Development of graphene/silicon carbide based quadrant photodetector device
Grafen/silisyum karbür tabanlı quadrant fotodedektör aygıt geliştirilmesi
- Tez No: 978718
- Danışmanlar: PROF. DR. CEM ÇELEBİ, DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖZHAN ÜNVERDİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Dedektörler, Katıhal fiziği, Sensörler, Yarı iletkenler, Detectors, Solid state physics, Sensors, Semiconductors
- Yıl: 2025
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında, Kimyasal Buhar Biriktirme yöntemi ile üretilen p-tipi grafen ve n-tipi Silisyum Bu tez çalışmasında Grafen/Silisyum Karbür aygıt mimarisine sahip kendinden beslemeli, Schottky eklemli ve ultraviyole bölgede çalışacak kadran fotodedektör aygıt tasarlanmış ve karakterize edilmiştir. Çalışmanın amacı kapsamında kimyasal buhar biriktirme metodu ile sentez edilmiş p-tipi çift katmanlı grafen malzemesinin kadran fotodedektör mimarisine uyumluluğunu değerlendirilmiş ve ışık pozisyonunu algılama kapasitesini deneysel metodlar ile incelenmiştir. Aygıtın n-tipi eklemini oluşturan silisyum karbür alttaşın üzerinde termal buharlaştırma metodu ile kadran aygıtın elektrotları ve yapısı oluşturulmuştur. Çift katmanlı p-tipi grafen bu yapının üzerine transfer edilerek p-i-n eklemlerine sahip kendinden beslemeli aygıt yapısı tamamlanmıştır. Büyütülmüş çift katmanlı grafenin varlığı Raman spektroskobisi metodu ile doğrulanmıştır. Aygıtın karanlık koşullarda akım-gerilim özellikleri ölçülerek, karanlık akım, Schottky bariyer yüksekliği ve idealite faktörleri hesaplanmıştır. Cihazın 250 – 300 nanometre dalga boyundaki ultraviyole ışınına karşı tepkiselliği ölçülmüştür. Son olarak pozisyonlama hassasiyeti sensörün aktif bölgesinde seçilen bir aramada tarama yaparak belirlenmiştir. Bu çalışma gelecekte geliştirilebilecek Grafen/Silisyum Karbür mimarisine sahip kadran fotodedektörler için bir giriş niteliği taşımaktadır.
Özet (Çeviri)
In this thesis work, a self-biased, Schottky-junction quadrant photodetector device operating in the ultraviolet region, based on a Graphene/Silicone Carbide device architecture was designed and characterized. The aim of the study is to evaluate the compatibility of p-type graphene synthesized by chemical vapour deposition with the quadrant photodetector architecture and to experimentally investigate its light position sensing capability. The electrodes and structure of the quadrant device were formed on a silicon carbide substrate, which constitutes the n-type junction, using thermal evaporation method. The bilayer p-type graphene was verified through Raman spectroscopy. Dark current-voltage characteristics of the device were measured. The device's responsivity to ultraviolet light in 250 – 300 nanometer wavelength range was measured. Finally, the positioning accuracy was determined by scanning within the active region of the sensor in a defined search grid. This study provides foundational reference for future development of quadrant photodetectors based on Graphene/Silicon Carbide architecture.
Benzer Tezler
- Titanyum diborür ve grafen nano plaka takviyeli silisyum karbür seramiklerinin spark plazma sinterleme yöntemi ile üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of titanium diboride and graphene nanoplates (GNP) reinforced silicon carbide ceramics prepared by spark plasma sintering
BÜŞRA ÖZKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Seramik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ ŞAHİN
- Silisyum karbür ve grafen nano plaka (GNP) takviyeli titanyum diborür seramiklerin spark plazma sinterleme yöntemi ile üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of titanium diborudet ceramics with the additions of silicon carbide and graphene nanoparticles by spark plasma sintering
ÖZNUR KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İPEK AKIN KARADAYI
- Development of cast aluminum metal matrix composites by additional processes
Döküm alüminyum metal matriks kompozitlerinin ilave proseslerle geliştirilmesi
UĞUR AYBARÇ
Doktora
İngilizce
2019
Metalurji Mühendisliğiİzmir Katip Çelebi ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET ÖZGÜR SEYDİBEYOĞLU
- Development and evaluation of laser processed light management interfaces for graphene/silicon Schottky solar cells
Grafen/silisyum Schottky güneş hücrelerı için lazerle işlenmiş ışık yönetim arayüzlerinin geliştirilmesi ve değerlendirilmesi
NARDIN AVISHAN
Doktora
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
PROF. DR. ALPAN BEK
PROF. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
- Lityum iyon piller için metalurjik silisyum / KNT / grafen çok fonksiyonlu anotların geliştirilmesi
Development of metallurgical silicon / CNT / graphene multifunctional anodes for lithium ion batteries
GİZEM HATİPOĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Metalurji MühendisliğiSakarya ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HATEM AKBULUT