Elektron seçici katman olarak ZnO nanoparçacıklar ve thıourea'nın birleşimi ile optoelektronik performansın artırılması
Enhancing optoelectronic performance by combining ZnO nanoparticles and thiourea as an electron selective layer
- Tez No: 1001341
- Danışmanlar: PROF. DR. MURAT SOYLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2026
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bingöl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, sol-jel spin kaplama tekniği kullanılarak cam ve p-tipi silisyum (p-Si) alttaşlar üzerine sentezlenen katkısız ve tiyoüre (Thiourea, TU) katkılı ZnO ince filmlerin yapısal, optik, elektriksel ve morfolojik özellikleri incelenmiştir. TU katkılı ZnO (TU:ZnO) ince filmlerin yapısal özellikleri X-ışını kırınımı (XRD) analizleri ile değerlendirilmiş ve filmlerin hekzagonal wurtzit kristal yapıya sahip olduğu, özellikle (002) ve (101) düzlemleri boyunca tercihli yönelim sergilediği belirlenmiştir. Optik karakterizasyon sonuçlarına göre, TU katkılı ZnO ince filmlerin optik bant aralığı (Eg) değerleri 3,25–3,26 eV aralığında bulunmuştur. Elektriksel ölçümler, TU katkılı ZnO/p-Si heteroeklem yapılarının belirgin bir doğrultucu davranış sergilediğini ve doğrultma oranının (RR) yaklaşık 10³ mertebesinde olduğunu göstermiştir. Doğrultma davranışının, TU ağırlıkça yüzde içeriğine karşı belirgin bir hassasiyet göstermediği tespit edilmiştir. %0,5 TU katkılı ZnO/p-Si heteroeklem aygıtı için açık devre gerilimi (Voc) 291 mV olarak belirlenmiş olup, TU katkı oranının artmasıyla birlikte Voc değerinde azalma gözlenmiştir. Elde edilen sonuçlar, ZnO ince filmlerde uygun katkılama ve parametre ayarlamalarının, fotovoltaik aygıtlar ve ekran teknolojileri gibi optoelektronik uygulamalarda performansın artırılması açısından önemli bir potansiyele sahip olduğunu ortaya koymaktadır.
Özet (Çeviri)
This study investigates the properties of katkısız and thiourea (TU)-doped ZnO thin films synthesized on glass and p-type silicon (p-Si) substrates using the sol–gel spin coating technique. A comprehensive analysis was carried out to evaluate the structural, electro-optical, and morphological characteristics of TU-doped ZnO (TU:ZnO) thin films. X-ray diffraction (XRD) analyses revealed that the ZnO films exhibit a hexagonal wurtzite crystal structure with preferred orientations along the (002) and (101) planes. Optical measurements indicated that the optical band gap (Eg) values of TU-doped ZnO thin films range between 3.25 and 3.26 eV. Electrical characterization results demonstrated that the TU-doped ZnO/p-Si heterojunction structures exhibit pronounced rectifying behavior, with a rectification ratio on the order of 10³, showing no significant sensitivity to the TU weight percentage. The open-circuit voltage (Voc) of the ZnO/p-Si heterojunction device with 0.5% TU doping was measured as 291 mV, and a decreasing trend in Voc was observed with increasing TU concentration. Overall, the obtained results indicate that optimal doping and appropriate tuning of ZnO thin films hold significant promise for enhancing device performance in photovoltaic technologies and display applications.
Benzer Tezler
- Metal oksit inorganik malzemelerin GaAs hücre teknolojisine elektron seçici yayıcı katman olarak entegrasyonu
Integration of metal oxide inorganic materials into GaAscell technology as electron selective emitter layer
ELİF YILMAZ
Doktora
Türkçe
2024
Kimya MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI
- Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD
III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD`deki uygulamaları
ALI HAIDER
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
Assist. Prof. AYKUTLU DANA
DR. NECMİ BIYIKLI
- Yarı iletken metal oksit nanoyapıların üretimi, karakterizasyonu ve ters hibrit güneş piline uygulamaları
Fabrication and characterization of semiconductor metal oxide nano structures and inverted type hybrid solar cell applications
ARİF KÖSEMEN
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YUSUF YERLİ
- Development of hole transport transparent conductive electrodes for n-type crystalline silicon solar cells
N-tipi kristal silisyum güneş gözeleri için deşik seçici iletken saydam elektrot üretilmesi
OZAN AKDEMİR
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Bilim ve TeknolojiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
DOÇ. DR. ALPAN BEK
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER
- Numerical and experimental investigation on the crushing behaviour of auxetic lattice cells produced with additive manufacturing techniques
Eklemeli imalat teknikleri ile üretilmiş ökzetik kafes yapıların ezilme davranışlarının nümerik ve deneysel olarak incelenmesi
KADİR GÜNAYDIN
Doktora
İngilizce
2020
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiUçak ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HALİT SÜLEYMAN TÜRKMEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ ANTONIO MATTIA GRANDE