Tabakalı Gate yarı iletken bileşiğinin optik özelliklerini fotoluminesans tekniği ile incelenmesi
The investigation of optical properties of layered ga te semiconducter using photo luninescu technique
- Tez No: 96393
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 55
Özet
ÖZET Yarıiletken elektronik devre elemanları ve optoelektronik cihazları her geçen gün önemi artan bir teknoloji haline gelmiştir. Bu devre elemanlarında, taban malzeme olarak kullanılan yarıiletkenin diğer özelliklerinin yanında optik özelliklerininde bilinmesi gereklidir. Cihazların tasarımı, geliştirilmesi ve üretiminde gerekli olan temel bilgi, malzemenin temel niteliklerinin elde edilmesiyle sağlanır. GaTe kristalinin optik özellikleri, fotolüminesans tekniği ile araştırıldı. GaTe yarıiletkeni yakın kızılötesi bölgede teknolojik uygulama potansiyeline sahip olan bir bileşiktir. GaTe'nin bu özelliğinden dolayı, bu çalışma teknolojik uygulamalarda optik özellikler yönünden gerekli olan bilgiyi sağlamak amaçlandı ve yönlendirilmiş doğrudan katılaşma tekniği ile büyütülmüş GaTe kristalinin optik özellikleri fotolüminesans tekniği ile araştırıldı. Fotolüminesans ölçümleri sıcaklığa ve lazer gücüne bağlı olarak yapıldı ve bu ölçümlerden ışımalı geçiş mekanizmaları tanımlandı. Sıcaklığa, ısıl işleme ve uyarma şiddetine bağlı ölçümlerden ısıl işlemin yarıiletkenin optik özellikleri üzerindeki etkisi incelendi.
Özet (Çeviri)
u SUMMARY The electronic circuit elements based on semiconductors optoelectronic devices have become more and more important in technology. It is necassary to be known that semiconductors using for substrate device not only other properties but also optical properties. Basic information that needed at device design, improvement and manufacturing is provided to known of basic physics properties of materials. GaTe semiconductor is a compound having potential technologicial application in near infrared region. Because of this properties of GaTe, this study have done to provide the information. In this study the optical properties of the as grown and annealed GaTe cyrstals were studied using photoluminescence (PL) technique. In explanation of radiative transition mechanism, temperature and laser power dependent PL measurements were used. Annealing effect on GaTe also investigated using low temperature and temperature dependent PL measurements.
Benzer Tezler
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Ferritin tayini için grafen alan etkili biyosensör tasarımı geliştirilmesi
Development of graphene field-effect biosensor design for ferritin detection
HATİCE NUR KOYUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
BiyoteknolojiPamukkale ÜniversitesiBiyomedikal Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CUMHUR GÖKHAN ÜNLÜ
- Yan grubunda steroid içeren sıvı kristal polimerlerin sentezi ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Synthesis of steroid containing liquid crystal polymers in the side group and investigation of electrical properties
FIRAT KAYABAŞI
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Polimer Bilim ve TeknolojisiGebze Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE GÜL GÜREK
- Conductive polymer nanocomposites of polypropylene and organic field effect transistors with polyethylene gate dielectric
Polipropilen iletken nanokompozitleri ve polietilen kapı dilektrikli organik alan etkili transistörler
YASİN KANBUR
Doktora
İngilizce
2011
Polimer Bilim ve TeknolojisiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Bölümü
PROF. DR. ZUHAL KÜÇÜKYAVUZ
- Ga Te tabakalı kristalinin büyütülmesi ve omik kontak optimizasyonu
The growth of Ga Te layered crystal and ohmic contact optimization
CEVDET COŞKUN
Doktora
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU