Geri Dön

A Theoretical model for the epitaxiol growth of Si(100) surface

Si(100) yüzeyi üzerinde epikatman büyüme modeli

  1. Tez No: 96190
  2. Yazar: SEFA DAĞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SALİM ÇIRACI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Silisyum, dimer bağlar, sıcaklık, epikatman büyüme, ab-initio elektronik yapi. MkOmmcusvon mXMMMÜ, Silicon, dimer bonds, temperature, epitaxial growth, ab-initio electronic structure
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 64

Özet

Özet SI(IOO) yüzeyi üzerinde epikatman buyume MODELİ Sefa Dağ Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Prof. Salim Çıracı Ocak 2000 Bu çalışma, genel olarak Si(100) yüzeyinde atomik skaladaki büyüme mekanizmalarını ele almaktadır. Yüzeyin yapısal özelliklerinin ve sıcaklığa göre davranışının irdelenmesinde“ Ab-Initio-K\ıva,ntum Moleküler Dinamik”hesapları kullanılmaktadır. Bu hesaplarda“Yoğunluk Fonksiyonel”yaklaşımına dayalı kendi içinde tutarlı elektronik yapı hesapları ve iyonik durulma hesapları aynı anda yapılmaktadır. Bu yöntemi kullanarak, ilk etapta OK sıcaklığında üzerinde tek atom bulunan ve daha sonra sadece dimer bulunan yüzeyler için yeni atomların en uygun bağ konfigürasyonlarmm ve konumlarının bulunması ile ilgili çalışmayı ele aldık, ikinci etapta sonlu sıcaklıktaki yüzeyde ayrı iki atomun yüzey üzerinde değişik konfigürasyonlarda dimer oluşumları, üçüncü etapta ise oluşan dimerlerin sıcaklığa bağlı davranışları ve bunun sonucunda öteleme ve dönü hareketleri, son etapta da tek boyutta“epikatman”büyümenin oluşumu ve modellenmesi incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

Abstract A THEORETICAL MODEL FOR THE EPITAXIAL GROWTH OF SI(IOO) SURFACE Sefa Dağ M. S. in Physics Supervisor: Prof. Salim Çıracı January 2000 In this thesis, we investigated atomic scale mechanisms of growth on the Si(100) surface. First principles quantum molecular dynamics calculations are performed, where self- consistent field electronic structure calculations within the density functional theory, and ionic relaxations carried out concomitantly. By using this method, we first determined the binding energy and binding sites of ad- atoms and ad-dimers. In the second stage, we simulated different configuration of dimer construction. In the third stage, we analyzed temperature dependent behaviour of dimers and we investigated translational and rotational motion of dimers. Finally, we presented a new theoretical model for ID epitaxial growth.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    295546

    Preparation and characterization of graphene samples on atomically smooth surfaces

    Atomik boyutta pürüzsüz yüzeylerde grafen örneklerinin hazırlanması ve karakterizasyonu

    SERHAT YANIK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFatih Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. MEHMET BURAK YILMAZ

  2. Tez No

    246754

    Fabrication, modeling and characterization of GaN HEMTs, and design of high power MMIC amplifiers

    GaN HEMT yapılarının üretimi, modellenmesi ve ölçümü, ve yüksek güçlü MMIC yükselteçlerin tasarımı

    MUHAMMED ABDULCELİL ACAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

  3. Tez No

    486615

    Kuantum noktaların elektrik ve gerinim alanları etkisi altında modellenmesi ve tasarımı

    Modeling and design of quantum dots under the effect of electric and stress field

    NUR SEDA AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Metalurji MühendisliğiTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ERSİN EMRE ÖREN

  4. Tez No

    387831

    Electric field dependent optoelectronic nature of InGaN/GaN quantum structures and devices

    InGaN/GaN kuvantum yapılarının ve aygıtlarının elektrik alana bağlı optoelektronik doğası

    EMRE SARI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü

    DOÇ. DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR

  5. Tez No

    400804

    Magnetic and magnetotransport investigations of manganese doped ferromagnetic II-VI and III-V diluted magnetic semiconductors (DMS)

    Başlık çevirisi yok

    MUSTAFA EĞİNLİGİL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiState University of New York at Buffalo

    PROF. BRUCE D. MCCOMBE

Geri Dön