Geri Dön

Düşük güç tüketimli analog devre tasarımı

Low power analog circuit design

  1. Tez No: 943228
  2. Yazar: ELİF DEMİRCİ
  3. Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ SİNEM KELEŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2025
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Medeniyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 136

Özet

Elektronik cihazlarda artan enerji tasarrufu talebi, kablosuz teknoloji, biyomedikal cihazlar, CMOS teknolojisinin ölçeklendirilmesine yönelik eğilimler düşük güçlü devre tasarımlarını zorunlu kılmaktadır. CMOS teknolojilerinin eşik gerilimleri düşük gerilimli analog devre tasarımında karşılaşılan zorluklardan biridir. Eşik voltajının üstesinden gelerek düşük güçlü, düşük gerilimli devre tasarlamak için uygulanan tekniklerden biri Dinamik Eşik Gerilimli MOSFET' tir. Buna ek olarak kullanılabilecek bir diğer yöntem ise Fin alan etkili (FinFET) transistördür. Bu yöntemler düşük gerilimli analog devre tasarımlarının performansını iyileştirir fakat düşük gerilimli analog devre tasarımında gerilim modlu devreler ile akım modlu devreler karşılaştırıldığında akım modlu devreler düşük güç tüketimi, geniş doğrusallık, büyük bant genişliği ve daha iyi kararlılık sunar.Bu tez çalışmasında, düşük gerilimli ve düşük güçlü tümüyle diferansiyel girişli akım taşıyıcı (FDCCII) ve çift X-uçlu diferansiyel fark akım taşıyıcı (DXDDCC) akım modlu devre blokları önerilmiştir. FDCCII devresi VX1 = VY1-VY2+VY3, VX2 = -VY1+VY2+VY4, IZ1 = IX1–IX2 ve IZ2 = IX2–IX1 bağıntılarını sağlayacak şekilde tasarlanmıştır. DXDDCC devresi ise VX1 = VY1-VY2+VY3, VX2 = -VY1+VY2-VY3, IZ1 = IX1-IX2 ve IZ2 = IX2-IX1 bağıntılarını sağlayacak şekilde tasarlanmıştır. FDCCII ve DXDDCC devreleri Fin alan etkili (FinFET) transistör, MOSFET ve DTMOS transistörleri ile tasarlanmıştır. Devre tasarımında FinFET, MOSFET ve DTMOS transistörleri kullanılarak gerçekleştirilen bu akım taşıyıcıların performansları incelenmiştir. Dört bölgeli analog çarpıcı devresi, tümüyle diferansiyel girişli akım taşıyıcı devresinin bir uygulaması olarak tasarlanmıştır. KHN (Kerwin-Huelsman-Newcomb) süzgeci ise çift X-uçlu diferansiyel fark akım taşıyıcı devresinin bir uygulaması olarak tasarlanmıştır. Tümüyle diferansiyel girişli akım taşıyıcı (FDCCII), çift X-uçlu diferansiyel fark akım taşıyıcı (DXDDCC) ve uygulama devreleri LTspice programı ile 45nm PTM teknoloji parametreleri kullanılarak benzetimi yapılmıştır.

Özet (Çeviri)

Increasing demand for energy savings in electronic devices, wireless technology, biomedical devices, and trends towards scaling CMOS technology necessitate low-power circuit designs. Threshold voltages of CMOS technologies are one of the challenges in low voltage analog circuit design. One of the techniques applied to design a low-power, low-voltage circuit by overcoming the threshold voltage is DTMOS (Dynamic Threshold-Voltage MOSFET). In addition, another method that can be used is the FinFET transistor. These methods improve the performance of low-voltage analog circuit designs but when voltage-mode circuits are compared with current-mode circuits in low-voltage analog circuit design, current-mode circuits offer lower power consumption, wide linearity, larger bandwidth and better stability. In this thesis, low-voltage low-power fully differential current conveyor (FDCCII) and dual-X differential difference current conveyor (DXDDCC) current mode building blocks are proposed. The FDCCII circuit is designed to satisfy the equations VX1 = VY1-VY2+VY3, VX2 = -VY1+VY2+VY4, IZ1 = IX1–IX2 and IZ2 = IX2–IX1. The DXDDCC circuit is designed to satisfy the equations VX1 = VY1-VY2+VY3, VX2 = -VY1+VY2-VY3, IZ1 = IX1–IX2 and IZ2 = IX2–IX1. FDCCII and DXDDCC circuits are designed with FinFET technology, MOSFET and DTMOS transistors. In circuit design, the performance of these current conveyors implemented using FinFET, MOSFET and DTMOS transistors has been analyzed. The four-quadrant analog multiplier circuit has been designed as an application of the fully differential current conveyor circuit. KHN (Kerwin-Huelsman-Newcomb) filter has been designed as an application of the dual-X differential difference current conveyor circuit. FDCCII, DXDDCC and application circuits are simulated with LTspice program by using 45nm PTM technology parameters.

Benzer Tezler

  1. New possibilities in low-voltage analog circuit design using DTMOS transistors

    DTMOS kullanan düşük gerilimli analog devre tasarımında yeni olanaklar

    ATİLLA UYGUR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HULUSİ HAKAN KUNTMAN

  2. New opportunities in analog circuit design provided by memristor

    Memristörün analog devre tasarımına katacağı yeni olanaklar

    ŞUAYB ÇAĞRI YENER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HULUSİ HAKAN KUNTMAN

  3. Low power small size magnetic resonance imaging signal acquisition system with optical connections

    Manyetik rezonans görüntüleme için düşük güç tüketimli ve küçük boyutlu optik bağlantılı işaret alma sistemi

    İLKCAN NUHOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH ATALAR

  4. Low-power low-noise highly programmable digital accelerometer readout for high performance MEMS accelerometers

    Yüksek performanslı MEMS ivmeölçerler için düşük güç tüketimli düşük gürültülü kapsamlı programlanabilir okuma sistemi tasarımı

    BERK ENGİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAYFUN AKIN

  5. A low-power capacitive integrated CMOS readout circuitry for high performance MEMS accelerometers

    Yüksek performanslı MEMS ivmeölçerler için düşük güç tüketimli kapasitif tümleşik CMOS okuma devresi

    OSMAN SAMET İNCEDERE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAYFUN AKIN