Ga2Te3 yarıiletken kristalinin büyütülmesi ve anahtarlama özelliğinin incelenmesi
The growth of Ga2Te3 semiconducting crytal and the investigation of the switching effect
- Tez No: 96370
- Danışmanlar: PROF.DR. ALİ KEMAL YOĞURTÇU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 78
Özet
Bridgman-Stockbarger kristal büyütme metoduna dayanan doğrudan katılaştırma metodu ile büyütülen ve III-VI bileşik ailesi içerisinde yer alan Ga2Te3 yaniletken bileşiğinin anahtarlama özelliği incelendi. Büyütme sonrası anahtarlama, külçe kristalin kendi yarılma düzleminde (110) elde edilen ve direnci yüksek (yaklaşık MQ mertebesinde) düzlemlerinde görüldü. Bu düzlemlere dik olarak kesilip mekanik olarak parlatılan yüzeylerde ise anahtarlama olayı gözlenmedi. Bu durum yarılma düzlemlerine dik düzlemlerde direncin yanlma düzlemlerine nazaran daha düşük olmasına atfedildi. Bu sonuç anahtarlama olayının özellikle direnci yüksek yarıiletken bileşiklerde gözlenebileceğini doğruladı.
Özet (Çeviri)
The switching effect of Ga2Te3 semiconductor being a family member of III- VI compounds, which has been grown by directional freezing method based on Bridgman-Stockbarger crystal growth method, has been investigated. The switching effect of as grown crystals has been observed on the cleaves surfaces (110) having high resistance (at the order of Mfi) of the bulk crystals. But this effect has not been observed on the surfaces, which has been cut as perpendicular to the cleave surfaces and polished mechanically. This has been attributed to the lower resistance. This result showed that the switching effect could be observed jon the surfaces of semiconductor compounds having high resistance.
Benzer Tezler
- M-selenit (M: CU, ZN, GA ve IN) nanopartiküllerinin sentezi için yeni ıslak kimyasal yöntemlerin geliştirilmesi
Development of new wet-chemical methods for the synthesis of m-selenide (M: CU, ZN, GA, and IN) nanoparticles
AHMET EMRE KASAPOĞLU
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖNDER METİN
- Mn ve Eu katkı atomlarının Ga2Se3 monokristalinin fiziksel özelliklerine etkisi
The Effect of Mn and Eu doped atoms on the physical properties of Ga2Se3 single crystal
ŞÜKRÜ YILDIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziosmanpaşa ÜniversitesiPROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU
- Electrical, structural and optical properties of AgGaSe2-xSx thin films grown by sintered powder
Sinterlenmış tozdan büyütülen AgGaSe2-xSx ince filmlerin elektriksel, yapısal ve optik özellikleri
HAKAN KARAAĞAÇ
Doktora
İngilizce
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. MEHMET PARLAK