Extraction and scling of TOM model parameters of GaAs MESFETS
GaAs MESFET'lerin TOM model parametrelerinin bulunması ve ölçeklendirilmesi
- Tez No: 93241
- Danışmanlar: PROF. DR. CANAN TOKER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: TOM, MESFET, küçük-işaret parametreleri, büyük-işaret parametreleri, dış devre elemanları, iç devre elemanları, ölçeklendirme iv HC YÜKSEKÖĞRETİM KURULü DOKÜMANTASYON MERKEZİ, Parametreler, TOM modeli, Transistör, Yarı iletkenler, TOM, MESFET, small-signal parameters, large-signal parameters, extrinsic circuit elements, intrinsic circuit elements, scaling in, Parameters, TOM model, Transistor, Semiconductors
- Yıl: 2000
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
öz GaAs MESFET'LERIN TOM MODEL PARAMETRELERİNİN BULUNMASI VE ÖLÇEKLENDİRİLMESİ ÇELEBİ, Abdullah Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Canan Toker Ağustos 2000, 107 sayfa Bu tezde, GaAs Metal Yarıiletken Alan Etkili Transistörlerin (MESFETs) Triquint's Own Model' inde (TOM) yer alan DC, küçük- işaret, ve büyük-işaret parametrelerinin bulunması amaçlanmıştır. Bu 27 parametrenin elde edilmesi amacıyla, değişik kapı genişliği ve kapı parmak sayısına sahip 10 transistor üzerinde, bozulma gerilimi ölçümü, eşik gerilimi ölçümleri, ileri kapı gerilimi ölçümleri, ve DC akım-gerilim ölçümlerinden oluşan DC ölçümleri ile iç ve dış devre elemenlan için S-parametreleri ölçümleri yapılmıştır. Parametreleri elde etmek için bir yöntem belirlenmiş ve bu yöntem kullanılarak DC, küçük-işaret, ve büyük işaret parametreleri bulunmuştur. Parametrelerin elde edilmesinden sonra, ölçeklendirilebilir parametreler için ölçeklendirme ifadeleri tanımlanmış ve bu ifadelerdeki katsayılar belirlenmiştir, ölçeklendirme ifadeleri kullanılarak bulunan parametreler ile ölçüm sonucunda elde edilen parametreler karşılaştırılmış ve parametreleri elde etme yönteminin doğruluğunu gösteren tatmin edici uyumlar elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT EXTRACTION AND SCALING OF TOM MODEL PARAMETERS OF GaAs MESFETS ÇELEBİ, Abdullah M.Sc, Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Prof. Dr. Canan Toker August 2000, 1 14 pages In this thesis, the extraction and scaling of DC, small-signal, and large- signal parameters of Triquint's Own Model (TOM) for GaAs Metal Semiconductor Field Effect Transistors (MESFETs) is aimed. For the extraction of these 27 parameters, DC measurements, consisting of the breakdown voltage measurement, pinch-off voltage measurements, forward-bias gate measurements, and DC i-v measurements, and S-parameters measurements for extrinsic and intrinsic circuit elements are performed for 10 transistors with various gate widths and finger numbers. A procedure to extract the parameters is defined and using this procedure the DC parameters, small-signal parameters and large-signal parameters are extracted. After extraction of the parameters, expressions for the scaling factors for the scalable parameters are defined and the coefficients within the expressions are determined. Parameters scaled from the stated scaling factor expressions using a reference transistor are compared with the extracted parameters and it is observed that satisfactory fits between the scaled and extracted parameters are obtained, which is a sign of accurate parameter extraction.
Benzer Tezler
- Kızıldere jeotermal rezervuarının teknik ve ekonomik değerlendirilmesi
Technical and economical evaluation of Kızıldere geothermal field
UMRAN SERPEN
- Deprem sonrasında binaların hasar tespitinde kullanılan yapay öğrenme algoritmalarının analizi
Analysis of machine learning algorithms used in post-earthquake building damage assessment
SERHAT MÜRSEL KÖROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Jeodezi ve Fotogrametriİstanbul Teknik ÜniversitesiBilişim Uygulamaları Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CANER GÜNEY
- Nadir toprak elementlerinin kömür küllerinden ve kömür yıkama atıklarından membran prosesler ile geri kazanımı
Recovery of rare earth elements from coal ashes and coal washing waste by membrane processes
GİZEM TUNCAY
Doktora
Türkçe
2026
Çevre Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiÇevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL KOYUNCU
- Laser fabrication of in-chip multi-layer micro-channels
Lazer ile yonga-içi çok katmanlı mikro-kanal üretimi
MUHAMMAD AHSAN TAUSEEF
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
YRD. DOÇ. ONUR TOKEL
- Fiziksel ve kimyasal çapraz bağlı DNA hidrojellerinin sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of physical and chemical DNA hydrogels
HÜSNİYE ÇAKMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OĞUZ OKAY