Geri Dön

Ga2Te3 yarıiletken kristalinin büyütülmesi ve anahtarlama özelliğinin incelenmesi

The growth of Ga2Te3 semiconducting crytal and the investigation of the switching effect

  1. Tez No: 96370
  2. Yazar: ŞAKİR AYDOĞAN
  3. Danışmanlar: PROF.DR. ALİ KEMAL YOĞURTÇU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 78

Özet

Bridgman-Stockbarger kristal büyütme metoduna dayanan doğrudan katılaştırma metodu ile büyütülen ve III-VI bileşik ailesi içerisinde yer alan Ga2Te3 yaniletken bileşiğinin anahtarlama özelliği incelendi. Büyütme sonrası anahtarlama, külçe kristalin kendi yarılma düzleminde (110) elde edilen ve direnci yüksek (yaklaşık MQ mertebesinde) düzlemlerinde görüldü. Bu düzlemlere dik olarak kesilip mekanik olarak parlatılan yüzeylerde ise anahtarlama olayı gözlenmedi. Bu durum yarılma düzlemlerine dik düzlemlerde direncin yanlma düzlemlerine nazaran daha düşük olmasına atfedildi. Bu sonuç anahtarlama olayının özellikle direnci yüksek yarıiletken bileşiklerde gözlenebileceğini doğruladı.

Özet (Çeviri)

The switching effect of Ga2Te3 semiconductor being a family member of III- VI compounds, which has been grown by directional freezing method based on Bridgman-Stockbarger crystal growth method, has been investigated. The switching effect of as grown crystals has been observed on the cleaves surfaces (110) having high resistance (at the order of Mfi) of the bulk crystals. But this effect has not been observed on the surfaces, which has been cut as perpendicular to the cleave surfaces and polished mechanically. This has been attributed to the lower resistance. This result showed that the switching effect could be observed jon the surfaces of semiconductor compounds having high resistance.

Benzer Tezler

  1. M-selenit (M: CU, ZN, GA ve IN) nanopartiküllerinin sentezi için yeni ıslak kimyasal yöntemlerin geliştirilmesi

    Development of new wet-chemical methods for the synthesis of m-selenide (M: CU, ZN, GA, and IN) nanoparticles

    AHMET EMRE KASAPOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÖNDER METİN

  2. Mn ve Eu katkı atomlarının Ga2Se3 monokristalinin fiziksel özelliklerine etkisi

    The Effect of Mn and Eu doped atoms on the physical properties of Ga2Se3 single crystal

    ŞÜKRÜ YILDIZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziosmanpaşa Üniversitesi

    PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU

  3. Electrical, structural and optical properties of AgGaSe2-xSx thin films grown by sintered powder

    Sinterlenmış tozdan büyütülen AgGaSe2-xSx ince filmlerin elektriksel, yapısal ve optik özellikleri

    HAKAN KARAAĞAÇ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. MEHMET PARLAK