Ga Te tabakalı kristalinin büyütülmesi ve omik kontak optimizasyonu
The growth of Ga Te layered crystal and ohmic contact optimization
- Tez No: 96383
- Danışmanlar: DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 113
Özet
Bridgman-Stockbarger metoduna dayalı, programlanabilir doğrudan katılaştırma {Programmable Directional Freezing) tekniğiyle büyütülen GaTe tabakalı kristali üzerinde bir dizi omik kontak çalışması yapıldı. Transmission Line Method (TLM) {Ladder Network) tekniği kullanılarak yapılan spesifik omik kontak direnci ölçümlerinde kontak malzemeleri olarak in, Au, Al, Ag elementleri ve Au-In alaşımı kullanıldı. Basamaklı (ladder) yapı, gölge maske (shadow mask) kullanılarak kristal üzerine transfer edildi. En düşük omik kontak direnci, in elementi için 200 °C ve 2.5 dk tavlama şartlarıyla 2.5+1.4xl0"5 Qcm2 olarak belirlendi. Bu yapı üzerinde altı aya kadar yapılan yaşlanma ölçümlerinde yapının kararlılığının korunduğu görüldü. Bu çalışmada kullanılan diğer kontak malzemelerinin, 175-400 °C sıcaklık aralığında 5 dk süreyle yapılan ısıl işlem sonucunda doğrultucu davranış gösterdiği anlaşıldı ve yüksek kontak dirençleri sebebiyle bu yapılar üzerinde omik kontak ölçümü yapılamadı. XRD {X-Ray Diffraction) tekniğiyle yapılan yapısal karakterizasyon çalışmasında, metal yarıiletken arayüzeyde oluşan InGaTe2 alaşımına ait en düşük pik değerinin, optimum proses şartları olarak belirlenen 200 °C de 2.5 dk süreyle tavlanmış yapıda elde edildiği gözlendi.
Özet (Çeviri)
A systematic study on ohmic contact formation to GaTe layered crystal grown by directional freezing method based on Bridgman-Stockbarger technique has been introduced. In this study the Ladder Network {Transmission Line Method, TIM) technique was used for the measurement of specific contact resistance of ohmic contacts to GaTe. In, Au, Al, Ag metals and Au-In eutectic alloy were used as contact element. Ladder pattern formed directly on GaTe surface by evaporation of metals through a pre- patterned shadow mask. With a controllable thermal treatment process, the lowest ohmic contact with 2.5±1.4xl0"5 Hem2 was formed by In after annealing at 200 °C for 2.5 min. Ohmic contacts with that process remained very stable up to six months. Because the other elements used in this study showed rectification behaviour after annealing at 175-400 °C temperature range for 5 min, these samples didn't allow for measuring of ohmic contact resistance because of the high contact resistance. X-ray diffraction measurements showed that InGaTe2 formation at GaTe:In has the lowest value for the sample annealed with optimum process.
Benzer Tezler
- Au, Cu ve Al/n-InP Schottky eklemlerin karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
The determination of characteristic parameters of Au, Cu and Al/n-InP Schottky contacts
HİDAYET ÇETİN
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ
- Tabakalı Gate yarı iletken bileşiğinin optik özelliklerini fotoluminesans tekniği ile incelenmesi
The investigation of optical properties of layered ga te semiconducter using photo luninescu technique
MURAT GÜLNAHAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU
- Production of dye sensitized solar cell and optimization of production parameters
Boya uyarımlı güneş pillerinin üretimi ve üretim parametrelerinin optimizasyonu
RAMAZAN ŞİMŞEK
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KILIÇ
- Adatepe (Devrek/Zonguldak) mevkii ve civarı maden arama çalışmalarında jeokimyasal verilerin değerlendirilmesi
Evaluation of geochemical data in mining exploration studies around Adatepe village (Devrek-Zonguldak)
ERCÜMENT AYSERT
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Jeoloji MühendisliğiZonguldak Bülent Ecevit ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ İBRAHİM BUZKAN
DOÇ. DR. AHMET KARAKAŞ
- Adatepe (Devrek/Zonguldak) mevkii sülfürlü cevher oluşumları
Adatepe (Devrek/Zonguldak) location sulfured ore formations
SHAH MURAD TURKMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Jeoloji MühendisliğiZonguldak Bülent Ecevit ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ İBRAHİM BUZKAN
DOÇ. DR. AHMET KARAKAŞ