde önemli avantajlar sunar. Bu teknik hem bor hem de fosfor emitörlerinin hassas bir şekilde oluşturulmasına olanak tanır ve taşıyıcı konsantrasyonu ve derinliği üzerinde titiz kontrol sağlar. Fosfosilikat Cam (PSG), Borosilikat Cam (BSG) veya Bor Zengin Tabaka (BRL) kaldırma ihtiyacını ortadan kaldırır. Ayrıca, iyon implantasyonu yüksek hassasiyetle seçici emitör yapılarının kolayca oluşturulmasını sağlar. Bu çalışmada, hem p-tipi hem de n-tipi emitör yapılarının üretimi için iyon implantasyonu parametreleri incelenmiştir. Ayrıca, iyon implantasyonu yoluyla seçici emitörler ile PERC (Passivated Emitter Rear Cell) güneş hücreleri üretilmiş ve bunların performansı termal difüzyon süreci kullanılarak üretilen muadilleri ile karşılaştırılmıştır. Sonuçlarımız, iyon implantasyonunun daha iyi bir tekdüzelik ile seçici emitör bölgeleri oluşturabildiğini ve termal difüzyon süreciyle karşılaştırıldığında benzer verimlilik sağladığını göstermektedir, bu da iyon implantasyonunun güneş hücresi performansını artırma potansiyelini ortaya koymaktadır.

Özet (Çeviri)

Ion implantation offers significant advantages in the production of crystalline silicon-based solar cells, notably through its capability for single-sided doping. This technique enables the precise creation of both boron and phosphorus emitters, allowing for meticulous control over dopant concentration and junction depth, eliminating the need for Phosphosilicate Glass (PSG), Borosilicate Glass (BSG), or Boron Rich Layer (BRL) removal. Additionally, ion implantation facilitates the straightforward formation of selective emitter structures with high precision. In this study, we investigate the ion implantation parameters for fabricating both p-type and n-type emitter structures. Furthermore, we produce PERC (Passivated Emitter Rear Cell) solar cells with selective emitters via ion implantation and compare the performance with those produced using the thermal diffusion process. Our results demonstrate that ion implantation can create selective emitter regions with better uniformity and similar efficiency when compared with the thermal diffusion process, showcasing its potential for enhancing solar cell performance.

Benzer Tezler

  1. Microstructural and mechanical characterization of nitrogen ion implanted and plasma ion nitrided plastic injection mould steel

    Nitrojen iyonu implante edilmiş ve plazma nitrasyonu yapılmış plastik injeksiyon kalıp çeliğinin mikroyapısal ve mekanik özelliklerinin karakterizasyonu

    ORTAÇ ONMUŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Metalurji Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN ÖZTÜRK

    DOÇ. DR. MUSTAFA GÜDEN

  2. Moleküler baskılanmış kriyojel disklerden florourasil salınımı

    Fluorouracil delivery from molecularly imprinted cryogel disks

    KEMAL ÇETİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    BiyokimyaHacettepe Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADİL DENİZLİ

  3. Dynamic ion behavior in plasma source ion implantation

    Plazma kaynaklı iyon ekiminde dinamik iyon hareketi

    BİGE BOZKURT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF.DR. SİNAN BİLİKMEN

  4. Ion implanted homojunction crystalline silicon solar cells

    İyon implante edilmiş homoeklem kristal silisyum güneş hücreleri

    GENCE BEKTAŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    EnerjiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

    PROF. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN

  5. Biocompatibility and microstructural characterization of PVD coated and nitrogen implanted Co-Cr alloy

    Azot implante edilmiş ve PVD kaplanmış Co-Cr alaşımının mikroyapı karakterizasyonu ve biyouyumluluğu

    UĞUR TÜRKAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Metalurji Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. ORHAN ÖZTÜRK