Geri Dön

GaAs tabanlı güneş pillerine yüksek enerjili proton ışınlarının etkileri

Effects of high energy proton rays on GaAs based solar cells

  1. Tez No: 919933
  2. Yazar: HİLAL AYDEMİR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SERDAR KARADENİZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Energy
  6. Anahtar Kelimeler: GaAs, güneş pili, proton ışıması, radyasyon hasarı, SRIM/TRIM, GaAs, solar cell, proton radiation, radiation damage, SRIM/TRIM
  7. Yıl: 2025
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Giresun Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, yüksek enerjili proton ışınlamasının galyum arsenit (GaAs) bazlı güneş pillerine olan etkisi araştırılmıştır. Bunun için madde ile iyon etkileşmelerini incelemek üzere SRIM (Maddedeki İyonların Durması ve Menzili) simülasyon programı kullanılmıştır. Bu program ile GaAs güneş pilleri sistematik olarak yüksek enerjili proton ışınlarının değişen akı şiddetlerine maruz bırakılarak bir uzay radyasyon koşulları simüle edilmiştir. Yüksek enerjili ışınlara maruz kalan pil yapılarındaki hasarlar ve dolayısıyla açık devre voltajı (Voc), kısa devre akımı (Isc), doldurma faktörü (FF) gibi temel performans parametreleri üzerine olası etkileri değerlendirilmiştir. Ayrıntılı simülasyon analizi yoluyla yapı içerisindeki iyon durdurma ve iyon-geri tepme dağılımları, ortalama yerdeğiştirme gibi iyonize radyasyon etkileri tayin edilmiştir. Böylece, proton ışınlarının GaAs yapısında oluşan ve fotovoltaik performansını etkileyen mekanizmalar aydınlatılmaya çalışılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this study, the effect of high energy proton irradiation on gallium arsenide (GaAs) based solar cells was investigated. For this purpose, the SRIM (Stopping and Ranging of Ions in Matter) simulation program was used to investigate the interactions between matter and ions. With this program, GaAs solar cells were systematically exposed to varying flux intensities of high energy proton beams to simulate space radiation conditions. Damages in cell structures exposed to high energy beams and therefore possible effects on basic performance parameters such as open circuit voltage (Voc), short circuit current (Isc), filling factor (FF) were evaluated. Through detailed simulation analysis, ion stopping and ion-recoil distributions within the structure, and ionizing radiation effects such as mean displacement were determined. Thus, the mechanisms that proton beams form in the GaAs structure and affect photovoltaic performance were tried to be elucidated.

Benzer Tezler

  1. Üzüm sularının pastörizasyonu ve kontsantresi sırasında hidroksimetilfurfural oluşumu üzerinde bir araştırma

    Başlık çevirisi yok

    ŞERİFE ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    Gıda MühendisliğiEge Üniversitesi

    Tarım Ürünleri Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYDIN URAL

  2. 5 Cl Pu-Be nötron kaynağı kullanarak aktivasyon analizi ile analizi mümkün olan elementlerin dedeksiyon limitlerinin tespiti

    Investigation of the possibility in analysis of elements by activation analysis and determination of detection limits of proposed elements using a 5 Cl Pu-Be neutron source

    İSMET ÇELENK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Nükleer MühendislikGazi Üniversitesi

    DOÇ. DR. ATİLLA ÖZMEN

  3. Patates meristem uçlarından çoklu sürgün elde edilmesinde büyüme regülatörlerinin etkisi

    Başlık çevirisi yok

    ZİHİN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    ZiraatEge Üniversitesi

    Tarla Bitkileri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÜLKÜ EMİROĞLU